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저 컨택트저항 실리콘계 나노선 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015126957
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저 컨택트저항 실리콘계 나노선이 제공된다.본 발명에 따른 저 컨택트저항 실리콘계 나노선은 실리콘 또는 실리콘-게르마늄으로 이루어진 코어부; 및 상기 코어부를 둘러싸며 금속규화물로 이루어진 표피부를 포함하며, 본 발명에 따른 나노선을 이용하여 트랜지스터 기타 디바이스를 제작하는 경우 나노선과 금속 배선과의 접합시 저저항의 컨택트를 이룰 수 있으므로 고집적 저저항의 고속 반도체 장치를 제조할 수 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2011.01) B82Y 25/00 (2011.01)
CPC C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01) C01B 33/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080078218 (2008.08.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0016432 (2009.02.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070080941   |   2007.08.10
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.09)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고대홍 대한민국 경기 고양시 일산서구
2 손현철 대한민국 서울 강남구
3 조만호 대한민국 서울 용산구
4 김상연 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.08.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0571678-40
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0315785-95
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0501210-82
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.09.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0597090-61
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0677700-79
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0762149-93
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0848614-17
8 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2010.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0114653-10
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0032503-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0032501-29
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0410251-12
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2011.08.24 수리 (Accepted) 7-1-2011-0030943-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 또는 실리콘-게르마늄으로 이루어진 코어부; 및상기 코어부를 둘러싸며 금속규화물로 이루어진 표피부를 포함하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속규화물은 티타늄규화물, 니켈규화물, 코발트규화물, 텅스텐규화물 및 탄탈륨규화물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선
3 3
(a)실리콘 또는 실리콘-게르마늄 나노선을 마련하는 단계;(b)상기 나노선의 표면에 스퍼터링 또는 원자층 증착법에 의하여 금속박막을 방사상으로 적층시키는 단계; 및(c)열처리를 통해 금속 규화물층을 형성하는 단계를 포함하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 금속 규화물층을 형성시킨 후, 습식식각을 통하여, 반응에 참여하지 않은 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 제조는 VLS(Vapor-Liquid-Solid) 메커니즘에 의한 성장법에 의하는 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 실리콘 나노선의 제조는 SLS(Solid-Liquid-Solid) 메커니즘에 의한 성장법에 의하는 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
7 7
제 3항에 있어서,상기 원자층 증착법은 금속전구체를 흡착시키는 단계, 및 반응가스를 공급하여 상기 금속전구체와 반응함으로써 금속막을 원자층 단위로 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
8 8
제 3항에 있어서,상기 열처리 온도는 금속과 실리콘이 반응하여 금속규화물로 상전이를 일으키는 온도인 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 금속전구체는 MX 또는 MX3이되, 상기 M은 티타늄, 니켈, 코발트, 텅스텐 또는 탄탈륨이고 X는 음이온성 리간드인 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
10 10
제 9항에 있어서,상기 X는 H, 탄소수 1 내지 10의 알킬, 탄소수 2 내지 10의 알케닐, 탄소수 1 내지 8의 알콕시, 탄소수 6 내지 12의 아릴, β-디케토네이트, 사이클로펜타디에닐, 탄소수 1 내지 8의 알킬사이클로펜타디에닐 및 이들에 할로겐족 원소가 치환된 유도체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
11 11
제 7항에 있어서,상기 반응가스는 히드라진, 디메틸히드라진, 암모니아, NH2R, NHR2 , NR3, 탄소수 1 내지 10의 알킬히드라진, 탄소수 1 내지 10의 디알킬히드라진, H2O 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나이되, 상기 R은 탄소수 1 내지 10의 알킬, 탄소수 2 내지 10의 알케닐, 탄소수 1 내지 8의 알콕시 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴인 것을 특징으로 하는 저 컨택트저항 실리콘계 나노선의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.