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산화아연 나노결정과 실리콘 나노결정의 하이브리드나노구조 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014032896
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약 본 발명은 산화아연(ZnO) 나노결정과 실리콘(Si) 나노결정의 하이브리드 나노구조의 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 기판(p-type)(10)상에 실리콘 산화막(SiOx)(12)을 이온빔 스퍼터링 증착법에 의해 두께 30nm-100nm로 증착시키는 제1 단계; RF 스퍼터링 증착법에 의해 상기 실리콘 산화막(12)상에 ZnO 박막(14)을 5-20nm가 되도록 증착시키는 제2 단계; 및 상기 실리콘 산화막(12)과 Zn0 박막(14)이 증착된 실리콘 기판(10)을 질소 분위기하에서 1000℃-1100℃의 온도에서 20분-60분 동안 급속열처리(Rapid Thermal Annealing)시키는 제3 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, ZnO 나노결정과 Si 나노결정이 하이브리드되어 전자나 캐리어들의 전이가 예상됨으로써 새로운 발광 및 전이적 특성을 가지며 ZnO보다 매우 긴 캐리어 수명시간(lifetime)을 나타낼 수 있게 되는 효과가 있다. 산화아연 나노결정 및 실리콘 나노결정의 하이브리드, 나노구조, 급속열처리
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020080030488 (2008.04.01)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0971135-0000 (2010.07.13)
공개번호/일자 10-2009-0105187 (2009.10.07) 문서열기
공고번호/일자 (20100720) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기 수원시 영통구
2 김성 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0237911-49
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0057900-75
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0227488-06
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0227486-15
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0286773-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
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실리콘 기판(p-type)(10)상에 실리콘 산화막(SiOx)(12)을 이온빔 스퍼터링 증착법에 의해 두께 30nm-100nm로 증착시키는 제1 단계와, RF 스퍼터링 증착법에 의해 상기 실리콘 산화막(12)상에 ZnO 박막(14)을 5-20nm가 되도록 증착시키는 제2 단계 및, 상기 실리콘 산화막(12)과 Zn0 박막(14)이 증착된 실리콘 기판(10)을 질소 분위기하에서 1000℃-1100℃의 온도에서 20분-60분 동안 급속열처리(Rapid Thermal Annealing)시키는 제3 단계로 이루어지는 산화아연 나노결정과 실리콘 나노결정의 하이브리드 나노구조의 제조방법에 있어서, 상기 제3 단계의 ZnO와 Si의 결정화 작업에 의해서 상기 실리콘 산화막(12; SiO2) 속에 실리콘 나노결정층(Si NC)(22,24)과 ZnO NC층(23)이 섞여있는 ZnO NC/Si NC 하이브리드 나노층(20)이 형성되는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노결정 및 실리콘 나노결정의 하이브리드 나노구조의 제조방법
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