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불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법

  • 기술번호 : KST2016001224
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노(nano) 스케일의 구조물을 제조하는 방법에 관한 것이다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) C23F 1/00 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01) B82B 3/0038(2013.01)
출원번호/일자 1020100040196 (2010.04.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1213973-0000 (2012.12.13)
공개번호/일자 10-2011-0120675 (2011.11.04) 문서열기
공고번호/일자 (20121220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.29)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 김윤호 대한민국 서울특별시 관악구
3 이성준 대한민국 경상남도 김해시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0279109-70
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0042111-64
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0309817-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0104683-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0323381-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0407549-39
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0494403-01
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0494404-46
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0732115-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노(nano) 스케일의 구조물을 제조하는 방법에 있어서,기판(substrate)의 표면에 산화층(oxidation layer)을 형성하는 제1 단계와,상기 산화층의 상측에 불순물을 첨가하면서 다결정 실리콘 구조물을 형성하는 제2 단계와,식각(etching) 공정을 통해 상기 다결정 실리콘 구조물에 표면 요철부를 형성하는 제3 단계를 포함하는,불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법
2 2
삭제
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 단계에서 사용되는 기판은 실리콘 웨이퍼인,불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제3 단계에서 상기 식각 공정은 XeF2를 이용하는, 불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제2 단계에서 첨가하는 상기 불순물은 질소 기체인, 불순물을 이용한 표면 요철부를 갖는 나노 스케일의 구조물 제조 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단/한국과학재단 서울대학교 산학협력단/서울대학교 산학협력단 미래유망 융합기술 파이오니아사업/도약 연구과제(구 NRL 국가지정 연구실) CMOS 분자 이미지 프로세서 개발 융합연구단 나노박막을 이용한 화학기계변환시스템 개발/MEMS 및 RF기술을 이용한 FORCE 센서개발