| 1 |
1
표면에 리튬이 도핑된 제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성되고, 전해질 고분자 및 적어도 하나의 금속 나노 파티클을 구비하는 활성층 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 전극을 포함하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 전극은, 전극 물질 상에 리튬 산화물층이 표면 처리된 것을 특징으로 하는뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 활성층은, 상기 리튬 산화물층의 산화-환원 반응에 의한 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극의 일함수(work function)의 변화를 통해 저항이 변화하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 활성층은, 상기 금속 나노 파티클에 기초한 금속 필라멘트의 형성 여부에 따라 저항이 변화하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 전해질 고분자는, 폴리비닐피로리돈(polyvinylpyrrolidone; PVP), 폴리에틸렌글리콜(polyethylen glycol; PEO), 폴리에틸렌이민(poly (ethylene imine); PEI), 폴리에틸렌술파이드(poly(ethylene sulphide); PES), 폴리비닐아세테이트(poly(vinyl acetate); PVAc) 및 폴리에틸렌석시네이트(poly(ethylene succinate); PESc) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 금속 나노 파티클은, 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 및 금(Au) 중 적어도 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 나노 파티클은, 사육면체(tetrahexahedron), 육팔면체(hexoctahedron) 및 이십사면체(trisoctahedron) 중 적어도 하나의 형태 및 2nm 내지 20nm의 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자
|
| 8 |
8
표면에 리튬이 도핑된 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 형성되고, 전해질 고분자 및 적어도 하나의 금속 나노 파티클을 구비하는 활성층을 형성하는 단계 및 상기 활성층 상에 형성된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제1 전극은, 전극 물질 상에 리튬 산화물층이 표면 처리된 것을 특징으로 하는뉴런 거동 모방 시냅스 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계는, 전극 물질 상에 리튬 퀴놀레이트(lithium quinolate; Liq)층을 도포하는 단계 및 상기 리튬 퀴놀레이트층을 열처리하여 상기 리튬 퀴놀레이트층 표면에 리튬 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 활성층은, 상기 리튬 산화물층의 산화-환원 반응에 의한 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 중 적어도 하나의 전극의 일함수(work function)의 변화를 통해 저항이 변화하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 활성층은, 상기 금속 나노 파티클에 기초한 금속 필라멘트의 형성 여부에 따라 저항이 변화하는 것을 특징으로 하는 뉴런 거동 모방 시냅스 소자의 제조방법
|
