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반도체 이종구조 나노선을 이용한 광기전력 소자 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015125005
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상에 배열된 다수의 이종구조 반도체 나노선 - 각각의 상기 반도체 나노선은 상기 기판 상면으로부터 위로 연장된 다수의 제1 도전형 반도체 나노선 코어(nanowire core)와, 상기 나노선 코어의 표면을 따라 형성되어 상기 나노선 코어를 도포하는 제2 도전형 반도체 나노선 쉬스(nanowire sheath)를 가짐 - 과; 상기 나노선들 사이를 메우는 절연체 충전물과; 상기 나노선 상에 형성되어 상기 나노선 쉬스에 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하는, 광기전력 소자를 제공한다. 태양전지, 광기전력 소자
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01) H01L 31/035227(2013.01)
출원번호/일자 1020070025171 (2007.03.14)
출원인 삼성전기주식회사, 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0809248-0000 (2008.02.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.14)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강형동 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 최헌진 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전기주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0206515-11
2 보정요구서
Request for Amendment		 2007.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2007-0038943-91
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2007-5062967-87
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0317628-42
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.12.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.01.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0000351-43
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0070393-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5050935-32
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200786-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배열된 다수의 이종구조 반도체 나노선 - 각각의 상기 반도체 나노선은 상기 기판 상면으로부터 위로 연장된 다수의 제1 도전형 반도체 나노선 코어와, 상기 나노선 코어의 표면을 따라 형성되어 상기 나노선 코어를 도포하는 제2 도전형 반도체 나노선 쉬스를 가짐 -; 상기 나노선들 사이를 메우는 절연체 충전물; 및상기 나노선 상에 형성되어 상기 나노선 쉬스에 전기적으로 연결된 제1 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판 하면에 형성되어, 상기 기판을 통해 상기 나노선 코어와 전기적으로 연결되는 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판은 반도체 또는 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노선 코어를 상기 기판과 접촉시키면서 상기 나노선 쉬스를 상기 기판으로부터 절연시키도록, 상기 나노선 코어의 바닥부 외측에서 상기 절연체 충전물과 상기 기판 상면 사이에 형성된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 나노선은 실리콘(Si)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
6 6
제5항에 있어서, 상기 반도체 나노선은 실리콘 결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 나노선은 실리콘-게르마늄(SiGe)을 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 나노선 코어 및 나노선 쉬스 중 하나는 실리콘-게르마늄으로 형성되고, 다른 하나는 실리콘으로 형성된 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 실리콘-게르마늄은 p형 반도체인 것을 특징으로 하는 광기전력 소자
11 11
기판 상에 상기 기판 상면으로부터 위로 연장된 다수의 제1 도전형 반도체 나노선 코어를 형성하는 단계; 상기 나노선 코어의 표면을 따라 상기 나노선 코어를 도포하는 제2 도전형 반도체 나노선 쉬스를 형성함으로써, 상기 기판 상에 배열된 다수의 이종구조 반도체 나노선을 형성하는 단계; 절연체로 상기 나노선들 사이의 공간을 메우는 단계; 및상기 나노선 상에 상기 나노선 쉬스와 전기적으로 연결된 제1 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 기판을 통해 상기 나노선 코어와 전기적으로 연결되는 제2 전극을 상기 기판 하면에 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
13 13
제11항에 있어서, 상기 나노선 형성 단계전에, 상기 기판 상면 영역 중 상기 나노선 코어 위치 사이의 영역 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 나노선은 실리콘 결정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 나노선 코어 및 나노선 쉬스 중 어느 하나는 실리콘-게르마늄으로 형성되고 다른 하나는 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 나노선 코어를 형성하는 단계는, 실리콘 기판 상에 분포된 복수의 금속 촉매 입자 또는 금속 촉매 아일랜드를 형성하는 단계와, 상기 실리콘 기판에 실리콘 전구체와 제1 도전형 도펀트 소스를 제공하여 상기 금속 촉매의 위치에서 실리콘 나노선 코어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
17 17
제16항에 있어서, 상기 금속 촉매는 Au이고, 실리콘 전구체는 SiCl4인 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
18 18
제11항에 있어서, 상기 나노선 코어 형성 단계는, 실리콘 기판 상에 분포된 복수의 금속 촉매 입자 또는 금속 촉매 아일랜드를 형성하는 단계와,비도핑 분위기에서 실리콘 전구체와 게르마늄 전구체를 함께 상기 기판에 제공하여 상기 금속 촉매의 위치에서 실리콘-게르마늄 나노선 코어를 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 금속 촉매는 Au이고, 실리콘 전구체는 SiCl4이고, 상기 게르마늄 전구체는 GeCl4인 것을 특징으로 하는 광기전력 소자의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.