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복수의 그래핀 채널층을 구비하는 그래핀 전자소자

  • 기술번호 : KST2015136884
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 복수의 그래핀 채널층을 구비한 그래핀 전자소자가 개시된다. 개시된 그래핀 전자소자는 기판 상의 게이트 전극과, 상기 기판 상에서 상기 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막과, 상기 제1 게이트 절연막 상에서, 그 사이에 제2 게이트 절연막이 개재된 복수의 그래핀 채널층과, 상기 복수의 그래핀 채널층의 각 그래핀 채널층의 양단부와 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 구비한다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01)
CPC H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01) H01L 29/41733(2013.01)
출원번호/일자 1020100138041 (2010.12.29)
출원인 삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1791938-0000 (2017.10.25)
공개번호/일자 10-2012-0076061 (2012.07.09) 문서열기
공고번호/일자 (20171102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.18)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현종 대한민국 경기도 화성시 병점로 *,
2 이재홍 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 이재호 대한민국 서울특별시 강북구
4 신형철 대한민국 서울특별시 서초구
5 서순애 대한민국 경기 화성시
6 이성훈 대한민국 경기도 화성시
7 허진성 대한민국 경기도 수원시 권선구
8 양희준 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
2 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0872863-76
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2015-0263318-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0015694-15
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0513157-49
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0721773-86
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0721774-21
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0071785-91
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0162933-17
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0162934-63
16 등록결정서
Decision to grant		 2017.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0530575-09
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상의 게이트 전극;상기 기판 상에서 상기 게이트 전극을 덮는 제1 게이트 절연막;상기 제1 게이트 절연막 상에서, 그 사이에 제2 게이트 절연막이 개재된 복수의 그래핀 채널층; 및상기 복수의 그래핀 채널층의 각 그래핀 채널층의 양단부와 연결된 소스 전극 및 드레인 전극;을 구비하며, 상기 복수의 그래핀 채널층은 상기 제1 게이트 절연막 상의 제1 그래핀 채널층과, 상기 제2 게이트 절연막 상의 제2 그래핀 채널층을 구비하며, 상기 제1 그래핀 채널층의 길이는 상기 제2 그래핀 채널층의 길이 보다 긴 복수 그래핀 채널층을 구비하는 그래핀 전자소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 기판 상에 임베드되며 그 상면이 상기 제1 게이트 절연막과 접촉되는 그래핀 전자소자
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제2 게이트 절연막은 10 nm - 200 nm 두께로 형성된 그래핀 전자소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 제1 그래핀 채널층 및 상기 제2 그래핀 채널층의 각각의 양단과 접촉하도록 상기 제1 그래핀 채널층 및 상기 제2 그래핀 채널층 상에 형성된 그래핀 전자소자
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제2 게이트 절연막은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 하프늄 옥사이드, 알루미늄 옥사이드로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나로 형성된 그래핀 전자소자
9 9
기판;상기 기판 상에서, 사이에 절연층이 형성된 복수의 그래핀 채널층;상기 복수의 그래핀 채널층의 각 그래핀 채널층의 양단부와 연결된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에서 상기 복수의 그래핀 채널층을 덮는 제1 게이트 절연막; 및 상기 제1 게이트 절연막 상의 게이트 전극;을 구비하며, 상기 복수의 그래핀 채널층은 상기 제1 게이트 절연막 하부의 제1 그래핀 채널층과, 상기 절연층 하부의 제2 그래핀 채널층을 구비하며, 상기 절연층은 제2 게이트 절연막이며,상기 제2 그래핀 채널층의 길이는 상기 제1 그래핀 채널층의 길이 보다 긴 그래핀 전자소자
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서,상기 제2 게이트 절연막은 10 nm - 200 nm 두께로 형성된 그래핀 전자소자
12 12
제 9 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 상기 제1 그래핀 채널층 및 상기 제2 그래핀 채널층의 각각의 양단과 접촉하도록 상기 제1 그래핀 채널층 및 상기 제2 그래핀 채널층 상에 형성된 그래핀 전자소자
13 13
삭제
14 14
제 9 항에 있어서,상기 제2 게이트 절연막은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 하프늄 옥사이드, 알루미늄 옥사이드로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나로 형성된 그래핀 전자소자
15 15
도전성 기판;상기 도전성 기판을 덮는 제1 게이트 절연막;상기 제1 게이트 절연막 상에서, 그 사이에 제2 게이트 절연막이 개재된 복수의 그래핀 채널층; 및상기 복수의 그래핀 채널층의 각 그래핀 채널층의 양단부와 연결된 소스 전극 및 드레인 전극;을 구비하며, 상기 복수의 그래핀 채널층은 상기 제1 게이트 절연막 상의 제1 그래핀 채널층과, 상기 제2 게이트 절연막 상의 제2 그래핀 채널층을 구비하며, 상기 제1 그래핀 채널층의 길이는 상기 제2 그래핀 채널층의 길이 보다 긴 복수 그래핀 채널층을 구비하는 그래핀 전자소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102569398 CN 중국 FAMILY
2 US08785912 US 미국 FAMILY
3 US20120168722 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102569398 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102569398 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2012168722 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US8785912 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.