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PRAM(Phase-change Random Access Memory)에 있어서, 복수의 수직 배선층들; 상기 복수의 수직 배선층들 각각에 수직 방향으로 연결되는 복수의 상(phase) 변화층들; 및 상기 복수의 수직 배선층들 각각과 연결되고, 미리 설정된 임계 전압에 기초하여 온(on) 상태로부터 오프(off) 상태로 전환되어 상기 복수의 수직 배선층들 각각으로 전압을 인가하는 복수의 스위칭 소자들을 포함하고,상기 복수의 스위칭 소자들 각각은 서로 다른 임계 전압을 갖는 PRAM
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제1항에 있어서,상기 복수의 스위칭 소자들 각각은 N+/P/N+ 스위칭 소자로 구성되는 PRAM
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제1항에 있어서,상기 복수의 상 변화층들 각각은 서로 다른 물리적 구조를 갖거나, 서로 다른 상 변화 물질로 구성되는 PRAM
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제1항에 있어서,상기 복수의 상 변화층들 각각은 상기 복수의 스위칭 소자들로부터 상기 복수의 수직 배선층들 각각을 통하여 인가되는 전압에 기초하여 비정질 상태 또는 결정질 상태 중 어느 하나의 상태로 설정되는 PRAM
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제1항에 있어서,상기 복수의 상 변화층들 각각은 상기 복수의 상 변화층들 각각을 분리하는 절연층 및 상기 절연층이 형성되는 식각율(etch ratio)이 조절되는 전도층을 더 포함하는 PRAM
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제6항에 있어서,상기 복수의 상 변화층들 각각에 포함되는 절연층은 상기 복수의 상 변화층들 각각에 대응하여 서로 다른 물질로 구성되는 PRAM
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제1항에 있어서,상기 복수의 스위칭 소자들 각각에는 공통의 전원을 통하여 전압이 인가되는 PRAM
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신경 네트워킹 시스템의 소마(soma)를 모델링한 PRAM(Phase-change Random Access Memory) 구동 방법에 있어서, 복수의 스위칭 소자들 각각에 전압을 인가하는 단계; 상기 인가된 전압에 기초하여 복수의 스위칭 소자들 중 적어도 어느 하나의 스위칭 소자를 오프(off) 상태로부터 온(on) 상태로 전환하는 단계; 및 상기 온 상태의 적어도 어느 하나의 스위칭 소자에 대응하는 적어도 하나의 수직 배선층에 연결된 복수의 상 변화층들을 작동시키는 단계를 포함하는 PRAM 구동 방법
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제9항에 있어서,상기 인가된 전압에 기초하여 복수의 스위칭 소자들 중 적어도 어느 하나의 스위칭 소자를 오프 상태로부터 온 상태로 전환하는 단계는 상기 복수의 스위칭 소자들 각각의 미리 설정된 임계 전압과 상기 인가된 전압을 비교하는 단계를 포함하는 PRAM 구동 방법
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제10항에 있어서,상기 복수의 스위칭 소자들 각각은서로 다른 임계 전압을 갖는 PRAM 구동 방법
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