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장파장 자외선을 방출하는 기체 방전을 이용한 백 라이트유닛

  • 기술번호 : KST2015112416
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 장파장 영역의 진공 자외선(vacuum UV)을 방출하도록 하기 위해 질소를 함유한 가스를 방전 가스로 사용하며, 장파장 영역의 진공 자외선 영역에서 높은 양자 효율(quantum efficiency)을 가지도록 제조한 형광체를 사용하여 효율을 향상시킨 백 라이트 유닛에 관한 것이다. 본 발명의 백 라이트 유닛은, 방전을 발생시키기 위한 하나 이상의 전극이 형성되며, 서로 결합되어 플라즈마를 형성하기 위한 방전 공간을 형성하는 상판 및 하판; 상판과 하판의 사이에 형성되는 방전 공간에 봉입되며, 질소를 포함하는 방전 시 250nm-400nm 사이의 장파장 자외선을 방출하는 가스가 혼합된 방전 가스; 및 상판 및/또는 하판의 방전 공간을 향하는 면에 형성되며, 250nm-400nm 사이의 장파장 자외선 영역에서 최대 양자 효율을 가지며, 영역의 자외선에 의하여 여기되어 가시광선을 방출하는 형광체를 포함한다.
Int. CL H01J 61/30 (2006.01)
CPC H01J 61/305(2013.01) H01J 61/305(2013.01) H01J 61/305(2013.01)
출원번호/일자 1020020008894 (2002.02.20)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0784710-0000 (2007.12.05)
공개번호/일자 10-2003-0069324 (2003.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20071212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.06.03)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0049545-14
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document		 2002.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-5045501-51
3 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2002.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2002-5137133-32
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2003.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0060943-10
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2005.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0296586-16
6 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2005.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2005-0296551-18
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.11.16 수리 (Accepted) 4-1-2005-5120439-62
8 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2005.11.16 수리 (Accepted) 1-1-2005-0659289-19
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0508176-43
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0787180-01
11 의견서
Written Opinion		 2006.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2006-0787149-95
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0112248-45
13 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0316050-95
14 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0390261-35
15 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0464101-18
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0535343-93
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0535335-27
18 등록결정서
Decision to grant		 2007.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0625950-77
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
방전을 발생시키기 위한 하나 이상의 전극이 형성되는 하판;상기 하판과 간격을 두고 결합되어 방전 공간을 형성하는 상판;상기 방전 공간에 봉입되며, 250nm-400nm 범위의 장파장 자외선을 방출하는 질소 기체를 포함하는 방전 가스; 및상기 상판의 양면 중 상기 방전공간에 접하는 면에 형성되며, 상기 250nm-400nm 범위의 장파장 자외선 영역에서 최대 양자효율을 갖고 상기 영역의 자외선에 의해 여기되어 가시광선을 방출하는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백 라이트 유닛
2 2
제 1항에 있어서, 상기 방전 가스는상기 질소; 및He, Ne, Ar, Xe, Kr 중 적어도 한 가스를 포함하며,상기 질소는 0%초과 50%이하의 함량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 백 라이트 유닛
3 3
제 1항에 있어서,상기 형광체는 300nm에서 360nm에서 최대 양자 효율을 갖는 것을 특징으로 하는 백 라이트 유닛
4 4
[삭제]
5 4
[삭제]
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.