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그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법
- 기술번호 : KST2014046634
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그라핀 옥사이드를 플렉서블 저항변화 메모리 소자로 활용하기 위하여 전압에 따라 저항 변화 특성을 보일 수 있는 메모리 소자 구조를 플렉서블 기판 상에 형성함으로써 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작방법을 개시한다. 이 방법은 a) 기판 상에 하부 전극 층을 형성하는 단계, b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 그라핀 옥사이드 층을 형성하는 단계, 및 c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | G11C 13/0004(2013.01) G11C 13/0004(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100024503 (2010.03.19) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1089066-0000 (2011.11.28) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0105408 (2011.09.27) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20111206) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.03.19) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조병진 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 홍슬기 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이달로 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로 **길 ** 네오클래식 ***호(이달로특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0174109-96 |
| 2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2010.03.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0027700-49 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0274562-78 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2010.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0281323-37 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0304261-60 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.07.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0591696-13 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0591697-69 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0480227-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 다음의 단계를 포함하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법: (a) 플렉서블 기판 상에 하부 전극 층을 형성하고 자외선 처리를 수행하는 단계; (b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 메탄올과 물을 혼합한 그라핀 옥사이드 용액을 스핀코팅법을 사용하여 그라핀 옥사이드 층을 형성하되 일회의 스핀코팅으로 3nm 두께를 만들고 이를 반복하여 원하는 두께로 층을 형성하며, 스핀코팅과 동시에 질소를 주입하는 단계; 및 (c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하고 500℃이하로 열처리하는 단계 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에테르설폰 (PES) 플라스틱 기판중 하나를 포함하여 제작되는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서 기판위에 형성되는 하부 전극은 알루미늄 (Al), 니켈(Ni), 플래티늄(Pt), 금(Au), 구리(Cu), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 납(Pd), 또는 인듐 틴 옥사이드 (ITO) 중 하나를 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 하부 전극은 인듐 틴 옥사이드(ITO) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 초음파 분해를 통하여 그라핀 옥사이드 입자의 크기를 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 그라핀 옥사이드 층의 두께는 스핀코팅 횟수와 그라핀 옥사이드 용액의 그라핀 옥사이드 입자의 크기 및 농도에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 형성된 그라핀 옥사이드층을 열처리 하는 과정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 8 |
8 제 7항에 있어서, 상기 열처리는 상기 (b) 단계에서 형성된 그라핀 옥사이드 층을 500℃이하에서 처리하는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 9 |
9 제 8항에 있어서, 상기 열처리는 전열기를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 그라핀 옥사이드 층의 두께는 25~35nm를 이루는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 그라핀 옥사이드 층의 두께는 30nm를 이루는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 12 |
12 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 상기 상부전극의 형성은 500℃ 이하의 내부 온도를 갖는 장비를 이용하는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 13 |
13 제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서 그라핀 옥사이드 층위에 형성되는 상부 전극은 알루미늄 (Al), 니켈(Ni), 플래티늄(Pt), 금(Au), 구리(Cu), 루테늄(Ru), 코발트(Co), 납(Pd), 또는 인듐 틴 옥사이드 (ITO) 중 하나를 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 14 |
14 제 13항에 있어서, 상부 전극은 금(Au) 또는 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법 |
| 15 |
15 다음의 공정을 통해 제작된 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자: (a) 플렉서블 기판 상에 하부 전극 층을 형성하고 자외선 처리를 수행하는 공정; (b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 메탄올과 물을 혼합한 그라핀 옥사이드 용액을 이용하고 스핀코팅법을 사용하여 그라핀 옥사이드 층을 형성하되 일회의 스핀코팅으로 3nm 두께를 만들고 이를 반복하여 원하는 두께로 층을 형성하며, 스핀코팅과 동시에 질소를 주입하는 공정; 및(c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하고 500℃이하로 열처리하는 공정 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1089066-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100319 출원 번호 : 1020100024503 공고 연월일 : 20111206 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110826 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20171129 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2011년 11월 28일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 274,540 원 | 2014년 12월 31일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2015년 10월 29일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2016년 10월 26일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.03.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0174109-96 |
| 2 | 보정요구서 | 2010.03.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2010-0027700-49 |
| 3 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0274562-78 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2010.04.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0281323-37 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.06.02 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0304261-60 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.07.30 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0591696-13 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.07.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0591697-69 |
| 8 | 등록결정서 | 2011.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0480227-01 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014046634 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 이의 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 그라핀 옥사이드를 플렉서블 저항변화 메모리 소자로 활용하기 위하여 전압에 따라 저항 변화 특성을 보일 수 있는 메모리 소자 구조를 플렉서블 기판 상에 형성함으로써 그라핀 옥사이드를 이용한 플렉서블 저항변화 메모리 소자의 제작방법을 개시한다. 이 방법은 a) 기판 상에 하부 전극 층을 형성하는 단계, b) 상기 형성된 하부 전극 층 위에 그라핀 옥사이드 층을 형성하는 단계, 및 c) 형성된 그라핀 옥사이드 층 위에 상부 전극 층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 전원소자 기술 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345123752 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-2002744 |
| 연구과제명 | 그래핀 제작방법 및 물성 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200806~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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