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칼코겐 원소가 도핑된 선택 소자

  • 기술번호 : KST2022006691
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 높은 선택성과 온도 안정성을 가지는 선택 소자가 개시된다. 선택 소자는 도핑 절연막을 가진다. 도핑 절연막은 금속 산화물과 금속 산화물 내에 유입된 칼코겐 원소를 가진다. 금속 산화물은 비정질 소재로 결함이 최소화된 재질이며, 유입되는 칼코겐 원소는 일정 전압에서 전도성 채널을 형성하며, 양방향 스위칭 특성을 구현한다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020210113780 (2021.08.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0033427 (2022.03.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020200115510   |   2020.09.09
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2021.08.27)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍진표 서울시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2021.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2021-0992282-10
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번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 금속 산화물 내에 칼코겐 원소가 도핑된 도핑 절연막; 및상기 도핑 절연막 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 선택 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 도핑 절연막의 금속 산화물은 HfO2 또는 Ta2O5를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 도핑 절연막의 상기 칼코겐 원소는 Te 또는 Se를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 칼코겐 원소는 상기 도핑 절연막 내에서 전하 또는 전자가 이동(hopping)하는 결함으로 작용하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 도핑 절연막은 5 nm 내지 15 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 선택 소자
6 6
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 하부 절연막;상기 하부 절연막 상에 형성되고, 금속 산화물 내에 칼코겐 원소가 도핑된 도핑 절연막;상기 도핑 절연막 상에 형성되고, 상기 하부 절연막과 동일 재질로 형성되는 상부 절연막; 및상기 상부 절연막 상에 형성되는 상부 전극을 포함하는 선택 소자
7 7
제6항에 있어서, 상기 도핑 절연막의 금속 산화물은 HfO2 또는 Ta2O5를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
8 8
제6항에 있어서, 상기 도핑 절연막의 상기 칼코겐 원소는 Te 또는 Se를 포함하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
9 9
제8항에 있어서, 상기 칼코겐 원소는 상기 도핑 절연막 내에서 전하 또는 전자가 이동(hopping)하는 결함으로 작용하는 것을 특징으로 하는 선택 소자
10 10
제6항에 있어서, 상기 상부 절연막 또는 하부 절연막은 상기 도핑 절연막의 금속 산화물과 동일 재질이되, 상기 칼코겐 원소가 포함되지 않은 것을 특징으로 하는 선택 소자
11 11
제6항에 있어서, 상기 하부 절연막과 상기 상부 절연막은 서로 동일한 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 선택 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.