맞춤기술찾기
이전대상기술
블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
- 기술번호 : KST2014047212
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자는 전극층 및 상기 전극층과 접촉하며, 상기 전극층으로부터 발생한 열에 따라 결정형으로 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극층과 상변화층 사이에는 마스크층을 포함하며, 여기에서 상기 마스크층은 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역이 선택적으로 제거되는 방식으로 패터닝된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 제조방법은 블록공중합체의 자기조립 구조를 이용, 상변화층과 전극층 사이의 접촉면적을 제어, 감소시키므로, 소자의 리셋 전류를 감소시킬 수 있다. 더 나아가, 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용, 마스크층을 제조하므로, 리쏘그래피-식각 공정을 통한 마스크 주형 제조방식에 비하여 보다 경제적인 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100131807 (2010.12.21) |
| 출원인 | 한국과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1166434-0000 (2012.07.11) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0070302 (2012.06.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120719) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.12.21) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이정용 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 윤종문 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
| 3 | 정후영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 4 | 김용인 | 대한민국 | 울산광역시 중구 |
| 5 | 김청수 | 대한민국 | 충청북도 청주시 흥덕구 |
| 6 | 김성규 | 대한민국 | 충청북도 청주시 흥덕구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 다해 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 삼성로***, *층(삼성동,고운빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국과학기술원 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0845194-17 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0079994-02 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0763719-67 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0148005-61 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0233949-18 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0266239-72 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0266240-18 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.04.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0328777-56 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.04.25 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0328778-02 |
| 11 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2012.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0238978-39 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0369223-26 |
| 13 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 [Abandonment of Partial Claims] Request for Withdrawal (Abandonment) |
2012.07.11 | 수리 (Accepted) | 2-1-2012-0342892-17 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 전극층 및 상기 전극층과 접촉하며, 상기 전극층으로부터 발생한 열에 따라 결정형으로 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극층과 상변화층 사이에는 마스크층을 포함하며, 여기에서 상기 마스크층은 열처리 방식에 따라 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역이 선택적으로 제거된 블록공중합체이며, 상기 일부 중합체 블록 영역의 제거에 따라 상기 마스크층에는 상하가 연통하는 복수 개의 홀이 형성되고, 상기 선택적으로 제거된 중합체 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극층은 접촉하며, 상기 전극층에서 발생한 열 발생에 따라 상기 상변화층의 결정형이 변화되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체 중 선택적으로 제거되지 않은 중합체 블록 영역에서는 상기 상변화층과 전극층이 접촉되지 않는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1항에 있어서, 상기 전극층은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리메타크릴레이트 블록공중합체(PS-b-PMMA)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리메타크릴레이트가 실린더 형상으로 자기조립되고, 여기에서 제거되는 상기 일부 중합체 블록은 폴리메타크릴레이트 영역인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 블록공중합체(PS-b-PDMS)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리디메틸실록산이 실린더 형상으로 자기조립되고, 여기에서 제거되는 상기 일부 중합체 블록은 폴리디메틸실록산 영역인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 전극층은 상기 상변화층을 사이에 두는 상부전극층 및 하부전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 |
| 9 |
9 상변화층 및 상기 상변화층에 열을 인가하기 위한 전극층을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서, 상기 전극층 상에 블록공중합체로 이루어진 마스크층을 적층한 후, 열처리에 의하여 상기 마스크층을 자기조립시키는 단계;자기조립된 상기 마스크층의 일부 중합체 블록을 제거하여, 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 및상기 마스크층 상에 상변화층을 적층하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 제거된 중합체 블록 영역에서 상기 상변화층과 전극층은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 10 |
10 제 9항에 있어서, 상기 전극층은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 11 |
11 제 9항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리메타크릴레이트 블록공중합체(PS-b-PMMA)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리메타크릴레이트가 실린더 형상으로 자기조립되고, 여기에서 제거되는 상기 일부 중합체 블록은 폴리메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 12 |
12 제 9항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 블록공중합체(PS-b-PDMS)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리디메틸실록산이 실린더 형상으로 자기조립되고, 여기에서 제거되는 상기 일부 중합체 블록은 폴리디메틸실록산 영역인 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 13 |
13 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 14 |
14 상변화층 및 상기 상변화층에 열을 인가하기 위한 전극층을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법에 있어서, 기판상에 하부전극층을 적층하는 단계;상기 하부전극층 상에 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 블록공중합체(PS-b-PDMS)로 이루어진 마스크층을 도포한 후, 열처리하여 상기 마스크층을 자기조립시키는 단계;자기조립된 상기 마스크층의 폴리디메틸실록산 블록을 제거하여, 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 마스크층 상에 상변화층을 적층하는 단계; 및 상기 상변화층 상에 상부전극층을 적층하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 제거된 중합체 블록의 영역에서 상기 상변화층과 하부전극층은 서로 접촉하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 하부전극층, 상부전극층은 질화티타늄(TiN)이고, 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법 |
| 16 |
16 청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1166434-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20101221 출원 번호 : 1020100131807 공고 연월일 : 20120719 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120626 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170712 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국과학기술원 대전광역시 유성구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2012년 07월 12일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2015년 06월 29일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2016년 07월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0845194-17 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.09.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.10.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0079994-02 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0763719-67 |
| 5 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.02.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0148005-61 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0233949-18 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0266239-72 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.03 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0266240-18 |
| 9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.04.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0328777-56 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.04.25 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0328778-02 |
| 11 | 최후의견제출통지서 | 2012.04.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0238978-39 |
| 12 | 등록결정서 | 2012.06.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0369223-26 |
| 13 | [일부 청구항 포기]취하(포기)서 | 2012.07.11 | 수리 (Accepted) | 2-1-2012-0342892-17 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.02.01 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5019983-17 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157968-69 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5157993-01 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.12.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5158129-58 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.04.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5081392-49 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.05.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5108396-12 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.06.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5131486-63 |
| 기술번호 | KST2014047212 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국과학기술원 |
| 기술명 | 블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 |
| 기술개요 |
블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상변화 메모리 소자는 전극층 및 상기 전극층과 접촉하며, 상기 전극층으로부터 발생한 열에 따라 결정형으로 상변화가 발생하는 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자에 있어서, 상기 전극층과 상변화층 사이에는 마스크층을 포함하며, 여기에서 상기 마스크층은 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역이 선택적으로 제거되는 방식으로 패터닝된 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 제조방법은 블록공중합체의 자기조립 구조를 이용, 상변화층과 전극층 사이의 접촉면적을 제어, 감소시키므로, 소자의 리셋 전류를 감소시킬 수 있다. 더 나아가, 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용, 마스크층을 제조하므로, 리쏘그래피-식각 공정을 통한 마스크 주형 제조방식에 비하여 보다 경제적인 상변화 메모리 소자를 제조할 수 있다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 소자응용 기술 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345136256 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2007 |
| 연구과제명 | 재료사업단 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한국과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
| [1020100131807] | 블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [1020100131806] | 플라스틱 바이오 센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100123380] | 접착제 조성물 및 그 조성물을 이용한 웨이퍼레벨의 패키지 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100121453] | 층상구조 기판을 이용한 플라스틱 태양전지 제조방법, 이에 따라 제조된 플라스틱 태양전지 | 새창보기 |
| [1020100116994] | 양자점 및 희토류 착물이 결합된 나노복합체 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100090645] | Ｖ－ＭＡ 펄라이트-페라이트 열간-단조강 제조를 위한 다-단 제어냉각공정 | 새창보기 |
| [1020100090520] | 나노 파이버를 이용한 전도성 폴리머 접착제 | 새창보기 |
| [1020100083775] | 블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자 | 새창보기 |
| [1020100072953] | 고속 열경화형 금속 표면 처리용 조성물 및 표면 처리 강판 | 새창보기 |
| [1020100060759] | 염을 이용한 흑연 층간 화합물 제조에 의한 그래핀 제조 방법 | 새창보기 |
| [1020100051725] | 전자 부품 조립체 및 그의 형성 방법 | 새창보기 |
| [1020100039284] | 박막트랜지스터용 금속 산화물 반도체 제조용 용액 조성물 | 새창보기 |
| [1020100020270] | 고용량 리튬 전이금속 산화물과 그것을 포함하고 있는 리튬 이차전지 | 새창보기 |
| [1020100002336] | 가수분해 반응에 의한 고속 수소 생산용 3상 알루미늄 합금 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
| [1020100001674] | 전자 패키지용 접착제의 제조방법 | 새창보기 |
중요키워드
| [KST2015116558][한국과학기술원] | 멀티비트 메모리 소자 | 새창보기 |
|---|---|---|
| [KST2015119196][한국과학기술원] | 다결정 실리콘 박막을 이용한 EEPROM 및 플래시메모리와 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015118480][한국과학기술원] | 충돌 이온화 금속산화반도체를 이용한 플래시 메모리 | 새창보기 |
| [KST2015118752][한국과학기술원] | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2018011208][한국과학기술원] | 비휘발성 메모리 소자, 이의 데이터 소거 방법 및 이를 포함하는 전자 시스템 | 새창보기 |
| [KST2014067199][한국과학기술원] | [비휘발성 메모리 기반 저장장치]3차원 전면 게이트 구조를 갖는 비휘발성 디램 소자 기술 | 새창보기 |
| [KST2015111345][한국과학기술원] | 절연체로 N2O 플라즈마 산화막을 이용한 EEPROM 및 플래시 메모리와 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015113382][한국과학기술원] | 이중블록공중합체를 기반으로 한 마이셀 템플릿으로 합성된 금속 나노크리스탈이 삽입된 3차원 구조의 비휘발성 메모리의 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2014044816][한국과학기술원] | 투명 전자소자용 투명 메모리 | 새창보기 |
| [KST2019024102][한국과학기술원] | 수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법 | 새창보기 |
| [KST2015112748][한국과학기술원] | 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그동작방법 | 새창보기 |
| [KST2015113394][한국과학기술원] | 고집적 반도체 융합 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015119316][한국과학기술원] | 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015117293][한국과학기술원] | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자를 초고층으로 확장하는 방법 | 새창보기 |
| [KST2015119416][한국과학기술원] | 저항 변화 메모리 | 새창보기 |
| [KST2015114190][한국과학기술원] | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자, 그 제조 방법 및 메모리 칩 | 새창보기 |
| [KST2015117443][한국과학기술원] | 블록공중합체를 이용한 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 멀티저항 특성의 상변화 메모리 소자 | 새창보기 |
| [KST2015117798][한국과학기술원] | 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015115518][한국과학기술원] | 광유기 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법, 광 검출기 | 새창보기 |
| [KST2015112331][한국과학기술원] | 백―바이어스를 이용하여 ＳＯＩ 기판에 형성된 플래시 블록을 소거하기 위한 플래시 메모리 소자의 제조 방법, 그 소거 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
| [KST2015113017][한국과학기술원] | 비휘발성 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015113209][한국과학기술원] | 융합 메모리 소자, 융합 메모리 소자의 제조방법 및 동작방법 | 새창보기 |
| [KST2015116039][한국과학기술원] | 쌍극자를 가진 자기조립 단분자막을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 | 새창보기 |
| [KST2016007850][한국과학기술원] | 혼합 블록공중합체를 이용한 링 형태 전자소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 링 형태 전자소자(Method for patterning block copolymer using mixed solvent and mixed block copolymer and method for manufacturing nanostructures using the same) | 새창보기 |
| [KST2015112743][한국과학기술원] | 기계적인 스위치를 이용한 비휘발성 메모리 셀 및 그어레이 | 새창보기 |
| [KST2015118493][한국과학기술원] | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015115772][한국과학기술원] | 절연 나노입자를 이용한 상변화 메모리 소자, 플렉서블 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
| [KST2015118291][한국과학기술원] | 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 플렉서블 플래쉬 메모리 소자 | 새창보기 |
| [KST2015113343][한국과학기술원] | 반도체 메모리 소자 및 그 구동방법 | 새창보기 |
| [KST2015117042][한국과학기술원] | 그래핀 게이트 전극을 이용한 비휘발성 메모리 소자 | 새창보기 |
| 심판사항 정보가 없습니다 |
|---|