요약 | 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자가 개시된다. 본 발명에 따른 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자는 자성체로 이루어진 스핀파 도파로를 구비하며, 스핀파 도파로는 스핀파가 일 방향으로 진행되도록 가이드하며, 스핀파의 진행방향과 직교하는 방향의 단면의 형상, 면적 및 중심선 중 적어도 하나가 주기적으로 변화하는 마그노닉 결정부를 구비한다. 본 발명에 따르면, 동종의 자성체로 이루어진 스핀파 도파로를 이용하여 스핀파의 주파수 제어가 손쉽게 가능하게 된다. 스핀파, 마그노닉 결정, 주파수, 도파로, 주기 |
---|---|
Int. CL | H03H 2/00 (2006.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080049681 (2008.05.28) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0947582-0000 (2010.03.08) |
공개번호/일자 | 10-2009-0123542 (2009.12.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100315) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.05.28) |
심사청구항수 | 10 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김상국 | 대한민국 | 서울 관악구 |
2 | 이기석 | 대한민국 | 서울 관악구 |
3 | 한동수 | 대한민국 | 대전광역시 대덕구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
2 | 박보경 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0382007-57 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2008.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.01.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0005127-28 |
4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2009.02.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0062122-17 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0406657-47 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.11.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0699234-95 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0699214-82 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.02.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0064689-99 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 자성체로 이루어진 스핀파 도파로를 구비한 스핀파 소자에 있어서, 상기 스핀파 도파로는 스핀파가 일 방향으로 진행되도록 가이드하며, 스핀파의 진행방향과 직교하는 방향의 단면의 형상, 면적 및 중심선 중 적어도 하나가 주기적으로 변화하는 마그노닉 결정부를 구비하는 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 스핀파 도파로는 상기 마그노닉 결정부를 복수 개 구비하며, 상기 복수 개의 마그노닉 결정부는 스핀파의 진행방향을 따라 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
3 |
3 제2항에 있어서, 상기 복수 개의 마그노닉 결정부 중 적어도 두 개의 마그노닉 결정부는 한 주기에 해당하는 단위체의 구조가 서로 다른 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 마그노닉 결정부는 소정의 주파수 영역을 여과하기 위해 주기의 길이가 변화되는 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 스핀파 도파로는, 강자성체, 반강자성체, 페리자성체, 합금계 자성체, 산화물계 자성체, 호이슬러 합금계 자성체 및 자성 반도체 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 스핀파 도파로는 일 방향으로 길게 뻗은 평판 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 스핀파 도파로는 스핀파 진행방향과 직교하는 방향의 단면의 형상이 직사각형인 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 마그노닉 결정부는 상기 단면의 두께가 동일하고 너비가 다른 동종의 물질로 이루어진 두 개의 자성체가 스핀파 진행방향을 따라 일렬로 연결된 단위체가 주기적으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
9 |
9 제8항에 있어서, 상기 단면의 두께는 1 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
10 |
10 제8항에 있어서, 상기 단위체의 스핀파 진행방향으로의 길이가 5 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 스핀파 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US08487391 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20110102106 | US | 미국 | FAMILY |
3 | WO2009145579 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
4 | WO2009145579 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2011102106 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US8487391 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
3 | WO2009145579 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
4 | WO2009145579 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 과학기술부 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | R16:창의적연구진흥사업 | 스핀파 동역학-소자연구단(스핀파의 파동적 특성 및 이를이용한 스핀파 소자연구) |
특허 등록번호 | 10-0947582-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080528 출원 번호 : 1020080049681 공고 연월일 : 20100315 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100216 청구범위의 항수 : 10 유별 : H03H 2/00 발명의 명칭 : 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2010년 03월 09일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 312,000 원 | 2013년 04월 08일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 260,000 원 | 2014년 02월 28일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 182,000 원 | 2015년 02월 12일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 480,000 원 | 2016년 01월 22일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2017년 02월 24일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 336,000 원 | 2018년 02월 22일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 395,000 원 | 2019년 03월 04일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 395,000 원 | 2020년 03월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0382007-57 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2008.12.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.01.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0005127-28 |
4 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2009.02.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0062122-17 |
5 | 의견제출통지서 | 2009.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0406657-47 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.11.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0699234-95 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.11.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0699214-82 |
8 | 등록결정서 | 2010.02.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0064689-99 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345071055 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A2003 |
연구과제명 | 재료연구인력양성사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1345123981 |
---|---|
세부과제번호 | 2006-0050688 |
연구과제명 | 스핀파 동역학-소자 연구단 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200604~201502 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020100005676] | 주기적 유니폴라 펄스로 이루어진 회전 전류 또는 자기장을 이용한 자기기록소자의 정보기록방법 및 정보판독방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020080137408] | 마그네슘 합금의 성형성 증가 방법 | 새창보기 |
[1020080136747] | 수직형 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080128181] | 하이퍼브랜치 폴리머, 이를 포함하는 연료전지용 전극, 이를 포함하는 연료전지용 전해질막 및 이를 채용한 연료전지 | 새창보기 |
[1020080127262] | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080116395] | 강유전체, 그 제조방법, 및 그 강유전체를 포함하는 반도체캐패시터와 MEMS 디바이스 | 새창보기 |
[1020080110831] | 플라즈마 처리된 질화티타늄 전극을 이용하는 반도체 소자의 커패시터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080109060] | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020080107926] | 광전극 및 이의 형성 방법 | 새창보기 |
[1020080101727] | 에너지 퍼넬링 특성과 조절 가능한 분자량을 가지는 높은 형광성 1,2,4-결합 초분지 폴리(페닐렌비닐렌) 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080094502] | 비휘발성 기억소자 및 비휘발성 기억소자의 정보기록방법과정보판독방법 | 새창보기 |
[1020080091532] | 연속적 유효반지름 유도를 통한 구형 압입자의 불완전형상 보정방법 | 새창보기 |
[1020080090391] | 고결정성과 높은 수소 저장능을 가지는 질화탄소, 그 제조 방법 및 이를 이용한 수소 저장재 | 새창보기 |
[1020080089405] | 쵸크랄스키법을 이용한 단결정 제조 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020080088091] | 반도체 박막 구조 및 그 형성 방법 | 새창보기 |
[1020080079224] | 광전기화학전지의 작동 전극 제조 방법, 작동 전극 구조 및그 응용 | 새창보기 |
[1020080074076] | 전기전도성 금속복합자수사 및 이를 이용한 자수회로 | 새창보기 |
[1020080069723] | 생체활성 유리 조성물 및 이를 이용한 결정화 유리의제조방법 | 새창보기 |
[1020080068217] | 의료용 흡입헤드 | 새창보기 |
[1020080067918] | 광전기화학 전지의 작동 전극 및 이를 이용한 장치 | 새창보기 |
[1020080066120] | 저항변화기록소자, 상전이기록소자, 저항변화 랜덤 액세스메모리와 그 정보판독방법 및 상전이 랜덤 액세스 메모리와그 정보판독방법 | 새창보기 |
[1020080062805] | 연질 PVC 조성물 | 새창보기 |
[1020080049681] | 스핀파의 주파수 제어가 가능한 마그노닉 결정 스핀파 소자 | 새창보기 |
[1020080045062] | 규산아연계 형광체 제조 방법 | 새창보기 |
[1020080040821] | 저온 실리콘 질화물 형성방법 및 이 방법으로 형성된결정질 나노 도트를 포함하는 전하 트랩형 메모리 소자 및그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080033861] | 유기 발광 소자 | 새창보기 |
[1020080032637] | 다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080032636] | 응력유도 저온결정화를 이용한 비정질 실리콘 박막의결정화 방법 및 이를 이용한 다결정 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080030478] | 염료 감응형 태양전지용 복층구조 이산화티탄 전극 및 그제조방법과 이를 사용하여 제조된 염료 감응형 태양전지 | 새창보기 |
[1020080027202] | 다층 투명 전도막, 이의 제조 방법, 이를 이용한 태양전지, 물분해장치, 광촉매 장치 및 저방사 유리 | 새창보기 |
[1020080023843] | 저항변화기록소자에 이용되는 스위칭 다이오드 및 이를이용한 저항변화기록소자와 저항변화 랜덤 액세스 메모리 | 새창보기 |
[1020080016915] | 인산염계 수산화물의 삼차원 나노구조체 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080014138] | 표시장치용 투명전극, 표시장치 및 표시장치의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080010288] | 복합 음극 활물질, 이를 포함하는 음극 및 리튬 전지 | 새창보기 |
[1020080009815] | 음이온이 치환된 골 시멘트 | 새창보기 |
[1020080009265] | 텅스텐계 산화물을 이용한 가시광 응답형 광촉매 조성물 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080004837] | 고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020080004835] | 다결정 실리콘 태양전지의 광흡수층 제조방법, 이를 이용한고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080004497] | 다강성 비스무트 페라이트계 분말 합성방법 | 새창보기 |
[1020080002636] | 상변화 메모리 소자 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[1020080002327] | 인듐 나노와이어의 성장 방법 | 새창보기 |
[1020080001861] | 발광 다이오드 코팅 방법 | 새창보기 |
[1020080001229] | UV 나노임프린트 리소그라피용 몰드 및 UV나노임프린트 리소그라피용 몰드 제조를 위한 적층구조물 | 새창보기 |
[1020070114950] | 유기 발광 소자 | 새창보기 |
[1020070066775] | 유기 발광 소자 | 새창보기 |
[1020070045378] | 전기방사법을 이용한 폴리카보실란 부직포의 제조방법 및이를 이용한 탄화규소계 부직포의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020070031115] | 전기화학적 산화를 이용한 적층 전극의 제조 방법 및 염료감응 태양전지에의 적용 | 새창보기 |
[1020070016963] | 반도체의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치 | 새창보기 |
[1020070016923] | 반도체 및 패키지의 전기적 특성과 신뢰성 검사장치 | 새창보기 |
[1020070014139] | 태양 전지의 기전력을 이용한 광촉매 물 분해 수소에너지 제조방법 | 새창보기 |
[1020070010023] | 사이클로덱스트린 유도체를 도입한 가소제 조성물, 이를포함하는 가소제 유출 저감형 연질 PVC 조성물 및 그제조방법 | 새창보기 |
[1020060137429] | 반복 기록 및 삭제가 가능한 형광 메모리용 필름, 및 그필름을 이용한 비-손실 기록 판독 및 재생 방법 | 새창보기 |
[1020060094649] | 연료전지용 금속제 분리판 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020060076617] | 루테늄 전극과 이산화티탄 유전막을 이용하는 반도체소자의 커패시터 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[1020060057192] | 다층 구조를 가지는 2-2 압전 복합 초음파 발진자 및제조방법 | 새창보기 |
[1020060034258] | 다중 비트 상변화 메모리 소자의 단위 셀 | 새창보기 |
[1020050030925] | 이산화망간이 첨가된 피제트엔-피제트티 복합체 및 그의제조방법 | 새창보기 |
관련기술 정보가 없습니다 |
---|
심판사항 정보가 없습니다 |
---|