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게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극;상기 게이트 전극 상에 마련된, 적어도 한 층의 금속 단원자층 및 상기 금속 단원자층 상에 마련되고 쇼트키 배리어를 형성하는 배리어층을 구비하는 채널층; 및상기 금속 단원자층 하부에 마련된 안정화층을 포함하며,상기 금속 단원자층은 이차원(2 dimensional) 층상 구조를 가지고,상기 안정화층은 상기 금속 단원자층의 이차원 층상 구조의 구조적 형태를 유지시키는, 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극에 게이트 전압이 인가되는 경우, 상기 채널층을 통하여 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 간에 전류가 흐르는, 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 금속 단원자층은 상기 게이트 전극에 인가되는 게이트 전압에 따라 채널로 동작하는, 박막 트랜지스터
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제3 항에 있어서,상기 금속 단원자층이 텅스텐층인 경우, 상기 적어도 한층의 금속 단원자층은 3층 이상 6층 이하의 금속 단원자층들인, 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 안정화층은 금속 단원자층과 결합하며,상기 금속 단원자층과 상기 안정화층의 결합에도, 상기 금속 단원자층의 금속성(metallic property)은 유지되는, 박막 트랜지스터
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삭제
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제1 항에 있어서,상기 배리어층은 무기물층인, 박막 트랜지스터
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제7 항에 있어서,상기 배리어층은 ZnO층인, 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 배리어층은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 금속 단원자층 사이에 마련되는 박막 트랜지스터
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제9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 상기 배리어층 사이에 마련된 안정화층을 더 포함하는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극 상에 마련된 게이트 절연막을 더 포함하며,상기 안정화층은 상기 게이트 절연막과 상기 금속 단원자층 사이에 마련되는 박막 트랜지스터
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제1 항에 있어서,상기 게이트 전극 상에 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 마련되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 같은 레벨에 상기 금속 단원자층이 마련되고,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 상기 배리어층이 마련된, 박막 트랜지스터
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적어도 한층의 금속 단원자층, 상기 금속 단원자층 상에 마련된 배리어층 및 상기 배리어층 상에 마련된 안정화층을 구비하는 채널층을 포함하는 박막 트랜지스터
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안정화층을 형성하는 단계;가압 분위기에서, 원자층성장법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 통하여, 상기 안정화층 상에 적어도 한 층의 금속 단원자층을 형성하는 단계; 및상기 금속 단원자층 상에, 쇼트키 배리어를 형성하는 배리어층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속 단원자층은 이차원(2 dimensional) 층상 구조를 가지고,상기 안정화층은 상기 금속 단원자층의 이차원 층상 구조의 구조적 형태를 유지시키는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 금속 단원자층 및 상기 배리어층은 채널층을 형성하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 적어도 한 층의 금속 단원자층을 형성하는 단계는, 금속 단원자층을 형성하는 단계를 수회 반복하여 다수층의 금속 단원자층들을 형성하는 것인 박막 트랜지스터 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 금속 단원자층을 형성하는 단계의 횟수가 증가할수록 가압의 세기가 세지는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제14 항에 있어서,상기 금속 단원자층을 형성하는 단계는, 챔버 내를 밀폐시킨 상태에서 금속 전구체 가스를 제공하는 단계를 포함하는, 박막 트랜지스터 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 적어도 한층의 금속 단원자층은 산화되지 않은 상태에 있는 박막 트랜지스터
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