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금속 나노막대를 포함하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인, 그 제조 방법 및 이를 이용한 박막 트랜스듀서

  • 기술번호 : KST2014037232
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 트랜스듀서용 멤브레인, 그 제조방법 및 이를 포함하는 박막 트랜스듀서가 제공된다. 본 발명에 따른 박막 트랜스듀서용 멤브레인은 절연막; 상기 절연막 상에 적층된 금속막; 및 상기 금속막 상에 형성된 금속 나노막대를 포함하며, 여기에서 상기 금속 나노막대는 상기 멤브레인의 수평면을 기준으로 수직 배향된 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 27/22 (2006.01.01) G01L 9/12 (2006.01.01) C12Q 1/68 (2018.01.01)
CPC G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01) G01N 27/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100089482 (2010.09.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1213970-0000 (2012.12.13)
공개번호/일자 10-2012-0027725 (2012.03.22) 문서열기
공고번호/일자 (20121220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.13)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 정경한 대한민국 서울특별시 용산구
3 최준규 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0593407-58
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0085567-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0625750-99
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.01 수리 (Accepted) 9-1-2012-0043529-42
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0333682-82
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0609528-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0609529-19
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658186-25
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판과 소정 간격으로 이격된 멤브레인을 포함하며, 상기 멤브레인 표면에서의 물질결합에 따라 멤브레인이 변형되는 박막 트랜스듀서용 멤브레인에 있어서, 상기 멤브레인은절연막; 상기 절연막 상에 적층된 금속막; 및 상기 금속막 상에 형성된 금속 나노막대를 포함하며, 여기에서 상기 금속 나노막대는 상기 멤브레인의 수평면을 기준으로 수직 배향되고, 상기 금속 나노막대에는 탐침물질이 고정되며, 상기 탐침물질과 표적물질 간의 특이적 결합에 따라 상기 멤브레인이 변형되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
2 2
제 1항에 있어서,상기 금속막 및 금속 나노막대에는 생물학적 활성물질을 검출하기 위한 탐침물질이 고정된 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
3 3
제 2항에 있어서, 상기 생물학적 활성물질은 단일 스트랜드 DNA이며, 상기 금속막 및 금속 나노막대는 티올기로 기능화된 금을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
4 4
제 1항에 있어서, 상기 멤브레인의 변형은 전기적 방식 또는 광학 방식으로 검출되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
5 5
제 4항에 있어서, 상기 전기적 방식은 상기 금속막과 기판에 구비된 전극 사이의 거리 변화에 따른 정전용량 변화를 측정하는 방식인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
6 6
제 1항에 있어서, 상기 금속 나노막대는 상기 복수 개의 금속 나노막대로 이루어진 어레이 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인
7 7
멤브레인을 포함하는 박막 트랜스듀서에 있어서,기판; 및상기 기판과 소정 간격으로 이격되며, 금속막 및 상기 금속막 표면에 형성된 금속 나노막대를 포함하는 멤브레인을 포함하며, 여기에서 상기 금속 나노막대는 상기 멤브레인의 수평면을 기준으로 수직 배향되고, 상기 금속 나노막대에는 탐침물질이 결합하며, 상기 탐침물질과 표적물질 간의 특이적 결합에 따라 상기 멤브레인은 변형되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
8 8
삭제
9 9
제 7항에 있어서, 상기 기판은 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
10 10
제 7항에 있어서, 상기 탐침물질은 생물학적 활성물질로서, DNA인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
11 11
제 10항에 있어서, 상기 금속막 및 금속 나노막대는 금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서
12 12
기판, 상기 기판과 소정 간격으로 이격된 멤브레인을 포함하며, 상기 멤브레인 표면에서의 물질결합에 따라 멤브레인이 변형되는 박막 트랜스듀서용 멤브레인의 제조방법에 있어서, 상기 멤브레인은 순차적으로 적층된 절연막, 금속막 및 금속 나노막대로 이루어지며, 상기 방법은 절연막상에 금속막을 적층하는 단계; 상기 적층된 금속막상에 알루미늄층을 적층하는 단계;상기 알루미늄층을 양극산화시켜 나노포어가 형성된 알루미늄 산화층을 형성시키는 단계; 상기 나노포어가 형성된 알루미늄 산화층을 포함하는 멤브레인을 금속이온이 함유된 용액에 침지시킨 후, 전압을 인가하여, 상기 나노포어 내부에 금속 나노막대를 성장시키는 단계; 및 상기 알루미늄 산화층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인의 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 금속은 금인 것을 특징으로 하는 박막 트랜스듀서용 멤브레인의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업 CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발