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기판 상에 게이트 전극, 게이트 절연막, 채널층, 및 상기 채널층의 양측단부에 접속하는 소오스/드레인 전극들을 형성하되,상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, 기판을 챔버 내에 투입하고, 상기 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 기판 상에 알루미늄 전구체를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시켜 상기 알루미늄 전구체를 상기 기판 표면 상에 흡착시키는 알루미늄 전구체 가압 도징 단계; 상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 알루미늄 전구체 퍼지 단계; 상기 알루미늄 전구체 퍼지 단계 후, 산화제를 상기 챔버 내로 공급하여 상기 기판 상에 흡착된 알루미늄 전구체와 반응시키는 산화제 공급 단계; 및 상기 산화제 공급 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 산화제 퍼지 단계를 포함하는 단위 사이클을 다수회 진행하여, 상기 기판 상에 알루미늄 산화막인 게이트 절연막을 형성하는 것인 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 게이트 절연막은 상기 기판 상에 상기 게이트 전극이 형성된 후, 상기 게이트 전극 상에 형성되고,상기 채널층은 상기 게이트 절연막 상에 형성되는 반도체 소자 제조방법
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청구항 2에 있어서,상기 채널층은 금속 산화물 채널층이고,상기 금속 산화물 채널층과 상기 알루미늄 산화막 사이에 계면이 형성된 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 캐리어 가스 없이 공급되고, 상기 알루미늄 전구체 공급에 의해 증가된 챔버 내 반응압력은 100 mTorr 내지 10 Torr인 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계와 상기 알루미늄 전구체 퍼지 단계는 알루미늄 전구체 서브 사이클에 포함되고,상기 산화제 공급 단계 전에, 상기 알루미늄 전구체 서브 사이클을 다수회 반복하고,상기 알루미늄 전구체 서브 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라 상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계에서의 반응압력이 점차 증가하는 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화제 공급단계는 상기 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 산화제를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시킨 상태에서 진행하는 산화제 가압 도징 단계로 진행하는 반도체 소자 제조방법
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청구항 6에 있어서, 상기 산화제 가압 도징 단계와 상기 산화제 퍼지 단계는 산화제 서브 사이클에 포함되고,상기 단위 사이클은 상기 산화제 서브 사이클을 연속하여 다수회 반복하는 것을 포함하고,상기 산화제 서브 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라 상기 산화제 가압 도징 단계에서의 반응압력이 점차 증가하는 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 트라이메틸알루미늄(trimethylaluminium, TMA)이고, 상기 산화제는 H2O인 반도체 소자 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 알루미늄 산화막을 형성하는 챔버의 온도는 20 내지 150 ℃의 범위 내에 있고,상기 알루미늄 산화막은 8 내지 9
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기판 상에 복수의 층간 절연막들과 복수의 제어 게이트막들을 교호적으로 적층하는 단계;상기 교호적으로 적층된 층간 절연막들과 제어 게이트막들을 관통하는 개구부를 형성하는 단계;상기 개구부의 측벽 상에 블로킹 절연막 및 전하 포획층을 차례로 형성하는 단계;상기 전하 포획층이 형성된 기판을 챔버 내에 투입하고, 상기 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 기판 상에 알루미늄 전구체를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시켜 상기 알루미늄 전구체를 상기 기판 표면 상에 흡착시키는 알루미늄 전구체 가압 도징 단계; 상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 알루미늄 전구체 퍼지 단계; 상기 알루미늄 전구체 퍼지 단계 후, 산화제를 상기 챔버 내로 공급하여 상기 기판 상에 흡착된 알루미늄 전구체와 반응시키는 산화제 공급 단계; 및 상기 산화제 공급 단계 후, 상기 챔버를 퍼지하는 산화제 퍼지 단계를 포함하는 단위 사이클을 다수회 진행하여, 상기 전하 포획층이 형성된 기판 상에 알루미늄 산화막인 터널 절연막을 형성하는 단계;상기 터널 절연막이 형성된 개구부의 측벽 상에 채널층을 형성하는 단계; 및상기 채널층이 형성된 개구부를 채우는 절연 기둥을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 채널층은 금속 산화물 채널층이고,상기 금속 산화물 채널층과 상기 알루미늄 산화막 사이에 계면이 형성된 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 캐리어 가스 없이 공급되고,상기 알루미늄 전구체 공급에 의해 증가된 챔버 내 반응압력은은 100 mTorr 내지 10 Torr인 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계와 상기 알루미늄 전구체 퍼지 단계는 알루미늄 전구체 서브 사이클에 포함되고,상기 산화제 공급 단계 전에, 상기 알루미늄 전구체 서브 사이클을 다수회 반복하고,상기 알루미늄 전구체 서브 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라 상기 알루미늄 전구체 가압 도징 단계에서의 반응압력이 점차 증가하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 산화제 공급단계는 상기 챔버의 가스 유출구를 닫은 상태에서 상기 산화제를 공급하여 상기 챔버 내 반응압력을 증가시킨 상태에서 진행하는 산화제 가압 도징 단계로 진행하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 14에 있어서, 상기 산화제 가압 도징 단계와 상기 산화제 퍼지 단계는 산화제 서브 사이클에 포함되고,상기 단위 사이클은 상기 산화제 서브 사이클을 연속하여 다수회 반복하는 것을 포함하고,상기 산화제 서브 사이클의 반복 횟수가 증가함에 따라 상기 산화제 가압 도징 단계에서의 반응압력이 점차 증가하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 알루미늄 전구체는 트라이메틸알루미늄(trimethylaluminium, TMA)이고, 상기 산화제는 H2O인 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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청구항 10에 있어서,상기 알루미늄 산화막을 형성하는 챔버의 온도는 20 내지 150 ℃의 범위 내에 있고,상기 알루미늄 산화막은 8 내지 9
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