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고밀도로 분산된 금속 나노 입자를 포함하는 자기 기록매체 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043212
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고밀도로 분산된 금속 나노 입자를 포함하는 자기 기록 매체 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성된 시드; 및 상기 시드를 둘러싸도록 형성된 금속 나노 입자를 포함하는 자기 기록 매체 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 상기 자기 기록 매체는 시드를 이용하여 금속 입자를 형성함에 따라 기판 상에 고밀도로 금속 나노 입자의 분산이 가능하고, 대면적의 기판에도 적용이 가능하며, 차세대 액츄에이터나 센서 뿐만 아니라 하드 디스크 드라이버나 고밀도 자기 기록 테이프 등으로 적용이 가능하다. 금속 나노 입자, 유연 기판, 시드
Int. CL G11B 5/712 (2006.01.01) G11B 5/851 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC G11B 5/712(2013.01) G11B 5/712(2013.01) G11B 5/712(2013.01) G11B 5/712(2013.01)
출원번호/일자 1020080087592 (2008.09.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0978554-0000 (2010.08.23)
공개번호/일자 10-2010-0028731 (2010.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤종승 미국 서울특별시 서대문구
2 김영호 대한민국 서울특별시 송파구
3 김정훈 대한민국 서울특별시 동작구
4 김련기 대한민국 강원도 강릉시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0632193-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0025361-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486126-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0052551-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0052552-71
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0212009-56
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.07.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0030194-19
9 등록결정서
Decision to grant
2010.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0359849-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유연 기판; 상기 유연 기판 상에 형성되고, 입자 크기가 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 유연 기판은 폴리이미드, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 자기 기록 매체
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
지지체 상에 유연 기판 형성용 조성물을 도포하여 유연 기판용 막을 형성하는 단계; 상기 유연 기판용 막 상에 0
8 8
제7항에 있어서, 상기 유연 기판 형성용 조성물은 폴리아믹산 및 용매를 포함하는 것인 자기 기록 매체의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 유연 기판용 막의 형성은 딥 코팅, 닥터 블레이드법, 스핀 코팅(spin coating), 스프레이 코팅, 슬릿 코팅(slit coating), 캐스팅법, 및 라미네이션법 중에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 자기 기록 매체의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 증착은 스퍼터링, 이온빔 증착법, 화학적 증착법, 및 플라즈마 증착법 중에서 선택된 1종의 방법으로 수행하는 것인 자기 기록 매체의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 1차 열처리는 250 내지 450℃의 온도에서 수행하는 것인 자기 기록 매체의 제조방법
12 12
제7항에 있어서, 상기 2차 열처리는 500 내지 700℃의 온도에서 수행하는 것인 자기 기록 매체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한양대학교 산학협력단 나노소재기술개발사업 정보저장용 금속 및 산화물 나노입자 제조