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대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선

  • 기술번호 : KST2014027884
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 기판 상에 전자빔 리소그래피를 이용하여 전자빔 레지스트층을 선형 또는 격자 형상의 나노 패턴으로 형성하고, 상기 기판 전면에 중간층을 형성한 후 상기 전자빔 레지스트층을 제거함으로써 상기 중간층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴을 형성하고, 이후 상기 중간층 상에 흡착층, 대전물질층 및 나노입자층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법, 상기 방법에 의하여 집적된 1 차원 또는 2 차원 고집적 전도성 나노선 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다. 나노선, 전자빔 리소그래피, 고집적, 대전물질, DNA, 나노입자
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090061816 (2009.07.07)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1029995-0000 (2011.04.12)
공개번호/일자 10-2011-0004159 (2011.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20110421) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.07.07)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형진 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 홍병유 대한민국 경기도 화성시
3 노용한 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0414145-79
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.02.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0011247-43
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0176979-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
하기를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선(nanowires)의 고집적 방법: 기판 상에 양 또는 음으로 대전된 물질의 흡착을 방지하기 위한 보호층(passivation layer)을 형성하는 제 1 단계; 상기 보호층 상에 전자빔 레지스트층을 도포하고 전자빔 리소그래피 공정을 이용하여 상기 전자빔 레지스트층을 선형 또는 격자 형상의 나노패턴으로 패터닝하는 제 2 단계; 상기 전자빔 레지스트층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴의 개구 부분을 통하여 드러나 있는 보호층 상에, 상기 대전된 물질의 흡착을 위한 흡착층을 도포하기 위한 중간층(interlayer)을 형성하는 제 3 단계; 상기 선형 또는 격자 형상의 나노패턴의 전자빔 레지스트층을 제거함으로써 상기 보호층 상에 상기 중간층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴을 형성하는 제 4 단계; 상기 선형 또는 격자 형상의 나노패턴의 중간층 상에 상기 대전된 물질의 흡착을 위한 흡착층을 형성하는 제 5 단계; 상기 흡착층 상에 상기 대전된 물질이 포함된 용액을 도포하여 상기 대전된 물질을 포함하는 선형 또는 격자 형상의 나노선을 형성하는 제 6 단계; 및 상기 형성된 대전된 물질을 포함하는 나노선 상에 상기 대전된 물질과 반대로 대전된 나노입자를 도포함으로써 선형 또는 격자 형상의 전도성 나노선을 형성하는 제 7 단계
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 OTS(octadecyltrichlorosilane) 또는 DLC(다이아몬드상 카본, diamond-like carbon)를 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 집적 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 보호층은 상기 DLC를 플라즈마 화학 기상증착법(PECVD: plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 증착함으로써 형성되는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 중간층은 폴리머 또는 SiO2를 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계에서 사용되는 상기 대전된 물질이 음으로 대전된 DNA 인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 흡착층은 양으로 대전된 APS(aminoropyltriethoxysilane) 또는 MHA를 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계에서 상기 기판 상에 상기 대전된 물질이 포함된 용액을 도포하는 단계는, 상기 대전된 물질이 포함된 용액을 상기 기판 상에 도포한 후 상기 기판을 한쪽으로 기울이는 것을 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계에서 상기 기판 상에 상기 대전된 물질이 포함된 용액을 도포하는 단계는, 상기 대전된 물질이 포함된 용액에 상기 흡착층이 형성된 기판을 넣고 한쪽 방향으로 끌어당기는 것을 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계에서 사용되는 상기 대전된 물질이 양으로 대전된 나노선, 나노구조체 또는 바이오 나노입자를 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 제 4 단계에서 흡착층은 음이온으로 대전된 MHA(16-mercaptohexadecanonic acid)을 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 제 7 단계에서 사용되는 나노입자는 탄소나노튜브, 나노선, 금속성 나노입자, 반도체성 나노입자, 자성체성 나노입자, 바이오 나노입자, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
12 12
하기를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 전도성 나노선의 고집적 방법: 기판 상에 전자빔 레지스트층을 도포하고 전자빔 리소그래피 공정을 이용하여 상기 전자빔 레지스트층의 선형 나노패턴을 형성하는 제 1 단계; 상기 전자빔 레지스트층의 선형 나노패턴의 개구 부분을 통하여 드러나 있는 상기 기판 상에 흡착층을 형성하는 제 2 단계; 상기 선형 패턴의 전자빔 레지스트층을 상기 기판으로부터 제거하는 제 3 단계; 상기 흡착층 상에 양 또는 음으로 대전된 물질이 포함된 용액을 도포하여 상기 대전된 물질을 포함하는 선형의 나노선을 형성하는 제 4 단계; 및 상기 형성된 대전된 물질의 나노선 상에 상기 대전된 물질과 반대로 대전된 나노입자를 도포함으로써 전도성 나노선을 형성하는 제 5 단계
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 제 2 단계에서 상기 흡착층은 양으로 대전된 APS 또는 MHA를 포함하는 것인, 대전된 물질을 이용한 1 차원 전도성 나노선의 고집적 방법
14 14
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항의 고집적 방법에 따라 형성되는, 대전된 물질을 이용한 고집적 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선
15 15
제 14 항에 따른 고집적 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선을 포함하는 나노-분자 소자
16 16
제 14 항에 따른 고집적 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선을 포함하는 전자소자
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부-과학재단-중견연구자 성균관대학교 산학협력단 핵심연구지원사업-(구)특정기초 DNA 기반 전도성 나노와이어를 이용한 고감도 나노 바이오센서에 관한 연구