맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

다층 반사기 구조의 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015117681
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면 방출형 발광다이오드에 다층 구조의 반사기를 집적해 발광다이오드의 효율을 향상시키는 고효율 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 고효율을 위한 반사기를 반도체 공정인 건식 에칭 및 습식 에칭을 이용해 발광다이오드에 집적하여 구현한다. 전류를 흘려주어 활성층에서 생성된 빛은 소자 내에서 여러 방향으로 진행하는데 이를 측면에 형성된 반사기들에 의해서 표면으로 반사시켜 빛을 보다 많이 뽑아낸다. 제안된 발광다이오드 구조는 기존의 구조에 비해 보다 효율적이므로 저전력 및 고휘도 광원으로 만들 수 있고, 기존의 반도체 공정을 이용한 복잡성이 덜한 기술이다.LED, 발광다이오드, 광효율, 다층, 반사기
Int. CL H01L 33/60 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020060036057 (2006.04.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0732191-0000 (2007.06.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070627) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.21)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 권영세 대한민국 대전 유성구
2 김재호 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임재룡 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, ***호 (역삼동, 성지하이츠*)(나래특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0278317-64
2 보정요구서
Request for Amendment		 2006.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2006-0063228-16
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2006-0310110-62
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0007972-59
6 복대리인선임신고서
Report on Appointment of Sub-agent		 2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-5036717-88
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0267723-11
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2007.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0398097-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 표면에 대칭구조로 경사진 요철부를 갖는 화합물 반도체 기판;상기 대칭 구조의 요철부 사이이자 상기 반도체 기판의 상부에 위치한 활성층; 상기 대칭구조의 요철부 사이이자 상기 활성층 위에 배치된 p-형 반도체 층; 상기 대칭구조의 요철부 사이이자 상기 p-형 반도체 층 위에 배치된 양극; 상기 양극의 상부면을 제외한 상기 반도체 기판의 상기 요철부를 포함하는 상기 제1 표면의 프로파일을 따라서 적층된 절연층; 상기 양극의 상부와 상기 양극에 인접한 상기 절연층의 경사면 상에 배치된 반사층; 및상기 반도체 기판의 상기 제1 표면과 반대로 대향하는 제2 표면의 가장자리에 배치된 음극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드
2 2
제1 항에 있어서, 상기 반사층은 하나 이상인 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드
3 3
제1 항에 있어서,상기 반사층은 상기 절연층의 경사면 전체가 아닌 일부분에 형성하거나 또는 상기 반사층을 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드
4 4
화합물 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 화합물 반도체 기판의 표면 상에 활성층과 p-형 반도체 층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 p-형 반도체 층 상의 소정 부분에 양극을 형성하는 단계;상기 양극을 덮는 계단식 구조의 제1 마스킹 패턴과 상기 제1 마스킹 패턴과 이격되어 상기 p-형 반도체 층을 부분적으로 덮는 제2 마스킹 패턴을 포함하는 마스킹 패턴을 형성하는 단계;상기 마스킹 패턴, 상기 활성층, 상기 p-형 반도체 층 및 상기 반도체 기판을 상기 마스킹 패턴이 소정 두께로 감소되도록 건식 식각하는 단계; 및상기 결과적인 구조물을 습식식각하여 양극 주위에 위치한 계단형의 구조를 부드러운 다층의 볼록 및 오목한 반사기로 만드는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 마스킹 패턴은 실리콘 질화막, 실리콘 산화막 또는 그 둘의 혼합막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제4 항에 있어서, 상기 건식 식각은 염소(Cl2)가스나 브롬화수소(HBr) 가스 혹은 이들이 포함된 혼합 가스를 사용한 RIE, RIBE 또는 ICP 등의 플라즈마 에칭 장비를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
7 7
제4 항에 있어서, 상기 습식 식각은 HBr+H3PO4+K2Cr2O7의 혼합용액, HBr+H2O2+H2O의 혼합용액, 그리고 Br2+메탄올의 혼합 용액으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 하나를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고효율 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02022101 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 JP21533883 JP 일본 FAMILY
3 US20090146168 US 미국 FAMILY
4 US20110033962 US 미국 FAMILY
5 WO2007123289 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2022101 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 JP2009533883 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2009533883 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP2009533883 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2009146168 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US2011033962 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2007123289 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.