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전계효과 트랜지스터 및 이에 기반한 센서
- 기술번호 : KST2015135708
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 전계효과 트랜지스터에 있어서, 소스 전극 및 드레인 전극과 별개로 형성되며 반도체 채널의 표면에 접촉하여 쇼트키 장벽을 형성하는 전극을 형성함으로써 쇼트키 장벽의 조절을 용이하게 할 수 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/47 (2006.01.01) H01L 29/78 (2006.01.01) |
| CPC | H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090128381 (2009.12.21) |
| 출원인 | 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1711205-0000 (2017.02.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0071737 (2011.06.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20170302) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2014.12.19) |
| 심사청구항수 | 19 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 삼성전자주식회사 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 2 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 홍승훈 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 2 | 김병주 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
| 3 | 이문숙 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인 하나 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 *, *층(역삼동, 삼흥역삼빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 서울대학교산학협력단 | 서울특별시 관악구 | |
| 2 | 삼성전자주식회사 | 경기도 수원시 영통구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0790952-16 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0799923-57 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2012.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0468449-35 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2014.12.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1234942-60 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 10 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2015.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0866470-70 |
| 11 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2016.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0132663-13 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.02.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0132660-76 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0132657-38 |
| 14 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2016.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0431261-99 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2016.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0782772-04 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2016.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0782773-49 |
| 17 | 등록결정서 Decision to grant |
2016.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0927914-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판; 상기 기판 상에 형성된 반도체 채널; 상기 반도체 채널의 양 단에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 별개로 형성되며 반도체 채널의 표면에 직접 접촉하여 쇼트키 장벽(Schottky barrier)을 형성하는 제 3 전극; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 제 3 전극은 서로 평행하게 형성되고, 상기 반도체 채널은 상기 소스 전극, 드레인 전극 및 제 3 전극의 폭 방향에 대하여 직교하는, 전계효과 트랜지스터 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼, III-V족 반도체 기판, II-VI 족 반도체 기판, 에피텍셜 성장된 SiGe 기판, 유리, 석영, 금속 및 플라스틱으로 이루어진 군에서 선택된, 전계효과 트랜지스터 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 채널은 나노선 또는 나노튜브로 이루어진, 전계효과 트랜지스터 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 나노선은 실리콘(Si), 산화아연(ZnO), 오산화바라듐(VO), 질화갈륨(GaN), 인화갈륨(GaP), 인화인듐(InP), 인듐비소(InAs), 갈륨비소(GaAs), 산화티탄(TiO2), 산화주석(SnO2), 질화알루미늄(AlN), 및 이들의 혼합물 또는 합금으로 이루어진 군에서 선택되고, 상기 나노튜브는 단일벽 나노튜브(Single Walled NanoTube), 다중벽 나노튜브(Mullti Walled NanoTube), 및 다발형 나노튜브(Rope NanoTube)로 이루어진 군에서 선택되는, 전계효과 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면 또는 반도체 채널과의 접촉면은 절연성 물질로 피복된, 전계효과 트랜지스터 |
| 7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인은 각각 독립적으로 백금(Pt), 금(Au), 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo), 납(Pb), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 코발트(Co), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 어븀(Er), 이터븀(Yb), 사마륨(Sm), 이트륨(Y), 가돌륨(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 혼합물 또는 합금으로 이루어진 군에서 선택된 금속으로 이루어진, 전계효과 트랜지스터 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 반도체 채널이 n형 반도체 물질로 이루어진 경우 제 3 전극은 일함수가 반도체의 일함수보다 큰 금속으로 이루어지고, 반도체 채널이 p형 반도체 물질로 이루어진 경우 제 3 전극은 일함수가 반도체의 일함수보다 작은 금속으로 이루어지는, 전계효과 트랜지스터 |
| 9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 제 3 전극은 복수 개이고, 복수 개의 제 3 전극들 사이 간격은 1 ~ 20 ㎛인, 전계효과 트랜지스터 |
| 10 |
10 제 8 항에 있어서, 상기 제 3 전극의 폭은 반도체 채널 폭의 2배 이상인, 전계효과 트랜지스터 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 하부에 형성된 게이트 전극;을 더욱 포함하는 전계효과 트랜지스터 |
| 12 |
12 반도체 채널; 상기 반도체 채널의 양 측에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 별개로 형성되며 반도체 채널의 표면에 직접 접촉하여 쇼트키 장벽을 형성하는 제 3 전극; 및상기 제 3 전극의 표면에 부착되고 표적물질과 결합하는 반응물질; 을 포함하는 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 표면 또는 반도체 채널과의 접촉면은 절연성 물질로 피복된, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 14 |
14 제 12 항에 있어서, 반도체 채널이 n형 반도체 물질로 이루어진 경우에는 제 3 전극은 일함수가 반도체의 일함수보다 큰 금속으로 이루어지고, 반도체 채널이 p형 반도체 물질로 이루어진 경우에는 제 3 전극은 일함수가 반도체의 일함수보다 작은 금속으로 이루어지는, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 15 |
15 제 14 항에 있어서, 표적물질과 반응물질이 결합할 때 제 3 전극의 일함수가 변화하는, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 제 3 전극의 표면은 반응물질과 반응성을 갖는 작용기 또는 링커 분자를 포함하도록 개질된, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 17 |
17 제 14 항에 있어서, 상기 제 3 전극은 복수 개이고, 복수 개의 제 3 전극들 사이 간격은 1 ~ 20 ㎛이며, 제 3 전극의 폭은 반도체 채널 폭의 2배 이상인, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 18 |
18 제 12 항에 있어서, 상기 제 3 전극의 개수, 형태, 및 크기로 이루어진 군에서 선택된 1 이상을 조절함으로써 쇼트키 장벽에 의한 접촉저항을 조절하는, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 19 |
19 제 12 항에 있어서, 상기 표적물질은 폴리뉴클레오티드, 폴리펩티드, 올리고당, 호르몬, 유기분자, 생체이물, 바이오분자, 가스, 및 화학물질로 이루어진 군에서 선택되는, 전계효과 트랜지스터 기반 센서 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08247797 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20110147714 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2011147714 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8247797 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1711205-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091221 출원 번호 : 1020090128381 공고 연월일 : 20170302 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20161223 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 29/47 발명의 명칭 : 전계효과 트랜지스터 및 이에 기반한 센서 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
| 1 |
(권리자) 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 786,000 원 | 2017년 02월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 458,000 원 | 2020년 01월 20일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0790952-16 |
| 2 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0799923-57 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
| 4 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2012.06.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0468449-35 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.21 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5132663-40 |
| 6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
| 7 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2014.12.19 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-1234942-60 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
| 10 | 의견제출통지서 | 2015.12.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2015-0866470-70 |
| 11 | [대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2016.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0132663-13 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.02.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0132660-76 |
| 13 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.02.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0132657-38 |
| 14 | 의견제출통지서 | 2016.06.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0431261-99 |
| 15 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2016.08.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0782772-04 |
| 16 | [명세서등 보정]보정서 | 2016.08.11 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2016-0782773-49 |
| 17 | 등록결정서 | 2016.12.23 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2016-0927914-49 |
| 18 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
| 기술정보가 없습니다 |
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| 과제정보가 없습니다 |
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