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저항변화기록소자, 상전이기록소자, 저항변화 랜덤 액세스메모리와 그 정보판독방법 및 상전이 랜덤 액세스 메모리와그 정보판독방법
- 기술번호 : KST2015134919
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 저항변화기록소자, 상전이기록소자, 저항변화 랜덤 액세스 메모리와 그 정보판독방법 및 상전이 랜덤 액세스 메모리와 그 정보판독방법이 개시된다. 본 발명에 따른 저항변화 랜덤 액세스 메모리는 행 및 열로 정렬되는 저항변화기록소자의 어레이를 이룬다. 이 저항변화기록소자는 열의 배열 방향을 따라 소스 영역과 드레인 영역이 형성되며, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역이 형성되어 있는 기판과 채널 영역 상에 열의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 비트 라인을 구비한다. 그리고 비트 라인 상에 형성되며, 전기적 신호에 의해 저항이 변화되는 물질로 이루어진 저항변화층과 저항변화층 상에 행의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 워드 라인을 구비한다. 그리고 각각의 저항변화기록소자는 열의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자와 소스 영역, 드레인 영역 및 비트 라인을 공유하고, 행의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자와 워드 라인을 공유하여 어레이를 이룬다. 본 발명에 따른 저항변화 랜덤 액세스 메모리와 상전이 랜덤 액세스 메모리는 정보 기록과 정보 판독에 이용되는 부분이 분리되어 있어서, 정보 판독시 인접 소자에 의한 영향을 받지 않게 되어 오독의 우려가 없어지게 된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080066120 (2008.07.08) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1001304-0000 (2010.12.08) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0005986 (2010.01.18) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101214) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.07.08) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황철성 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
| 2 | 박태주 | 대한민국 | 서울 중랑구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
| 2 | 박보경 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.07.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0492042-47 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2008.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0864746-41 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.02.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0014012-12 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.06.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0257039-14 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0524884-17 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0524906-23 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.12.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0559293-99 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 채널 영역 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 비트 라인; 상기 비트 라인 상에 형성되고, 전기적 신호에 의해 전기 저항이 변화하는 물질로 이루어진 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 워드 라인;을 포함하고, 상기 비트 라인은 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 상기 워드 라인은 상기 비트 라인 형성 방향과 직교하는 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 채널 영역과 상기 비트 라인 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화기록소자 |
| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 채널 영역 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 비트 라인; 상기 비트 라인 상에 형성되고, 전기적 신호에 의해 상(phase)이 전이되는 물질로 이루어진 상전이층; 및 상기 상전이층 상에 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 워드 라인;을 포함하고, 상기 비트 라인은 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 상기 워드 라인은 상기 비트 라인 형성 방향과 직교하는 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 상전이기록소자 |
| 5 |
5 제4항에 있어서, 상기 채널 영역과 상기 비트 라인 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상전이기록소자 |
| 6 |
6 삭제 |
| 7 |
7 행 및 열로 정렬되는 저항변화기록소자의 어레이로 이루어진 저항변화 랜덤 액세스 메모리로서, 상기 저항변화기록소자는, 열의 배열 방향을 따라 소스 영역과 드레인 영역이 형성되며, 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 채널 영역 상에 열의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 비트 라인; 상기 비트 라인 상에 형성되며, 전기적 신호에 의해 저항이 변화되는 물질로 이루어진 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 행의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 워드 라인;을 포함하고, 상기 각각의 저항변화기록소자는 열의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자와 상기 소스 영역, 드레인 영역 및 비트 라인을 공유하고, 행의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자와 상기 워드 라인을 공유하여 어레이를 이루고 있는 저항변화 랜덤 액세스 메모리 |
| 8 |
8 제7항에 있어서, 상기 저항변화기록소자에 구비된 소스 영역과 행의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역은 서로 전기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리 |
| 9 |
9 제7항에 있어서, 상기 저항변화기록소자에 구비된 소스 영역과 행의 배열 방향으로 인접한 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역은 일체로 형성되어 서로 공유하고 있는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리 |
| 10 |
10 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항변화기록소자는 상기 채널 영역과 상기 비트 라인 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리 |
| 11 |
11 제8항에 기재되어 있는 저항변화 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 상기 저항변화기록소자에 구비된 저항변화층이 셋 상태일 때를 "1"로, 상기 저항변화기록소자에 구비된 저항변화층이 리셋 상태일 때를 "0"으로 할당하는 단계; 정보를 판독하고자 선택된 저항변화기록소자에 구비된 소스 영역에 인가되는 전압을 기준으로 하여, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 워드 라인과 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 비트 라인에 게이트 전압을 인가하고, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역에 드레인 전압을 인가하며, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 비트 라인과 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 워드 라인은 플로팅시키는 단계; 및 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역에 흐르는 전류를 측정하여, 상기 선택된 저항변화기록소자에 할당된 "0" 또는 "1"을 판독하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 12 |
12 제11항에 있어서, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 소스 영역에 기준 전압을 인가하고, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 드레인 영역은 플로팅시키는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 13 |
13 제9항에 기재되어 있는 저항변화 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 상기 저항변화기록소자에 구비된 저항변화층이 셋 상태일 때를 "1"로, 상기 저항변화기록소자에 구비된 저항변화층이 리셋 상태일 때를 "0"으로 할당하는 단계; 정보를 판독하고자 선택된 저항변화기록소자에 구비된 소스 영역에 인가되는 전압을 기준으로 하여, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 워드 라인과 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 비트 라인에 게이트 전압을 인가하고, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역과 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역을 소스 영역으로 공유하고 있는 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역에 드레인 전압을 인가하며, 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 비트 라인과 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비되지 않은 워드 라인은 플로팅시키는 단계; 및 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역에 흐르는 전류를 측정하여, 상기 선택된 저항변화기록소자에 할당된 "0" 또는 "1"을 판독하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 14 |
14 제13항에 있어서, 상기 선택된 저항변화기록소자 및 상기 선택된 저항변화기록소자에 구비된 드레인 영역을 소스 영역으로 공유하고 있는 저항변화기록소자에 구비되지 않은 소스 영역 및 드레인 영역은 플로팅시키는 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 15 |
15 제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전압과 상기 드레인 전압의 차이는 상기 저항변화층을 셋 상태에서 리셋 상태로 변경시키는 리셋 전압보다 작은 것을 특징으로 하는 저항변화 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 16 |
16 행 및 열로 정렬되는 상전이기록소자의 어레이로 이루어진 상전이 랜덤 액세스 메모리로서, 상기 상전이기록소자는, 열의 배열 방향을 따라 소스 영역과 드레인 영역이 형성되며, 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 채널 영역이 형성되어 있는 기판; 상기 채널 영역 상에 열의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 비트 라인; 상기 비트 라인 상에 형성되며, 전기적 신호에 의해 상이 전이되는 물질로 이루어진 상전이층; 및 상기 상전이층 상에 행의 배열 방향을 따라 길게 뻗은 형상으로 형성되고, 전도성 물질로 이루어진 워드 라인;을 포함하고, 상기 각각의 상전이기록소자는 열의 배열 방향으로 인접한 상전이기록소자와 상기 소스 영역, 드레인 영역 및 비트 라인을 공유하고, 행의 배열 방향으로 인접한 상전이기록소자와 상기 워드 라인을 공유하여 어레이를 이루고 있는 상전이 랜덤 액세스 메모리 |
| 17 |
17 제16항에 있어서, 상기 상전이기록소자에 구비된 소스 영역과 행의 배열 방향으로 인접한 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역은 서로 전기적으로 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리 |
| 18 |
18 제16항에 있어서, 상기 상전이기록소자에 구비된 소스 영역과 행의 배열 방향으로 인접한 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역은 일체로 형성되어 서로 공유하고 있는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리 |
| 19 |
19 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상전이기록소자는 상기 채널 영역과 상기 비트 라인 사이에 형성된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리 |
| 20 |
20 제17항에 기재되어 있는 상전이 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 상기 상전이기록소자에 구비된 상전이층이 셋 상태일 때를 "1"로, 상기 상전이기록소자에 구비된 상전이층이 리셋 상태일 때를 "0"으로 할당하는 단계; 정보를 판독하고자 선택된 상전이기록소자에 구비된 소스 영역에 인가되는 전압을 기준으로 하여, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 워드 라인과 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 비트 라인에 게이트 전압을 인가하고, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역에 드레인 전압을 인가하며, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 비트 라인과 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 워드 라인은 플로팅시키는 단계; 및 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역에 흐르는 전류를 측정하여, 상기 선택된 상전이기록소자에 할당된 "0" 또는 "1"을 판독하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 21 |
21 제20항에 있어서, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 소스 영역에 기준 전압을 인가하고, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 드레인 영역은 플로팅시키는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 22 |
22 제18항에 기재되어 있는 상전이 랜덤 액세스 메모리를 준비하는 단계; 상기 상전이기록소자에 구비된 상전이층이 셋 상태일 때를 "1"로, 상기 상전이기록소자에 구비된 상전이층이 리셋 상태일 때를 "0"으로 할당하는 단계; 정보를 판독하고자 선택된 상전이기록소자에 구비된 소스 영역에 인가되는 전압을 기준으로 하여, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 워드 라인과 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 비트 라인에 게이트 전압을 인가하고, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역과 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역을 소스 영역으로 공유하고 있는 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역에 드레인 전압을 인가하며, 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 비트 라인과 상기 선택된 상전이기록소자에 구비되지 않은 워드 라인은 플로팅시키는 단계; 및 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역에 흐르는 전류를 측정하여, 상기 선택된 상전이기록소자에 할당된 "0" 또는 "1"을 판독하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 23 |
23 제22항에 있어서, 상기 선택된 상전이기록소자 및 상기 선택된 상전이기록소자에 구비된 드레인 영역을 소스 영역으로 공유하고 있는 상전이기록소자에 구비되지 않은 소스 영역 및 드레인 영역은 플로팅시키는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 24 |
24 제20항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 게이트 전압과 상기 드레인 전압은, 상기 상전이층에 흐르는 전류가 상기 상전이층을 셋 상태에서 리셋 상태로 변경시키는 리셋 전류보다 작게 되도록 설정되는 것을 특징으로 하는 상전이 랜덤 액세스 메모리의 정보판독방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08023318 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100008132 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010008132 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8023318 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1001304-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080708 출원 번호 : 1020080066120 공고 연월일 : 20101214 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101204 청구범위의 항수 : 22 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 저항변화기록소자, 상전이기록소자, 저항변화 랜덤 액세스메모리와 그 정보판독방법 및 상전이 랜덤 액세스 메모리와그 정보판독방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2010년 12월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 524,000 원 | 2013년 12월 03일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2014년 11월 28일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 936,000 원 | 2016년 02월 22일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 655,200 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 725,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.07.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0492042-47 |
| 2 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2008.12.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0864746-41 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.02.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2010.03.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0014012-12 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2010.06.17 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0257039-14 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0524884-17 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.16 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0524906-23 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.12.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0559293-99 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345071055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1415106941 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200708~201107 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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