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수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2015135028
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 본 발명은 선택 다이오드를 구비하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 수직형 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 형성되며, 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층되어 있는 전도체-절연체 수평 구조물을 구비한다. 그리고 전도체-절연체 수평 구조물의 일측에 배치되며, 메모리 특성을 나타내는 물질로 이루어진 메모리층을 구비한다. 그리고 전도체-절연체 수평 구조물과의 사이에 메모리층이 배치되도록 메모리층의 일측에 배치되며, 독립 전도층과 독립 절연층이 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 독립 전도체-절연체 구조물과 기판 상에 형성되어 있는 수직 분리막이 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 복합 전도체-절연체 구조물을 구비한다. 그리고 메모리층과의 사이에 복합 전도체-절연체 구조물이 배치되도록 복합 전도체-절연체 구조물의 일측에 배치되는 선택 다이오드를 구비한다. 그리고 복합 전도체-절연체 구조물과의 사이에 선택 다이오드가 배치되도록 선택 다이오드의 일측에 배치되며, 기판 상에 형성되어 있는 수직 전도막과 기판 상에 형성되어 있는 수직 절연막이 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 전도체-절연체 수직 구조물을 구비한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) H01L 27/2463(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080136747 (2008.12.30) |
| 출원인 | 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0998256-0000 (2010.11.29) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0078472 (2010.07.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101203) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.12.30) |
| 심사청구항수 | 23 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 황철성 | 대한민국 | 경기 성남시 분당구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
| 2 | 박보경 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0904374-98 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2009.01.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0002728-73 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.01.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0031175-11 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.08.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.09.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0058374-33 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0480053-18 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0756412-11 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.11.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0756417-38 |
| 9 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0532289-39 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판 상에 형성되며, 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층되어 있는 전도체-절연체 수평 구조물; 상기 전도체-절연체 수평 구조물의 일측에 형성되며, 메모리 특성을 나타내는 물질로 이루어진 메모리층; 상기 전도체-절연체 수평 구조물과의 사이에 상기 메모리층이 배치되도록 상기 메모리층의 일측에 형성되며, 독립 전도층과 독립 절연층이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 독립 전도체-절연체 구조물과 상기 기판 상에 형성되어 있는 수직 분리막이 상기 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 복합 전도체-절연체 구조물; 상기 메모리층과의 사이에 상기 복합 전도체-절연체 구조물이 배치되도록 상기 복합 전도체-절연체 구조물의 일측에 형성되는 선택 다이오드; 및 상기 복합 전도체-절연체 구조물과의 사이에 상기 선택 다이오드가 배치되도록 상기 선택 다이오드의 일측에 형성되며, 상기 기판 상에 형성되어 있는 수직 전도막과 상기 기판 상에 형성되어 있는 수직 절연막이 상기 수평 전도층의 형성 방향으로 교번적으로 배치되는 전도체-절연체 수직 구조물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 2 |
2 제1항에 있어서, 상기 전도체-절연체 수평 구조물에 구비된 수평 전도층의 개수와 상기 독립 전도체-절연체 구조물에 구비된 독립 전도층의 개수는 동일하고, 상기 복합 전도체-절연체 구조물에 구비된 독립 전도체-절연체 구조물의 개수와 상기 전도체-절연체 수직 구조물에 구비된 수직 전도막의 개수는 동일한 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 3 |
3 제2항에 있어서, 상기 전도체-절연체 수평 구조물은 상기 수평 전도층과 상기 수평 절연층의 순서로 적층되어 형성되고, 상기 독립 전도체-절연체 구조물은 상기 독립 전도층과 상기 독립 절연층의 순서로 적층되어 형성되며, 상기 메모리층을 사이에 두고 서로 마주보는 각각의 수평 전도층과 독립 전도층의 두께는 동일하고, 상기 메모리층을 사이에 두고 서로 마주보는 각각의 수평 절연층과 독립 절연층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 4 |
4 제2항에 있어서, 상기 독립 전도체-절연체 구조물과 상기 수직 전도막 각각은 상기 선택 다이오드를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되며, 상기 독립 전도체-절연체 구조물과 상기 수직 전도막 각각의 상기 수평 전도층의 형성 방향으로의 길이는 모두 동일하고, 상기 수직 절연막과 상기 수직 분리막 각각의 상기 수평 전도층의 형성 방향으로의 길이는 모두 동일한 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 5 |
5 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택 다이오드는 p-n 접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 6 |
6 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택 다이오드는, 상기 복합 전도체-절연체 구조물의 일측에 형성되고, 상기 복합 전도체-절연체 구조물에 구비된 독립 전도층과 쇼트키 접합을 이루며, 반도체 물질로 이루어진 반도체층과, 상기 반도체층과 상기 전도체-절연체 수직 구조물 사이에 형성되고, 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루며, 전도성 물질로 이루어진 오믹 접합층을 구비하는 쇼트키 접합 다이오드인 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 7 |
7 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리층을 이루는 물질은 전기적 신호에 의해 전기저항이 변화하는 저항변화 물질, 상(phase)이 변화하는 상전이 물질 및 잔류분극(remanent polarization)이 변화하는 강유전 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 8 |
8 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리층은 전이금속 산화물로 이루어지고, 상기 선택 다이오드는 일부가 환원된 전이금속 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 9 |
9 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 선택 다이오드와의 사이에 상기 전도체-절연체 수직 구조물이 배치되도록 상기 전도체-절연체 수직 구조물의 일측에 형성되며, 절연 물질로 이루어진 보호 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 |
| 10 |
10 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이에 p형 반도체층과 n형 반도체층을 형성시켜, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 p-n 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여 수직 전도층을 형성하는 단계; 상기 수직 전도층이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 복수 개의 수직 전도막으로 분리되고, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 수직 전도층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 및 상기 수직 전도층이 식각된 부분과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 각각 절연 물질을 갭-필 하여, 상기 수직 전도막들 사이에 수직 절연막을 형성하고, 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 11 |
11 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이에 p형 반도체층과 n형 반도체층을 형성시켜, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 p-n 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 수직 절연층을 형성하는 단계; 상기 수직 절연층이 상기 수평 전도층의 형성방향을 따라 복수 개의 수직 절연막으로 분리되도록, 상기 수직 절연층을 식각하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라, 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 상기 수직 절연층이 식각된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여, 상기 수직 절연막들 사이에 수직 전도막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 12 |
12 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이에, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물에 구비된 수평 전도층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층을 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 접촉되도록 형성시키고, 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루는 오믹 접합층을 상기 반도체층과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물과 접촉되도록 형성시켜, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 쇼트키 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여 수직 전도층을 형성하는 단계; 상기 수직 전도층이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 복수 개의 수직 전도막으로 분리되고, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 수직 전도층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 및 상기 수직 전도층이 식각된 부분과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 각각 절연 물질을 갭-필 하여, 상기 수직 전도막들 사이에 수직 절연막을 형성하고, 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 13 |
13 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이에, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물에 구비된 수평 전도층과 쇼트키 접합을 이루는 반도체층을 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 접촉되도록 형성시키고, 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루는 오믹 접합층을 상기 반도체층과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물과 접촉되도록 형성시켜, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 쇼트키 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 수직 절연층을 형성하는 단계; 상기 수직 절연층이 상기 수평 전도층의 형성방향을 따라 복수 개의 수직 절연막으로 분리되도록, 상기 수직 절연층을 식각하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라, 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 상기 수직 절연층이 식각된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여, 상기 수직 절연막들 사이에 수직 전도막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 14 |
14 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 절연 물질로 갭-필하여, 다이오드용 절연막을 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 다이오드용 절연막 일부를 환원시켜, 쇼트키 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여 수직 전도층을 형성하는 단계; 상기 수직 전도층이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 복수 개의 수직 전도막으로 분리되고, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 수직 전도층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 및 상기 수직 전도층이 식각된 부분과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 각각 절연 물질을 갭-필 하여, 상기 수직 전도막들 사이에 수직 절연막을 형성하고, 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 15 |
15 기판 상에 하나 이상의 전도층과 하나 이상의 절연층을 교번적으로 증착하여 전도체-절연체 복합층을 형성하는 단계; 상기 전도체-절연체 복합층이 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 전도층과 상기 수평 전도층의 형성 방향과 동일한 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된 수평 절연층이 교번적으로 적층된 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물로 분리되도록, 상기 전도체-절연체 복합층을 적층방향으로 식각하는 단계; 상기 복수 개의 전도체-절연체 수평 구조물에 있어서, 인접한 세 개의 전도체-절연체 수평 구조물 중 가운데에 배치된 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 일측방에 배치된 제2 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 메모리 특성을 나타내는 물질로 갭-필하여, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제2 전도체-절연체 수평 구조물 사이에 메모리층을 형성하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물의 타측방에 배치된 제3 전도체-절연체 수평 구조물의 사이를 절연 물질로 갭-필하여, 다이오드용 절연막을 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물을 제거하는 단계; 상기 다이오드용 절연막 일부를 환원시켜, 쇼트키 접합 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제3 전도체-절연체 수평 구조물이 제거된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 수직 절연층을 형성하는 단계; 상기 수직 절연층이 상기 수평 전도층의 형성방향을 따라 복수 개의 수직 절연막으로 분리되도록, 상기 수직 절연층을 식각하는 단계; 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 상기 수평 전도층의 형성 방향을 따라, 독립 전도물과 독립 절연물이 상기 기판 상에 교번적으로 적층되어 있는 복수 개의 독립 전도체-절연체 구조물로 분리되도록, 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 단계; 상기 수직 절연층이 식각된 부분에 전도성 물질을 갭-필하여, 상기 수직 절연막들 사이에 수직 전도막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물이 식각된 부분에 절연 물질을 갭-필하여 상기 독립 전도체-절연체 구조물들 사이에 수직 분리막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 16 |
16 제10항, 제12항 또는 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수직 전도막 개수와 상기 독립 전도체-절연체 구조물의 개수가 동일하도록, 상기 수직 전도층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 17 |
17 제16항에 있어서, 상기 독립 전도체-절연체 구조물과 상기 수직 전도막 각각이 상기 다이오드를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되도록, 상기 수직 전도층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 18 |
18 제11항, 제13항 또는 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수직 전도막 개수와 상기 독립 전도체-절연체 구조물의 개수가 동일하도록, 상기 수직 절연층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 19 |
19 제18항에 있어서, 상기 독립 전도체-절연체 구조물과 상기 수직 전도막 각각이 상기 다이오드를 사이에 두고 서로 마주보게 배치되도록, 상기 수직 절연층과 상기 제1 전도체-절연체 수평 구조물을 식각하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 20 |
20 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리층을 이루는 물질은 전기적 신호에 의해 전기저항이 변화하는 저항변화 물질, 상(phase)이 변화하는 상전이 물질 및 잔류분극(remanent polarization)이 변화하는 강유전 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 21 |
21 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 메모리층을 이루는 물질과 상기 다이오드용 절연물은 전이금속 산화물인 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 22 |
22 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 다이오드용 절연물 일부를 환원시키는 단계는, 상기 다이오드용 절연 물을 환원성 분위기에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 23 |
23 제10항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수직 분리막을 형성하는 단계 이후에, 상기 수직 절연막과 수직 전도막의 외측에 절연 물질로 이루어진 보호 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 하이닉스 | 핵심기반기술사업 | 차세대 DRAM용 트랜지스터를 위한 게이트 적층구조공정개발 |
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| 특허 등록번호 | 10-0998256-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081230 출원 번호 : 1020080136747 공고 연월일 : 20101203 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101124 청구범위의 항수 : 23 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 471,000 원 | 2010년 11월 29일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 546,000 원 | 2013년 11월 06일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2014년 11월 19일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 382,200 원 | 2015년 10월 28일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 974,000 원 | 2016년 02월 19일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 681,800 원 | 2017년 10월 23일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 487,000 원 | 2018년 11월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 752,500 원 | 2019년 11월 01일 | 납입 |
| 제 11 년분 | 금 액 | 752,500 원 | 2020년 11월 18일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0904374-98 |
| 2 | 보정요구서 | 2009.01.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2009-0002728-73 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.01.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0031175-11 |
| 4 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.08.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 5 | 선행기술조사보고서 | 2010.09.14 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0058374-33 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2010.10.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0480053-18 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.11.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0756412-11 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.11.19 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0756417-38 |
| 9 | 등록결정서 | 2010.11.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0532289-39 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345141159 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-50170 |
| 연구과제명 | 분자제어 기술을 통한 전자 기능 박막 제조 및 특성 평가 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200907~201406 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415106941 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200708~201107 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345071055 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2003 |
| 연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 서울대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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