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나노 기공을 가진 멤브레인의 제작 방법 및 이를 이용한 랩온어칩

  • 기술번호 : KST2014036942
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이오칩을 포함하는 랩온어칩에서 사용되는 나노 기공을 가진 멤브레인을 제작하는 방법 및 이러한 멤브레인을 포함하는 랩온어칩에 관한 것이다. 특히, 나노 기공을 제작하는 과정에서 양극산화알루미늄을 이용하여 나노 기공을 형성시키고, 기공의 직경을 정밀하게 제어할 수 있도록 하고 균일한 기공을 제공하기 위한 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01N 33/48 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B01L 3/00 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) B01L 9/00 (2006.01.01) G01N 35/00 (2006.01.01)
CPC G01N 33/48(2013.01) G01N 33/48(2013.01) G01N 33/48(2013.01) G01N 33/48(2013.01) G01N 33/48(2013.01) G01N 33/48(2013.01)
출원번호/일자 1020100021775 (2010.03.11)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0102652 (2011.09.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정훈 대한민국 서울특별시 서초구
2 차미선 대한민국 서울특별시 양천구
3 유재혁 대한민국 경기도 김포시 유현로
4 최요셉 대한민국 경기도 의정부시 가

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백도현 대한민국 서울특별시 양천구 목동동로 ***, ****호 (목동, 현대**타워)(태울특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0154734-43
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0026521-05
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0217324-48
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065527-21
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0622552-11
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0229320-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
랩온어칩에 사용되는 나노 기공을 가진 멤브레인을 제조하는 방법에 있어서,관통공을 포함하는 실리콘 기판(substrate)의 표면에 실리콘 질화물을 피복하는 단계;알루미늄을 증착하여 알루미늄 층을 형성하는 단계;상기 알루미늄 층에 제1 양극 산화(anodizing)를 수행하여 그 일부에 제1 기공 층을 형성하는 단계;산처리 공정을 통해 상기 제1 기공 층을 제거하고, 홈을 형성하는 단계;상기 알루미늄 층에 제2 양극 산화 (anodizing)를 수행하여 균일하게 분포된 수직의 기공이 다수 제공되는 제2 기공 층을 형성하는 단계;제2 기공 층의 나노 기공 크기를 조절하는 단계;식각(etching) 공정을 통해 상기 관통공과 상기 제2 기공 층을 연결하는 단계를 포함하는,나노 기공을 가진 멤브레인 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제2 기공 층의 나노 기공 크기를 조절하는 단계는,산처리 공정을 통해 상기 제2 기공 층의 기공의 직경을 확장하는 단계;상기 확장된 기공에 금속 코팅을 하여 기공의 직경을 원하는 크기로 조절하는 단계를 포함하는,나노 기공을 가진 멤브레인 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,알루미늄을 증착하여 알루미늄 층을 형성하는 단계를 수행하기 전에,상기 실리콘 기판에 티타늄 박막을 증착하는 단계를 더 포함하는,나노 기공을 가진 멤브레인 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 금속 코팅에 사용되는 금속은 루테늄(Ru)인,나노 기공을 가진 멤브레인 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 하나에 의해 제작된 나노 기공을 가진 멤브레인을 포함하는 랩온어칩에 있어서,상기 랩온어칩은 상기 나노 기공을 가진 멤브레인을 사이에 두고 분리되는 제1 채널 및 제2 채널을 포함하고, 전기영동법에 의해 상기 제1 채널 및 상기 제2 채널 간에 분자를 분리하는,나노 기공을 가진 멤브레인을 포함한 랩온어칩
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 개인 맞춤형 질병예측 및 모니터링을 위한 Micro-nano 생체 지표 측정 센서 기술개발