요약 | 본 발명은 불균일한 표면요철부를 갖는 나노(nano) 스케일의 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | B82B 3/00 (2017.01.01) C23F 1/00 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01) |
CPC | B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020100040197 (2010.04.29) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1213969-0000 (2012.12.13) |
공개번호/일자 | 10-2011-0120676 (2011.11.04) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121220) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2010.04.29) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이정훈 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
2 | 김윤호 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
3 | 이성준 | 대한민국 | 경상남도 김해시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0279111-62 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2010.05.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0042090-93 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.05.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0309818-71 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0104684-68 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.04.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0323382-64 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.05.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0407550-86 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0494405-92 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.06.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0494406-37 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0658835-59 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 불균일한 표면요철부를 갖는 나노(nano) 스케일의 구조물을 제조하는 방법에 있어서,기판(substrate)의 표면에 산화층(oxidation layer)을 형성하는 제1 단계와,상기 산화층의 상측에 다결정 실리콘 구조물을 형성하는 제2 단계와,상기 다결정 실리콘 구조물의 상측에 다공성 고분자층을 형성하는 제3 단계와,식각(etching) 공정을 통해 상기 다결정 실리콘 구조물에 불균일한 표면요철부를 형성하는 제4 단계를 포함하는,불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 |
2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 제1 단계에서 사용되는 기판은 실리콘 웨이퍼인,불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 |
3 |
3 삭제 |
4 |
4 삭제 |
5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계에서 사용되는 다공성 고분자는 PDMS인, 불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 |
6 |
6 청구항 1에 있어서, 상기 제3 단계에서 상기 다공성 고분자층은 코팅 방식으로 형성되는, 불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 |
7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 제4 단계에서 상기 식각 공정은 XeF2를 이용하는, 불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 한국과학재단/한국과학재단 | 서울대학교 산학협력단/서울대학교 산학협력단 | 미래유망 융합기술 파이오니아사업/도약 연구과제(구 NRL 국가지정 연구실) | CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발/MEMS 및 RF기술을 이용한 FORCE 센서개발 |
특허 등록번호 | 10-1213969-0000 |
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표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20100429 출원 번호 : 1020100040197 공고 연월일 : 20121220 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121031 청구범위의 항수 : 5 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 불균일한 표면요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2012년 12월 14일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2015년 11월 26일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2016년 02월 22일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 105,000 원 | 2017년 11월 24일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2018년 12월 03일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 145,000 원 | 2019년 12월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.04.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0279111-62 |
2 | 보정요구서 | 2010.05.10 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0042090-93 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.05.14 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0309818-71 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
5 | 의견제출통지서 | 2012.02.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0104684-68 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.04.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0323382-64 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.05.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0407550-86 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0494405-92 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.06.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0494406-37 |
10 | 등록결정서 | 2012.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0658835-59 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345135351 |
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세부과제번호 | 2007-0055844 |
연구과제명 | MEMS 및 RF 기술을 이용한 FORCE 센서 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345135451 |
---|---|
세부과제번호 | 2008-2000200 |
연구과제명 | 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200807~201402 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415085387 |
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세부과제번호 | B0000180 |
연구과제명 | 하이브리드자동차(HEV) 파워트레인/NVH시스템 기반구축 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200409~200908 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
과제고유번호 | 1345099880 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0055844 |
연구과제명 | MEMS및RF기술을이용한FORCE센서개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2009 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415125600 |
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세부과제번호 | 3-7 |
연구과제명 | 지능로봇용 MEMS 기반 전자후각 센서의 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200604~201303 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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