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그래핀 산화물을 베이스로 하는 코팅액을 준비하는 코팅액 준비 단계;기판 상에 상기 코팅액을 코팅하여, 상기 기판 상에 그래핀 산화물 박막을 형성하는 그래핀 산화물 박막 형성 단계; 및극단파 백색광을 통해 상기 그래핀 산화물 박막을 광소결하여, 절연 특성을 가지는 상기 그래핀 산화물 박막을, 그래핀 반도체 박막으로 변환시키는 그래핀 반도체 박막 형성 단계;를 포함하는 전자 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 코팅액은, 상기 그래핀 산화물을 초순수(deionized water)에 분산시킨 그래핀 산화물 용액과, 알코올 용액이 설정 비율로 혼합되어 만들어진, 전자 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 산화물 박막 형성 단계는,상기 코팅액을 상기 기판 상에 코팅하여 코팅층을 형성하는 코팅 과정; 및상기 코팅층을 건조시켜, 상기 기판 상에 상기 그래핀 산화물 박막을 형성하는 건조 과정을 포함하는, 전자 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판은 연성 기판 또는 경성 기판으로 구비되는, 전자 소자 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 기판은 유리 기판, 실리콘계 웨이퍼 및 폴리머 기판 중 선택된 어느 하나의 기판으로 구비되는, 전자 소자 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 그래핀 반도체 박막 형성 단계에서는 상기 기판에 따라 상기 그래핀 산화물 박막에 조사되는 상기 극단파 백색광의 조사 에너지를 다르게 제어하는, 전자 소자 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 그래핀 반도체 박막 형성 단계에서는 상기 기판이 연성 기판으로 구비되는 경우, 상기 기판이 경성 기판으로 구비되는 경우보다 상기 그래핀 산화물 박막에 조사되는 상기 극단파 백색광의 조사 에너지를 상대적으로 작게 제어하는, 전자 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판이 연성 기판으로 구비되는 경우,상기 그래핀 반도체 박막 형성 단계에서는 상기 그래핀 산화물 박막에 조사되는 상기 극단파 백색광의 조사 에너지를 2 J/㎠ ~ 6 J/㎠로 제어하는, 전자 소자 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판이 경성 기판으로 구비되는 경우,상기 그래핀 반도체 박막 형성 단계에서는 상기 그래핀 산화물 박막에 조사되는 상기 극단파 백색광의 조사 에너지를 30 J/㎠ ~ 90 J/㎠로 제어하는, 전자 소자 제조 방법
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10
제1 항에 있어서,상기 그래핀 반도체 박막의 적어도 어느 일면과 직접 접촉하는 전극층을 형성하는 전극 형성 단계를 더 포함하는, 전자 소자 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성되는 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되는 그래핀 반도체 박막; 및상기 그래핀 반도체 박막 상에 형성되는 제2 전극층;을 포함하되,상기 그래핀 반도체 박막은 3000 ㏀/sq ~ 100 ㏀/sq의 면저항을 가지는, 전자 소자
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