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원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법

기술번호 : KST2014026840
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은, 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계, 상기 증착 챔버 내로 제 2 금속의 전구체 가스를 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 상기 제 2 금속의 전구체를 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 층을 형성하는 단계, 및 상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법에 관한 것이다.전구체, 리간드, 교환 반응, 금속층, 구리층
Int. CL	H01L 21/285 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC	H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01) H01L 21/28556(2013.01)
출원번호/일자	1020090026388 (2009.03.27)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1184924-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자	10-2010-0107978 (2010.10.06) 문서열기
공고번호/일자	(20120920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.08.08)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	성명모	대한민국	서울특별시 서초구
2	이병훈	대한민국	서울특별시 구로구
3	남재우	대한민국	서울특별시 노원구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인엠에이피에스	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단		서울특별시 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2009-0185889-13
2	보정요구서 Request for Amendment	2009.04.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2009-0023562-27
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2009.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0236448-77
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.08.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0609868-36
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.08.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0609863-19
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2012.06.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2012.07.20	수리 (Accepted)	9-1-2012-0056546-12
8	등록결정서 Decision to grant	2012.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0508914-39
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 하기 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법:증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계,상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계,상기 증착 챔버 내로 제 2 금속의 전구체 가스를 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 상기 제 2 금속의 전구체를 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 층을 형성하는 단계, 및상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계
2	2 제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계 내지 상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계를 복수회 수행하는 것인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속 전구체 착화합물은 M[OCH(CH₃)CH₂NMe₂]₂이며, 상기 M은 Cu, Al, Si, Ti, Hf, La, Ta, Mg, Zr, Zn 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
4	4 제 3 항에 있어서,상기 메틸기(Me)가 아민기(NH₃), 에틸기(Et), 플로린기(F), 카르복실기(COOH), 에스터(COO) 및 티올(SH)로 이루어진 군에서 선택되는 치환기를 포함하는 것인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속의 전구체는 Et₂Zn인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 증착 챔버 내의 온도는 섭씨 40도 내지 160도인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 증착 챔버 내로 상기 제 2 금속의 전구체 가스를 유입시키는 시간은 0
8	8 제 1 항에 있어서,상기 기판의 온도는 섭씨 50도 내지 250도인, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
9	9 하기 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속 산화물 층 형성 방법:증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계,상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계,상기 증착 챔버 내로 H₂O 또는 O₃가스를 유입시켜 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 산화물 층을 형성하는 단계, 및상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계
10	10 하기 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속 황화물 층 형성 방법:증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계,상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계,상기 증착 챔버 내로 H₂S 가스를 유입시켜 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 황화물 층을 형성하는 단계, 및상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1184924-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090327 출원 번호 : 1020090026388 공고 연월일 : 20120920 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120829 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 21/205 발명의 명칭 : 금속층 형성 방법 존속기간(예정)만료일 : 20170907

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	217,500 원	2012년 09월 07일	납입
제 4 년분	금 액	182,000 원	2015년 06월 30일	납입
제 5 년분	금 액	182,000 원	2016년 07월 05일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.03.27	수리 (Accepted)	1-1-2009-0185889-13
2	보정요구서	2009.04.07	발송처리완료 (Completion of Transmission)	1-5-2009-0023562-27
3	[출원서등 보정]보정서	2009.04.20	수리 (Accepted)	1-1-2009-0236448-77
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2011.08.08	수리 (Accepted)	1-1-2011-0609868-36
5	[명세서등 보정]보정서	2011.08.08	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0609863-19
6	선행기술조사의뢰서	2012.06.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2012.07.20	수리 (Accepted)	9-1-2012-0056546-12
8	등록결정서	2012.08.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0508914-39
9	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
10	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


기술번호	KST2014026840
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한양대학교
기술명	원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법
기술개요	본 발명은, 증착 챔버 내로 기판을 도입하는 단계, 상기 기판 상에 제 1 금속의 전구체 착화합물을 흡착하는 단계, 상기 증착 챔버 내로 제 2 금속의 전구체 가스를 유입시켜, 상기 기판에 흡착된 상기 제 1 금속의 전구체 착화합물의 리간드와 상기 제 2 금속의 전구체를 교환 반응시켜 상기 기판 상에 상기 제 1 금속의 층을 형성하는 단계, 및 상기 제 1 금속의 층을 제외한 나머지 부산물을 제거하는 단계를 포함하는, 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성 방법에 관한 것이다.전구체, 리간드, 교환 반응, 금속층, 구리층
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	반도체, 메모리, 전자소자
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이센스,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345182076
세부과제번호	2012M3A7B4034985
연구과제명	유기-무기 나노복합 계면 제어 기술 개발 및 이종접합 전자소자 응용 연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2012
연구기간	201206~201706
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345074502
세부과제번호	2008-02378
연구과제명	플라스틱전자소자용공유결합성유기-무기하이브리드나노라미네이트박막의제조및특성연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200806~201105
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

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