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박리층을 이용한 단결정 반도체 박막 분리 방법

  • 기술번호 : KST2019023745
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박리층을 이용한 단결정 반도체 박막 분리 방법에 관한 것으로서, 특히 에피층 성장 시, 2, 3, 4, 5 또는 6족 물질에서 X,Y는 0≤X,Y≤1 범위 내인 AxB1-xCyD1-y의 조성으로 구성된 박막층을 포함하여 성장 시킨 후, 니켈을 포함한 단일층 물질 또는 다층으로 구성된 스트레서 층을 부착하고 폴리이미드 테이프 등과 같은 핸들링 층을 이용하여 스폴링 하여, 특정 두께의 반도체 박막을 분리 시, 분리되는 에피층과 기판 사이에 박막의 표면을 매끄럽게 분리 시키고, 전사 시킬 다른 기판 사이에 매끄러운 표면의 박막을 전사 시킬 수 있는 방법을 제공 할 수 있다.
Int. CL H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/60 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01) H01L 21/76254(2013.01)
출원번호/일자 1020170021243 (2017.02.16)
출원인 경북대학교 산학협력단, 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1914856-0000 (2018.10.29)
공개번호/일자 10-2018-0094735 (2018.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20181105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박홍식 대한민국 대구광역시 수성구
2 이창주 대한민국 대구광역시 달서구
3 임창희 대한민국 경상북도
4 정성환 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종선 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)
2 이형석 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로*길 **, 광성빌딩 **층 (역삼동)(케이엘피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구
2 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0163264-59
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0135220-31
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2018-5051994-32
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0416303-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.04.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0416325-48
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0426981-05
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-0730481-39
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.07.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0730513-13
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0548349-97
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.09.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0887468-82
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2018-0887451-17
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0703331-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5136893-04
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 반도체 박막의 제조 및 분리방법에 있어서,제1 기판 상에 AxB1-xCyD1-y(0≤X, Y≤1, A, B, C 및 D는 각각 2, 3, 4, 5 또는 6족에서 독립적으로 선택)의 화합물 반도체를 포함하는 박리층을 형성하는 단계;상기 박리층 상에 제1 에피 박막층을 형성하는 단계; 상기 제1 기판 상에 상기 박리층을 형성하는 단계 이전에 제2 에피 박막층을 형성하는 단계;상기 제1 에피 박막층 상에 단일층 물질 또는 다층으로 구성된 스트레서 층을 형성하는 단계;상기 스트레서 층 상에 핸들링 층을 부착하는 단계; 및상기 형성된 제1 또는 제2 에피 박막층을 스폴링 공정으로 상기 박리층에서 분리하는 단계;를 포함하고,상기 박리층을 형성하는 온도는 1000~1100℃인 것을 특징으로 하는 단결정 반도체 박막의 제조 및 분리방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 기판상에 상기 제2 에피 박막층을 형성하는 단계 이전에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 단결정 반도체 박막의 제조 및 분리방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 스트레서 층은 니켈을 포함하여 형성하는 단결정 반도체 박막의 제조 및 분리방법
7 7
제1항에 있어서,상기 핸들링 층은 폴리이미드 테이프를 포함하여 형성하는 단결정 반도체 박막의 제조 및 분리방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 경북대학교 이공분야 기초연구사업 (일반연구자지원사업) 이종반도체/나노소재 정밀전사 집적화 기술을 이용한 실리콘 포토닉 칩 개발
2 산업체 경북대학교 산업체연구과제 Chip-to-chip interconnection을 위한 광대역/저전력 Si-photonic 칩 개발