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고분자 단량체 층을 기판 상에 형성하는 단계; 및산소 공급막을 포함하는 포토마스크를 통해 자외선을 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계;를 포함하되,상기 자외선을 고분자 단량체 층에 조사하는 단계는 상기 단량체 층에 산소 농도 구배를 형성시켜 시간 의존적으로 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키고,상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 고분자 단량체의 Da 값이 0 초과 50
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제1항에 있어서, 상기 고분자 마이크로 구조체의 성장은 산소 농도가 가장 낮은 영역에서 개시되어, 산소 농도가 낮은 영역에서 높은 영역으로 성장이 진행되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 방법은 자외선의 조사 방향과 고분자 단량체 층 내부 산소의 확산 방향이 동일한 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자는 폴리에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(Poly(ethylene glycol) diacrylate, PEGDA), 폴리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트(Poly(propylene glycol) diacrylate, PPGDA), 에톡실레이티드 트리메틸프로판 트리아크릴레이트(Ethoxylated trimethylopropane triacrylate, ETPTA), 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(Trimethylolpropane triacrylate, TMPTA), (ω-Diacrylate poly(dimethylsiloxane), DA-PDMS), 우레탄 아크릴레이트 메타크릴레이트(Urethane acrylate methacrylate, UAM), 글리세롤 1,3-디글리세롤레이트 디아크릴레이트(Glycerol 1,3-diglycerolate diacrylate, G1,3-DA), 디우레탄 디메타크릴레이트(Diurethane dimethacrylate, DUDMA), SU-8 포토레지스트, 헥사디올 디아크릴레이트(Hexadiol diacrylate, HDA), 폴리우레탄 아크릴레이트(Polyurethane acrylate, PUA), 2-하이드록시에틸 메타크릴레이트(2-Hydroxyethyl methacrylate, HEMA), 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트(Elthylene glycol monopropyl ether acetate, EGPEA) 및 에톡실레이트 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(Ethoxylated trimethylolpropane triacrylate, ETPTA)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산소 공급막은 폴리디메틸실록세인(PDMS)인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 마이크로 구조체는 기판에 형성되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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고분자 단량체 층을 기판 상에 형성하는 단계; 및직경이 10 ㎛ 내지 500 ㎛인 광투과 패턴을 포함하는 포토마스크를 통해 자외선을 상기 고분자 단량체 층에 조사하는 단계;를 포함하되,상기 자외선을 고분자 단량체 층에 조사하는 단계는 상기 단량체 층에 산소 농도 구배를 형성시켜 시간 의존적으로 단량체를 중합하여 구조체를 성장시키고,상기 구조체는 상기 자외선 조사 영역에서 하기 수학식 1로 표시되는 상기 고분자 단량체의 Da 값이 0 초과 50
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제8항에 있어서,상기 고분자 단량체 층은 광 개시제를 포함하고, 상기 광 개시제의 농도는 0
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제8항에 있어서, 상기 고분자 마이크로 구조체의 성장은 산소 농도가 가장 낮은 영역에서 개시되어, 산소 농도가 낮은 영역에서 높은 영역으로 성장이 진행되는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 광투과 패턴은 10 ㎛ 내지 120 ㎛의 간격으로 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제12항에 있어서,상기 광투과 패턴의 직경과 패턴의 간격의 비율(패턴의 직경(D)/패턴의 간격(dgap))은 0
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제8항에 있어서,상기 자외선의 조사시간은 1 초 내지 8 초인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 기판과 포토마스크 사이의 거리와 포토마스크 패턴의 직경의 비(종횡비)는 1 내지 10인 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 포토마스크는 산소 공급막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 마이크로 구조체의 제조방법
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