요약 | 생산성 및 표시 품질을 향상시킨 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법이 개시된다. 액정 표시 패널은 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극을 포함하는 표시 기판, 표시 기판과 대향하는 대향 기판 및 표시 기판과 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 표시 기판 및 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함한다. 이에 따라, 화소 전극의 패턴 없이 액정층을 멀티 도메인으로 분할할 수 있어 광시야각을 확보함으로써 표시 품질을 향상시킬 수 있고, 공정을 단순화시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.패턴리스(patternless), 광시야각, 멀티도메인, 도트, 수직배향, 수평배향 |
---|---|
Int. CL | G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/1337 (2006.01) |
CPC | G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01) G02F 1/1337(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080122911 (2008.12.05) |
출원인 | 삼성디스플레이 주식회사, 연세대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1494738-0000 (2015.02.12) |
공개번호/일자 | 10-2010-0064465 (2010.06.15) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20150224) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.12.05) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 삼성디스플레이 주식회사 | 대한민국 | 경기 용인시 기흥구 |
2 | 연세대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 노순준 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
2 | 전백균 | 대한민국 | 경기도 용인시 수지구 |
3 | 백홍구 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
4 | 김연상 | 대한민국 | 경기도 고양시 덕양구 |
5 | 김종복 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
6 | 황병하 | 대한민국 | 경기도 고양시 덕양구 |
7 | 최혜민 | 대한민국 | 서울특별시 서대문구 |
8 | 조민경 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박영우 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 연세대학교 산학협력단 | 서울특별시 서대문구 | |
2 | 삼성디스플레이 주식회사 | 경기 용인시 기흥구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0838765-54 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2008.12.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0135429-77 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2008.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0900491-38 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
6 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0739442-06 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1113823-41 |
10 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
11 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0057089-06 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
13 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0664520-48 |
14 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1158962-12 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1158911-94 |
16 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0856483-49 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판;상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고,상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하며,상기 제1 배향부는 도트(dot)형인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 다른 하나는,상기 제1 배향막과 대향하는 면의 전체에 형성된 제2 배향막을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 제1 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판의 표면과 평행한 선경사각을 갖고, 상기 제2 배향부는 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판의 표면과 수직한 선경사각을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
4 |
4 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하며, 상기 제1 배향부는상기 제2 배향부 상에 형성되고, 적어도 하나의 홀(hole)을 갖는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 표시 기판 또는 상기 대향 기판은, 상기 제1 배향막 하부에 형성된 수평 배향막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
6 |
6 삭제 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 화소 전극은각 화소 영역의 전면을 커버하도록 패턴없이(patternless) 형성된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 대향 기판은상기 대향 기판의 전면에 형성된 공통 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
9 |
9 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하며, 상기 액정층은상기 액정 분자들의 방향성을 제어하는 카이랄 도펀트(chiral dopant)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
10 |
10 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하며, 상기 대향 기판은,상기 대향 기판의 상기 제1 배향부와 대응하는 영역에 형성된 차광 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
11 |
11 복수의 화소 영역들에 형성된 화소 전극들을 포함하는 표시 기판; 상기 표시 기판과 대향하는 대향 기판; 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판 사이에 개재된 액정 분자들을 포함하는 액정층을 포함하고, 상기 표시 기판 및 상기 대향 기판 중 어느 하나는 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 갖는 제1 배향막을 포함하며, 상기 제1 배향부는, 상기 제1 배향부와 인접한 다른 제1 배향부와 100㎛ 내지 400㎛로 이격된 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널 |
12 |
12 복수의 화소 영역들 각각에 형성된 화소 전극들 상에 형성되고 각 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 적어도 하나의 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계;상기 제1 배향막과 마주하는 제2 배향막을 포함하는 대향 기판을 형성하는 단계; 및상기 표시 기판과 상기 대향 기판을 결합시키는 단계를 포함하며,상기 제1 배향부는 도트(dot)형인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
13 |
13 제12항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하는 단계; 및상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 이온빔을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막에 상기 화소 전극의 표면에 수평한 선경사각을 형성함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
14 |
14 제12항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하는 단계; 및상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 플라즈마 또는 자외선을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막을 제거함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
15 |
15 제14항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는상기 화소 전극과 상기 제1 배향막 사이에 수평 배향막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
16 |
16 제14항에 있어서, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는상기 제1 배향부에 의해 노출된 상기 화소 전극의 표면에 이온빔을 조사하여 상기 화소 전극의 수평 배향을 유도하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
17 |
17 복수의 화소 영역들 각각에 형성된 화소 전극들 상에 형성되고 각 화소 영역과 대응하는 영역에 형성된 적어도 하나의 제1 배향부 및 상기 제1 배향부를 둘러싸는 제2 배향부를 포함하는 제1 배향막을 포함하는 표시 기판을 형성하는 단계; 상기 제1 배향막과 마주하는 제2 배향막을 포함하는 대향 기판을 형성하는 단계; 및 상기 표시 기판과 상기 대향 기판을 결합시키는 단계를 포함하며, 상기 표시 기판을 형성하는 단계는상기 화소 전극들 상에 수직 배향막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 배향부와 대응하는 패턴을 포함하는 마스크를 통해 상기 수직 배향막에 플라즈마 또는 자외선을 조사하여, 상기 제1 배향부와 대응하는 영역의 상기 수직 배향막을 제거함으로써 상기 제1 배향부를 포함하는 상기 제1 배향막을 형성하는 단계를 포함하며,상기 대향 기판을 형성하는 단계는상기 제1 배향부와 대응하는 영역에 차광 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1494738-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20081205 출원 번호 : 1020080122911 공고 연월일 : 20150224 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141215 청구범위의 항수 : 16 유별 : G02F 1/1337 발명의 명칭 : 액정 표시 패널 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구... |
1 |
(권리자) 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 669,000 원 | 2015년 02월 13일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2018년 02월 01일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2019년 01월 29일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2020년 02월 03일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0838765-54 |
2 | 보정요구서 | 2008.12.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2008-0135429-77 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2008.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0900491-38 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.12.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5252006-10 |
5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
6 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2012.09.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0739442-06 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5062749-37 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5088566-87 |
9 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.12.05 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-1113823-41 |
10 | 선행기술조사의뢰서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
11 | 선행기술조사보고서 | 2014.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2014-0057089-06 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.09.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5114224-78 |
13 | 의견제출통지서 | 2014.09.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0664520-48 |
14 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.11.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-1158962-12 |
15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.11.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1158911-94 |
16 | 등록결정서 | 2014.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0856483-49 |
17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5104722-59 |
18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.01.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5016605-77 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345071141 |
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세부과제번호 | 과C6A2005 |
연구과제명 | 휴먼트로닉스 정보소재 사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 연세대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | 기타 |
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