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집적형 박막 태양전지
- 기술번호 : KST2014053446
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 집적형 태양전지의 제조 공정시 발생되는 면적손실을 최소화하고 저가의 공정으로도 가능한 집적형 박막 실리콘 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 집적형 박막 태양전지의 제조방법은 (a) 투명기판 상에 인접하고 있는 상호간 소정의 간격으로 이격되도록 패터닝된 투명전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 (a)단계에 의한 기판 위에 태양전지(반도체)층을 형성하는 단계와, (c) 상기 태양전지(반도체)층 위에 금속을 비스듬히 증착하여 1차 금속이면전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 1차 금속이면전극을 마스크로 사용하여 상기 태양전지(반도체)층을 식각하는 단계 및 (e) 상기 (d)단계에 의한 기판 위에 금속을 비스듬히 증착하여 상기 투명전극과 상기 1차 금속이면전극이 전기적으로 연결되도록 2차 금속이면전극을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 집적형 박막 태양전지의 단위 소자간 절연 간격을 기존에 비해 수십 배 내지 수백 배 이상 줄일 수 있어 태양전지의 유효 면적을 극대화할 수 있으며, 자기 정렬이 가능하여 정확한 위치제어장치가 불필요하고, 투명전극 형성 후의 모든 공정이 진공 중에서 수행되기 때문에 대기 상태에 노출됨에 따른 태양전지 모듈의 성능 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다. 집적형 박막 태양전지, 모듈화, 투명전극, 금속이면전극, 경사에칭 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/0224 (2000.01) |
| CPC | H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020050021895 (2005.03.16) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0756286-0000 (2007.08.31) |
| 공개번호/일자 | 10-2006-0100174 (2006.09.20) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20070906) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2005.03.16) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 임굉수 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 권성원 | 대한민국 | 대구광역시 북구 |
| 3 | 곽중환 | 대한민국 | 서울시 도봉구 |
| 4 | 박상일 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 5 | 윤준보 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 6 | 문건우 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김성호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 도곡로 *** (역삼동,미진빌딩 *층)(KNP 특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 Patent Application |
2005.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0138441-33 |
| 2 | 서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items |
2005.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0141532-61 |
| 3 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2005.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0147543-03 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0025556-56 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2006.05.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0304420-61 |
| 7 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.07.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0536906-21 |
| 8 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0616146-93 |
| 9 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.09.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0690726-88 |
| 10 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0762062-92 |
| 11 | 지정기간연장신청서 Request for Extension of Designated Period |
2006.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0859216-78 |
| 12 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2006.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0963395-94 |
| 13 | 의견서 Written Opinion |
2006.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0963325-19 |
| 14 | 대리인사임신고서 Notification of resignation of agent |
2007.02.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0144903-91 |
| 15 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2007.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0204658-31 |
| 16 | 명세서등보정서 Amendment to Description, etc. |
2007.06.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0415250-64 |
| 17 | 의견서 Written Opinion |
2007.06.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0415254-46 |
| 18 | 등록결정서 Decision to grant |
2007.08.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0474253-64 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 (a) 투명기판 상에 인접하고 있는 상호간 소정의 간격으로 이격되도록 패터닝된 투명전극을 형성하는 단계; (b) 상기 (a)단계에 의한 기판 위에 태양전지(반도체)층을 형성하는 단계;(c) 상기 태양전지(반도체)층 위에 금속을 비스듬히 증착하여 1차 금속이면전극을 형성하는 단계;(d) 상기 1차 금속이면전극을 마스크로 사용하여 상기 태양전지(반도체)층을 식각하는 단계; 및 (e) 상기 (d)단계에 의한 기판 위에 금속을 비스듬히 증착하여 상기 투명전극과 상기 1차 금속이면전극이 전기적으로 연결되도록 2차 금속이면전극을 형성하는 단계;를 포함하는, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 2 |
2 제1항에 있어서,상기 (a)단계는(a-1) 상기 기판 상에 박막의 투명전극층을 형성하는 단계;(a-2) 상기 투명전극층 위에 인쇄법을 이용하여 일정 거리 이격되게 포토레지스터(photoresister;PR) 또는 폴리머 띠를 도포하여 패턴을 이루는 단계;(a-3) 상기 도포된 포토레지스터 또는 폴리머 패턴을 마스크로 사용하여 상기 투명전극층을 에칭하는 단계; 및(a-4) 상기 포토레지스터 또는 폴리머 패턴을 제거하는 단계;를 포함하는, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 3 |
3 제2항에 있어서,상기 투명전극층은 산화아연(Zinc Oxide (ZnO)), 산화주석(Tin Oxide (SnO2)) 또는 산화인듐주석(Indium Tin Oxide (ITO)) 중 하나 이상을 이용한, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 4 |
4 제2항에 있어서,상기 (a-3)단계에서 상기 투명전극층은 등방성 식각법으로 에칭되고,상기 에칭된 단면이 만곡하게 경사진, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 5 |
5 제2항에 있어서,상기 (a-3)단계에서 상기 투명전극층은 메사(mesa) 에칭되고,상기 에칭된 단면이 경사진, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 6 |
6 제2항에 있어서,상기 (a-3)단계에서 상기 투명전극층은 이방성 식각법을 이용하여 상기 기판에 대해 수직 방향으로 에칭되는, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 7 |
7 제4항 또는 제5항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 태양전지(반도체)층을 수직 방향으로 에칭하는, 집적형 박막 태양전지의 제조방법 |
| 8 |
8 제6항에 있어서,상기 (d) 단계에서 상기 태양전지(반도체)층을 경사진 방향으로 경사 에칭하는, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 9 |
9 제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서 상기 금속은 전자빔 증착 또는 열 증착되고,상기 증착으로 단위소자들이 전기적으로 직렬 연결되는, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 10 |
10 제1항에 있어서,상기 태양전지층은 실리콘계 박막 태양전지, 화합물계 박막 태양전지, 유기물계 태양전지, 건식 염료 감응형 태양전지 중 어느 하나 이상을 이용한, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 11 |
11 제10항에 있어서, 상기 실리콘계 박막 태양전지는 비정질 실리콘 단일접합 태양전지(amorphous silicon(a-Si:H) single junction solar cell), 비정질 실리콘 다중접합 태양전지(a-Si:H/a-Si:H, a-Si:H/a-Si:H/a-Si:H multi-junction solar cell), 비정질 실리콘게르마늄 단일접합 태양전지(amorphous silicon-germanium(a-SiGe:H) single junction solar cell), 비정질 실리콘/비정질 실리콘게르마늄 이중접합 태양전지(a-Si:H/a-SiGe:H double junction solar cell), 비정질 실리콘/비정질 실리콘게르S마늄/비정질 실리콘게르마늄 삼중접합 태양전지(a-Si:H/a-SiGe:H/a-SiGe:H triple junction solar cell), 비정질 실리콘/마이크로결정 실리콘(다결정 실리콘) 이중접합 태양전지(amorphous silicon/microcrystalline(poly) silicon double junction solar cell) 중 어느 하나를 이용한, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 12 |
12 제1항에 있어서,상기 1차 및 2차 금속이면전극은 은(Ag), 알루미늄(Al), 또는 금(Au) 중 어느 하나 이상을 이용한, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 13 |
13 제12항에 있어서, 상기 1차 및 2차 금속이면전극은 상호 동일한 금속이거나 다른 금속인, 집적형 박막 태양전지의 제조 방법 |
| 14 |
14 제1항의 집적형 박막 태양전지의 제조 방법에 의해 단위 소자간 직렬 연결로 모듈화된, 집적형 박막 태양전지 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN101142690 | CN | 중국 | FAMILY |
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| 8 | WO2006107154 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | CN100570903 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | CN101142690 | CN | 중국 | DOCDBFAMILY |
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| 7 | US7927497 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0756286-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20050316 출원 번호 : 1020050021895 공고 연월일 : 20070906 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070830 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 31/0224 발명의 명칭 : 집적형 박막 태양전지 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20140901 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
| 2 |
(권리자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
| 2 |
(의무자) 한국과학기술원 대전 유성구... |
| 3 |
(의무자) (재)연구개발특구진흥재단 대전광역시 유성구... |
| 3 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 418,500 원 | 2007년 09월 03일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2010년 08월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2011년 07월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 348,000 원 | 2012년 07월 30일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 632,000 원 | 2012년 08월 24일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 특허출원서 | 2005.03.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0138441-33 |
| 2 | 서지사항보정서 | 2005.03.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2005-0141532-61 |
| 3 | 명세서등보정서 | 2005.03.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2005-0147543-03 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2006.03.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2006.04.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2006-0025556-56 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2006.05.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2006-0304420-61 |
| 7 | 지정기간연장신청서 | 2006.07.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0536906-21 |
| 8 | 지정기간연장신청서 | 2006.08.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0616146-93 |
| 9 | 지정기간연장신청서 | 2006.09.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0690726-88 |
| 10 | 지정기간연장신청서 | 2006.10.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0762062-92 |
| 11 | 지정기간연장신청서 | 2006.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0859216-78 |
| 12 | 명세서등보정서 | 2006.12.26 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2006-0963395-94 |
| 13 | 의견서 | 2006.12.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2006-0963325-19 |
| 14 | 대리인사임신고서 | 2007.02.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0144903-91 |
| 15 | 의견제출통지서 | 2007.04.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0204658-31 |
| 16 | 명세서등보정서 | 2007.06.08 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2007-0415250-64 |
| 17 | 의견서 | 2007.06.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2007-0415254-46 |
| 18 | 등록결정서 | 2007.08.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2007-0474253-64 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 22 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 23 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 24 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 25 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014053446 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 경북기술이전센터 |
| 기술명 | 집적형 박막 태양전지 |
| 기술개요 |
본 발명은 집적형 태양전지의 제조 공정시 발생되는 면적손실을 최소화하고 저가의 공정으로도 가능한 집적형 박막 실리콘 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.이러한 본 발명에 따른 집적형 박막 태양전지의 제조방법은 (a) 투명기판 상에 인접하고 있는 상호간 소정의 간격으로 이격되도록 패터닝된 투명전극을 형성하는 단계와, (b) 상기 (a)단계에 의한 기판 위에 태양전지(반도체)층을 형성하는 단계와, (c) 상기 태양전지(반도체)층 위에 금속을 비스듬히 증착하여 1차 금속이면전극을 형성하는 단계와, (d) 상기 1차 금속이면전극을 마스크로 사용하여 상기 태양전지(반도체)층을 식각하는 단계 및 (e) 상기 (d)단계에 의한 기판 위에 금속을 비스듬히 증착하여 상기 투명전극과 상기 1차 금속이면전극이 전기적으로 연결되도록 2차 금속이면전극을 형성하는 단계를 포함한다.이러한 본 발명에 따르면, 집적형 박막 태양전지의 단위 소자간 절연 간격을 기존에 비해 수십 배 내지 수백 배 이상 줄일 수 있어 태양전지의 유효 면적을 극대화할 수 있으며, 자기 정렬이 가능하여 정확한 위치제어장치가 불필요하고, 투명전극 형성 후의 모든 공정이 진공 중에서 수행되기 때문에 대기 상태에 노출됨에 따른 태양전지 모듈의 성능 저하를 방지할 수 있는 효과가 있다. 집적형 박막 태양전지, 모듈화, 투명전극, 금속이면전극, 경사에칭 |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 태양광 발전, 태양광 주택, 태양광 충전기, 태양광 자동차 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1340011610 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A1610 |
| 연구과제명 | 정보기술사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200603~201202 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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