| 1 |
1
제1 질화갈륨에 본딩 산화막(bonding oxide)을 형성하는 단계;상기 본딩 산화막이 형성된 제1 질화갈륨의 표면에 적어도 1회 이상의 제1 이온 주입을 진행하여 데미지 층(damage layer)을 형성하는 제1 질화갈륨의 휨 완화(bow release) 단계;상기 본딩 산화막이 형성된 제1 질화갈륨의 표면에 제2 이온 주입을 진행하여 블리스터 층(blister layer)을 형성하는 단계;상기 제1 질화갈륨의 본딩 산화막과 임시 기판을 접합하는 단계;상기 블리스터 층을 이용하여 상기 제1 질화갈륨을 분리시켜 시드층(seed layer)를 형성하는 단계; 및상기 시드층을 이용하여 제2 질화갈륨을 성장시켜 벌크 질화갈륨을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 본딩 산화막이 형성된 제1 질화갈륨의 표면에 제1 이온 주입을 진행하여 데미지 층을 형성하는 상기 제1 질화갈륨의 휨 완화 단계는,상기 제1 이온 주입의 가속 전압(Acceleration voltage)에 따라, 상기 데미지 층의 두께가 조절되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 데미지 층의 두께에 따라, 상기 제1 질화갈륨의 휨(bow) 정도가 조절되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 블리스터 층은 상기 제1 질화갈륨의 표면으로부터 0
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 블리스터 층은 수소, 헬륨, 질소 및 아르곤 중 적어도 어느 하나의 물질로 이온 주입되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 제1 질화갈륨은 N-면(N-face) 및 Ga-면(Ga-face)을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 본딩 산화막이 형성된 제1 질화갈륨의 표면에 제2 이온 주입을 진행하여 블리스터 층을 형성하는 상기 단계는, 상기 제1 질화갈륨의 상기 Ga-면에 진행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서, 상기 본딩 산화막이 형성된 제1 질화갈륨의 표면에 제2 이온 주입을 진행하여 블리스터 층을 형성하는 상기 단계는,상기 블리스터 층을 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 블리스터 층을 열처리하는 상기 단계는,400℃ 내지 800℃의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 제1 질화갈륨의 본딩 산화막과 임시 기판을 접합하는 상기 단계는,200℃ 내지 450℃의 온도에서 5시간 동안 진행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 시드층을 이용하여 제2 질화갈륨을 성장시켜 벌크 질화갈륨을 형성하는 상기 단계는,상기 임시 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 12 |
12
제1항에 있어서, 상기 임시 기판은 표면에 비정질 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 비정질 박막은 SiOx(silicon oxide), SiNx(silicon nitride) 및 SiON(silicon oxynitride) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
| 14 |
14
제1항에 있어서, 상기 임시 기판은 사파이어(sapphire), GaAs(gallium arsenide), 스피넬(spinel), Si(silicon), InP(indium phosphide) 및 SiC(silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
|
