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블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자

기술번호 : KST2015114207
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	블록공중합체를 이용한 상변화 메모리 소자 제조방법 및 이에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 상변화 메모리 소자 제조방법은 기판 상에 순차적으로 적층된 하부전극층, 상변화층, 상부전극층을 포함하는 상변화 메모리 소자층을 형성하는 단계; 상기 상부전극층 상에 블록공중합체를 도포한 후, 열처리하여 자기조립시키는 단계; 상기 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역을 선택적으로 제거하여, 실린더 구조가 패턴된 블록공중합체 주형을 제조하는 단계; 상기 블록공중합체 주형 상에 마스크용 금속층을 적층한 후, 상기 블록공중합체 주형을 제거하는 단계; 및 상기 마스크용 금속층 및 상변화 메모리 소자층을 반응성 이온식각하는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 상변화 메모리 제조방법은 블록공중합체의 자기조립 구조를 이용, 상변화 메모리 소자를 기판에 제조하므로, 대면적으로 상변화 메모리 소자를 경제적으로 제조할 수 있다.
Int. CL	H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC	H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01) H01L 45/06(2013.01)
출원번호/일자	1020100083775 (2010.08.30)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0020265 (2012.03.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	거절
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2010.08.30)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이정용	대한민국	대전광역시 유성구
2	윤종문	대한민국	대전광역시 서구
3	정성준	대한민국	울산광역시 남구
4	김상욱	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 다해	대한민국	서울특별시 강남구 삼성로**, 층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0557598-15
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2011.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2011.08.12	수리 (Accepted)	9-1-2011-0066626-11
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.08.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0464981-22
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.10.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0775115-80
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2011-0775114-34
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0185282-49
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0425193-01
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0425194-46
10	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2012.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0648995-66
11	심사관의견요청서 Request for Opinion of Examiner	2013.01.14	수리 (Accepted)	7-8-2013-0001281-25
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
18	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 순차적으로 적층된 하부전극층, 상변화층, 상부전극층을 포함하는 상변화 메모리 소자층을 형성하는 단계; 상기 상부전극층 상에 블록공중합체를 도포한 후, 열처리하여 자기조립시키는 단계; 상기 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역을 선택적으로 제거하여, 실린더 구조가 패턴된 블록공중합체 주형을 제조하는 단계; 상기 블록공중합체 주형 상에 마스크용 금속층을 적층한 후, 상기 블록공중합체 주형을 제거하는 단계; 및 상기 마스크용 금속층 및 상변화 메모리 소자층을 반응성 이온식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 반응성 이온식각에 따라 상기 마스크용 금속층 하부의 상변화 메모리 소자층은 원뿔 또는 원뿔 기둥 형태가 되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 마스크용 금속층은 크롬, 상기 하부전극층과 상부 전극층은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 반응성 이온식각은 상기 상부전극층을 제거하기 위한 제 1 식각단계; 제 1 식각 단계에 따라 노출되는 상변화층을 식각하기 위한 제 2 식각단계를 포함하며, 제 1 식각 단계 후 노출되는 상기 상변화층은 제 2 식각단계에 의하여 모두 식각되어, 제거되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
5	5 제 4항에 있어서, 상기 제 1 식각단계는 염소(Cl2) 및 비활성기체의 혼합 반응 기체에서 진행되며, 제 2 식각단계는 사불화탄소(CF4) 및 비활성기체의 혼합 반응기체에서 진행되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
6	6 제 5항에 있어서, 상기 제 2 식각단계에서 상기 상변화층의 식각속도는 상기 하부전극층의 식각속도보다 높은 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리메타크릴레이트 블록공중합체(PS-b-PMMA)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리메타클릴레이트 영역이 실린더 형상으로 자기조립되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 블록공중합체는 폴리스티렌-폴리디메틸실록산 블록공중합체(PS-b-PDMS)이며, 상기 열처리에 의하여 폴리스티렌 기재에 폴리디메틸실록산 영역이 실린더 형상으로 자기조립되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
9	9 제 4항에 있어서, 상기 제 2 식각 단계 후 상기 기판 상에는 하부전극층이 전면으로 남는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
10	10 제 1항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자
11	11 기판; 상기 기판상에 적층된 하부 전극층;상기 하부전극층 상에 적층되된 상변화층; 및 상기 상변화층 상부에 적층된 상부 전극을 포함하는 상변화 메모리 소자로서, 상기 소자는 원뿔 기둥 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
12	12 제 11항에 있어서, 상기 상변화 메모리 소자는 기판 상에 복수 개로 이격된 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자
13	13 기판 상에 제 1 금속층을 적층하는 단계; 상기 제 1 금속층 상에 순차적으로 적층된 하부전극층, 상변화층, 상부전극층을 포함하는 상변화 메모리 소자층을 형성하는 단계; 상기 상부전극층 상에 블록공중합체를 도포한 후, 열처리하여 자기조립시키는 단계; 상기 자기조립된 블록공중합체 중 일부 중합체 블록 영역을 선택적으로 제거하여, 실린더 구조가 패턴된 블록공중합체 주형을 제조하는 단계; 상기 블록공중합체 주형 상에 마스크용 금속층을 적층하는 단계; 상기 블록공중합체 주형을 제거하는 단계; 및 상기 마스크용 금속층 및 상변화 메모리 소자층을 반응성 이온식각하는 단계를 포함하며, 여기에서 상기 제 1 금속층을 상기 반응성 이온식각의 식각 멈춤층으로 사용하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
14	14 제 13항에 있어서, 상기 제 1 금속층은 백금을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
15	15 제 13항에 있어서, 상기 반응성 이온식각에 따라 상기 마스크용 금속층 하부의 상변화 메모리 소자층은 원뿔 또는 원뿔 기둥 형태가 되는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
16	16 제 13항에 있어서, 상기 마스크용 금속층은 크롬, 상기 하부전극층과 상부 전극층은 질화티타늄(TiN), 상기 상변화층은 칼코게나이드 화합물로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자 제조방법
17	17 제 13항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조된 상변화 메모리 소자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2010-0557598-15
2	선행기술조사의뢰서	2011.07.12	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2011.08.12	수리 (Accepted)	9-1-2011-0066626-11
4	의견제출통지서	2011.08.19	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0464981-22
5	[명세서등 보정]보정서	2011.10.05	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0775115-80
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.10.05	수리 (Accepted)	1-1-2011-0775114-34
7	의견제출통지서	2012.03.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0185282-49
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.05.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0425193-01
9	[명세서등 보정]보정서	2012.05.29	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0425194-46
10	거절결정서	2012.10.29	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0648995-66
11	심사관의견요청서	2013.01.14	수리 (Accepted)	7-8-2013-0001281-25
12	출원인정보변경(경정)신고서	2013.02.01	수리 (Accepted)	4-1-2013-5019983-17
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157968-69
14	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5157993-01
15	출원인정보변경(경정)신고서	2014.12.24	수리 (Accepted)	4-1-2014-5158129-58
16	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
17	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
18	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


과제고유번호	1345136256
세부과제번호	과C6A2007
연구과제명	재료사업단
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	한국과학기술원
성과제출연도	2010
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2012101010114	2012원10114	2010년 특허출원 제0083775호 거절결정불복	2012.11.29	2014.03.21

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