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반도체 메모리 소자 상에 형성된 스토리지 전극패턴;
상기 스토리지 전극패턴 상에 형성되고, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 유전막; 및
상기 유전막 상에 형성된 플레이트 전극패턴을 포함하는, 반도체 메모리 소자의 커패시터
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제1항에 있어서,
상기 반도체 메모리 소자는,
기판 상에 형성된 게이트;
상기 게이트를 사이에 두고, 상기 기판의 양측에 형성된 소오스 및 드레인; 및
상기 드레인 및 상기 스토리지 전극패턴 사이를 접속하는 스토리지노드콘택을 포함하는, 반도체 메모리 소자의 커패시터
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제1항에 있어서,
상기 스토리지 전극패턴 및 상기 플레이트 전극패턴은 도프트 폴리실리콘, TiN, TaN, W, WN, Ru, RuO2, Ir, IrO2, Pt, Ru/RuO2, Ir/IrO2 및 SrRuO3 중 어느 하나를 포함하여 형성된, 반도체 메모리 소자의 커패시터
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제1항에 있어서,
상기 저항변화물질은 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물, 바나듐(V) 산화물 중 어느 하나를 포함하여 형성된, 반도체 메모리 소자의 커패시터
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5
제1항에 있어서,
상기 유전막은 상기 전기적 신호에 따라 변화되는 저항값을 유지하는, 반도체 메모리 소자의 커패시터
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반도체 메모리 소자 상에 스토리지 전극패턴을 형성하는 단계;
상기 스토리지 전극패턴 상에서, 전기적 신호에 따라 저항값이 변화되는 저항변화물질을 포함하는 유전막을 형성하는 단계; 및
상기 유전막 상에 플레이트 전극패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법
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제6항에 있어서,
상기 스토리지 전극패턴 및 상기 플레이트 전극패턴은 도프트 폴리실리콘, TiN, TaN, W, WN, Ru, RuO2, Ir, IrO2, Pt, Ru/RuO2, Ir/IrO2 및 SrRuO3 중 어느 하나를 포함하여 형성되는, 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법
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8
제6항에 있어서,
상기 저항변화물질은 알루미늄(Al) 산화물, 구리(Cu) 산화물, 니켈(Ni) 산화물, 티탄(Ti) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 코발트(Co) 산화물, 바나듐(V) 산화물 중 어느 하나를 포함하여 형성되는, 반도체 메모리 소자의 커패시터 제조방법
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