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증착 장비 및 증착 방법(Apparatus and Method for Deposition)

  • 기술번호 : KST2018003278
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 증착 장비 및 증착 방법이 제공된다. 상기 증착 장비는, 챔버, 상기 챔버 내에 배치되는 제1 광원, 제2 광원, 및 상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되는 리플렉터를 포함한다. 상기 증착 장비를 이용한 상기 증착 방법은, 제1 광을 조사하는 상기 제1 광원, 및 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖는 제2 광을 조사하는 상기 제2 광원을 포함하는 상기 챔버 내에 기판을 준비하는 단계, 및 상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판상에 물질막(material layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 챔버 내에 상기 소스 가스가 공급되는 동안, 또는 상기 물질막이 형성된 후, 상기 기판으로 상기 제1 광 또는 상기 제2 광을 선택적으로 조사하는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) C23C 16/48 (2006.01.01) C23C 16/455 (2006.01.01)
CPC H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01) H01L 21/0228(2013.01)
출원번호/일자 1020160119268 (2016.09.19)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0031197 (2018.03.28) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.19)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구봉준 대한민국 경기도 하남시 신장
2 김영범 대한민국 서울특별시 서초구
3 김학성 대한민국 서울특별시 성동구
4 김덕중 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0902626-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0004984-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.01.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0024689-59
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2018.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2018-0244537-86
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0353839-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.04.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0353840-39
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0537712-11
9 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2018.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-5022226-80
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판이 배치되는 챔버;상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 UV 광을 포함하는 제1 광을 조사하는 제1 광원; 상기 챔버 내에 위치하고, 상기 기판으로 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖고 극단파 백색광(Intense Pulsed Light, IPL)인 제2 광을 조사하는 제2 광원; 및상기 제1 광원 및 상기 제2 광원 상에 배치되어, 상기 제1 광 및 상기 제2 광을 상기 기판으로 반사하는 리플렉터를 포함하되, 상기 제1 광 또는 상기 제2 광이 선택적으로(selectively) 조사되되,상기 챔버 내에 소스 가스가 공급되는 동안 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고, 상기 소스 가스에 의해 상기 기판 상에 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 장비
2 2
제1항에 있어서,상기 소스 가스는 제1 소스 가스 및 제2 소스 가스를 포함하고, 상기 제1 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되는 동안, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고, 상기 제2 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되어, 상기 기판 상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 상기 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 장비
3 3
제2항에 있어서,상기 제2 광원은, 제논 램프인 것을 포함하는 증착 장비
4 4
제1항에 있어서,상기 리플렉터는, 상기 제1 광 및 상기 제2 광이 상기 기판상에 조사되는 방향, 또는 범위를 조절하는 것을 포함하는 증착 장비
5 5
UV 광을 포함하는 제1 광을 조사하는 제1 광원, 및 상기 제1 광과 다른 파장 대역을 갖고 극단파 백색광인 제2 광을 조사하는 제2 광원을 포함하는 챔버 내에 기판을 준비하는 단계; 및상기 챔버 내에 소스 가스를 공급하여, 상기 기판상에 물질막(material layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 소스 가스는 제1 소스 가스 및 제2 소스 가스를 포함하고, 상기 제1 광 또는 상기 제2 광이 선택적으로(selectively) 조사되되,상기 제1 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되는 동안, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광이 조사되되, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광은 조사되지 않고, 상기 제2 소스 가스가 상기 챔버 내에 공급되어, 상기 기판 상에 흡착된 상기 제1 소스 가스와 상기 제2 소스 가스가 반응하여 상기 물질막이 형성된 후, 상기 제2 광원에서 상기 제2 광이 조사되되, 상기 제1 광원에서 상기 제1 광은 조사되지 않는 것을 포함하는 증착 방법
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