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실리콘 마스터 몰드 및 그 제조방법(Silicon master mold and method of fabricating the same)

기술번호 : KST2017011097
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 실리콘 기판을 준비하는 단계; 상기 실리콘 기판 상에 블로킹패드 패턴을 형성하는 단계; 상기 블로킹패드 패턴에 의하여 노출되는 상기 실리콘 기판에 대하여 습식 산화 공정을 수행함으로써 상기 실리콘 기판의 일부로부터 실리콘산화돔(silicon oxide dome)을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 음각 패턴의 돔형 어레이를 갖는 실리콘 마스터 몰드를 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법을 제공한다.
Int. CL	B29C 33/38 (2016.01.29) H01L 21/027 (2016.01.29) H01L 21/02 (2016.01.29) G03F 9/00 (2016.01.29)
CPC	B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01) B29C 33/3842(2013.01)
출원번호/일자	1020150185278 (2015.12.23)
출원인	한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2017-0075517 (2017.07.03) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.12.23)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	배희경	대한민국	대전광역시 유성구
2	이병주	대한민국	대전광역시 서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	김한	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국과학기술원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2015.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2015-1265342-36
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2017.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0010689-10
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2017.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0039955-16
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2017.03.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0266860-99
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2017.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2017-0266859-42
7	등록결정서 Decision to grant	2017.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0510040-26
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 실리콘 기판을 준비하는 단계;상기 실리콘 기판 상에, 실리콘산화막 패턴과 상기 실리콘산화막 패턴 상의 실리콘질화막 패턴을 포함하는, 블로킹패드 패턴을 형성하는 단계;상기 블로킹패드 패턴에 의하여 노출되는 상기 실리콘 기판에 대하여 습식 산화 공정으로서 열산화를 수행함으로써 상기 실리콘 기판의 일부로부터 실리콘산화돔(silicon oxide dome)을 형성하는 단계; 및상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 상기 실리콘산화돔에 대응되는 음각 패턴을 갖는 실리콘 마스터 몰드를 형성하는 단계;를 포함하며,상기 실리콘 마스터 몰드를 형성하는 단계에서, 상기 음각 패턴의 종단면은 각진 부분이 없이 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면에서 부드럽게 이어지는 제 1 곡선 및 상기 제 1 곡선에서 이어지는 제 2 곡선이 부드럽게 연결되어 이루어지되, 상기 제 1 곡선과 상기 제 2 곡선이 만나는 지점은 변곡점을 형성하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 실리콘산화돔을 형성하는 단계는 상기 실리콘산화돔의 측부가 상기 블로킹패드 패턴의 하부로 성장하는 단계를 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
3	3 삭제
4	4 삭제
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 기판 상에 블로킹패드 패턴을 형성하는 단계;는상기 실리콘 기판 상에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 포함하는 블로킹패드를 형성하는 단계; 상기 블로킹패드 상에 감광층을 도포하고 상기 감광층 상에 개방영역 및 폐쇄영역을 가지는 마스크를 이용하여 칩 스티칭 리소그래피 공정을 수행함으로써, 감광층 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 감광층 패턴에 의하여 노출되는 상기 실리콘질화막을 제거하고 대응되는 하부의 상기 실리콘산화막을 제거함으로써 블로킹패드 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
6	6 제 5 항에 있어서, 상기 마스크의 상기 개방영역은 상기 실리콘산화돔에 대응되는 음각 패턴에 대응되는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
7	7 제 5 항에 있어서,상기 블로킹패드는 상기 실리콘산화막 및 상기 실리콘질화막 사이에 개재되는 폴리실리콘막을 더 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
8	8 제 5 항에 있어서,상기 음각 패턴의 곡률 및 크기는 상기 블로킹패드를 형성하는 단계에서 상기 실리콘산화막 및 상기 실리콘질화막의 상대적인 두께의 비를 결정함으로써 제어되는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
9	9 제 5 항에 있어서,상기 음각 패턴의 높낮이는 상기 실리콘산화돔을 형성하는 단계에서의 습식 산화량에 따라 제어되는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
10	10 제 5 항에 있어서,상기 실리콘 마스터 몰드에서 차지하는 상기 음각 패턴의 비율을 절반으로 조절하기 위하여 상기 마스크를 구성하는 개방영역에 대한 폐쇄영역의 비율은 6/4 이상으로 결정되는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
11	11 제 1 항에 있어서,상기 실리콘산화돔을 형성하는 단계는 상기 습식 산화 공정을 수행하기 이전에 상기 블로킹패드 패턴에 의하여 노출된 상기 실리콘 기판을 소정의 깊이만큼 제거하는 단계;를 더 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
12	12 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 마스터 몰드의 표면에 절연막을 증착함으로써 표면처리 하는 단계;를 더 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
13	13 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 마스터 몰드의 표면에 금속막을 증착함으로써 표면처리 하는 단계;를 더 포함하는, 실리콘 마스터 몰드의 제조방법
14	14 실리콘 기판의 일부에 대하여 습식 산화 공정으로서 열산화를 수행하여 실리콘산화돔을 형성한 후에 상기 실리콘산화돔을 제거함으로써 구현된, 상기 실리콘산화돔에 대응되는 음각 패턴을 갖는 실리콘 마스터 몰드이며, 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면에서 상기 음각 패턴으로 연결되는 부분이 각진 부분이 없이 부드러운 곡면으로 이루어지는, 실리콘 마스터 몰드
15	15 제 14 항에 있어서,상기 음각 패턴의 종단면은 상기 실리콘 마스터 몰드의 상부 표면에서 각진 부분이 없이 부드럽게 이어지는 제 1 곡선 및 상기 제 1 곡선에서 이어지는 제 2 곡선이 부드럽게 연결되어 이루어지되, 상기 제 1 곡선과 상기 제 2 곡선이 만나는 지점은 변곡점을 형성하는, 실리콘 마스터 몰드

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	미래창조과학부	나노종합기술원	나노 Open Innovation Lab 협력사업	에너지 소자 용 실리콘 기반 공정기술 개발

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2015.12.23	수리 (Accepted)	1-1-2015-1265342-36
2	선행기술조사의뢰서	2016.10.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2017.01.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2017-0010689-10
4	의견제출통지서	2017.01.17	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0039955-16
5	[명세서등 보정]보정서	2017.03.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2017-0266860-99
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2017.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2017-0266859-42
7	등록결정서	2017.07.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0510040-26
8	출원인정보변경(경정)신고서	2019.04.24	수리 (Accepted)	4-1-2019-5081392-49
9	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.15	수리 (Accepted)	4-1-2020-5108396-12
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.06.12	수리 (Accepted)	4-1-2020-5131486-63


과제고유번호	1711032636
세부과제번호	NNFC-15-02
연구과제명	나노 Open Innovation Lab 협력사업
성과구분	출원
부처명	미래창조과학부
연구관리전문기관명
연구주관기관명
성과제출연도	2015
연구기간	201501~201512
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	NT(나노기술)

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