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초박형 실리콘 기판 제조 방법(FABRICATION METHOD FOR ULTRATHIN SILICON SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2018004970
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 모재에 포어를 형성하고 스트레스층을 증착한 뒤, 스트레스의 변화에 따라 멤브레인 실리콘 기판 또는 다공성 실리콘 기판으로 형성될 수 있는 초박형 실리콘 기판 제조 방법을 제공한다. 이를 위하여, 결정형 실리콘 모재를 준비하는 단계; 상기 실리콘 모재 표면에 전해 에칭으로 포어를 형성하는 단계; 상기 실리콘 모재 위에 스트레스층을 형성하는 단계; 상기 실리콘 모재으로부터, 상기 스트레스층 및 이에 접합된 실리콘층을 함께 박리하는 단계; 및 상기 박리된 실리콘층에서 스트레스층을 제거하는 단계를 포함하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/78 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020170123309 (2017.09.25)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0039560 (2018.04.18) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020160130456   |   2016.10.10
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.09.25)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 경기 성남시 분당구
2 문경훈 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한)유일하이스트 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 옥산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0932618-45
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2017-1134132-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0020406-31
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0093963-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0333432-56
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0333425-36
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0591335-56
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0964434-70
10 법정기간연장승인서
2018.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0152810-59
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0994511-35
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.10.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0994516-63
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0719755-87
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 모재를 준비하는 단계;상기 실리콘 모재 표면에 전해 에칭으로 다수의 포어를 형성하는 단계;상기 포어가 형성된 실리콘 모재 위에 Ti, Ni, Cu, Co, Cr, Zn에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어지는 시드층을 무전해도금 또는 PVD에 의해 형성하는 단계;상기 실리콘 모재 위에 Ni, Co, Cu, Cr, Zn에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 이루어지는 스트레스층을 전해 도금에 의해 형성하는 단계;상기 스트레스층 내에 형성된 스트레스에 의해, 상기 실리콘 모재로부터, 상기 스트레스층, 시드층 및 이에 접합된 실리콘층으로 이루어지는 박리층을 박리하는 단계; 및상기 박리층에서 상기 스트레스층 및 시드층을 습식 에칭에 의해 제거하여 실리콘층만 남기는 단계를 포함하며,상기 스트레스층 형성 시 전류밀도를 30~50mA/cm2로 설정함으로써, 상기 박리층을 박리하는 단계에서 상기 포어의 바닥 지점을 중심으로 크랙이 발생되어 상기 포어의 바닥면보다 위쪽에서 박리가 이루어지게 하여,상기 스트레스층 및 시드층이 제거된 실리콘층이 다수의 관통 포어를 구비하는 멤브레인 기판으로서 형성되게 하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 시드층과 스트레스층 사이에 전기전도도 증가를 위한 버퍼층을 더 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 기판 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 스트레스층이 조성 1M NiCl2, 0
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 / 신재생에너지기술개발사업(RCMS) 변환 효율 20%달성을 위한 두께 20㎛급 플라즈모닉 초박형 실리콘-금속 이종접합 태양전지 개발