| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 위치하고, 금속물질을 포함하는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치하는 확산조절층;상기 확산조절층 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하는 상부전극층을 포함하고,상기 확산조절층은 상기 하부전극층으로부터 상기 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산되는 경로를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 확산조절층은 복수개의 그래핀산화물 조각(flake)을 포함하는 그래핀산화물층인 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 하부전극층의 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산될 때, 상기 확산조절층 내의 상기 금속물질의 확산 경로는 상기 그래핀산화물 조각(flake) 사이의 경로인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
|
| 4 |
4
기판;상기 기판 상에 위치하고, 금속물질을 포함하는 하부전극층;상기 하부전극층 상에 위치하는 확산조절층;상기 확산조절층 상에 위치하고, 금속 필라멘트의 형성과 소멸에 따른 상태 변화를 가지는 저항변화층; 및상기 저항변화층 상에 위치하는 상부전극층을 포함하고,상기 확산조절층은 상기 하부전극층으로부터 상기 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산되는 경로를 감소시키는 것을 특징으로 하고,상기 확산조절층은 Ta, Ti, W, Zr, TaN, TiN, TaSi, TaC, WSi, WN 및 ZrN로 구성된 군에서 선택？？ 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 하부전극층의 금속물질이 상기 저항변화층으로 확산될 때, 상기 확산조절층 내의 상기 금속물질의 주 확산 경로는 그레인 바운더리를 통해 확산되는 경로인 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 하부전극층의 금속물질은 Cu, Cu 합금, Ag 또는 Ag 합금을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 저항변화층은 GexSy, GexSey, Ge-Te, GST, As-S, ZnxCd1-xS, Cu2S, Ta2O5, SiO2, WO3, TiO2, ZrO2, MSQ 및 GdOx로 구성된 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 비휘발성 저항 스위칭 메모리 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 금속 필라멘트는 상기 하부전극층으로부터 침투된 금속이온의 산화환원 반응에 의해 형성 및 소멸되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 저항변화 스위치 소자
|
