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기판 처리 장치(SUBSTRATE TREATNG APPARATUS)

  • 기술번호 : KST2017016302
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판 처리 장치가 개시된다. 기판 처리 장치는 처리 공간을 제공하는 공정 챔버; 상기 처리 공간 내에 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부; 상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부의 상부에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2016.05.13) H01L 21/67 (2016.05.13)
CPC H01L 21/02054(2013.01) H01L 21/02054(2013.01) H01L 21/02054(2013.01) H01L 21/02054(2013.01) H01L 21/02054(2013.01)
출원번호/일자 1020160045666 (2016.04.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0117791 (2017.10.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.14)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 육세진 대한민국 서울특별시 도봉구
2 이정석 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0357609-12
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0656197-64
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1143293-38
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-1143328-48
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0906304-17
6 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
 2018.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0098617-04
7 법정기간연장승인서
 2018.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0017209-40
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2018-0195009-52
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0195010-09
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0229984-10
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
처리 공간을 제공하는 공정 챔버;상기 공정 챔버 내에 위치하며, 기판을 지지하는 기판 지지부;상기 기판 지지부의 상부에 위치하며, 상기 기판 지지부 측으로 하강 기류를 형성하는 하강 기류 형성부;상기 하강 기류 형성부와 상기 기판 지지부 사이에서 상기 기판으로부터 소정 거리 이격된 지점에 위치하며, 상기 하강 기류가 상기 기판의 상면으로 제공되지 않고 상기 기판의 외측으로 제공되도록 상기 하강 기류의 흐름을 변경하는 기류 변경부;상기 기판으로 처리액을 공급하는 노즐;상기 기류 변경부와 동일한 높이에 위치하며, 일단에 상기 노즐이 지지되는 지지 암;상기 지지 암의 타단을 지지하며, 상기 기판의 상부 영역과 외측 영역 사이를 상기 노즐이 이동하도록 상기 지지 암을 이동시키는 지지 축; 및상기 지지 암의 길이방향과 소정 각도로 배치되며, 일단이 상기 기류 변경부와 연결되고, 타단이 상기 지지 암과 연결되는 연결 로드를 포함하되,상기 노즐이 상기 기판의 상부에서 상기 기판에 상기 처리액을 공급하는 공정 동안 상기 기류 변경부는 상기 기판의 외측 영역에 위치하고, 상기 노즐이 상기 기판의 외측 영역에서 대기하는 동안, 상기 기류 변경부는 상기 기판의 상부 영역에 위치하는 기판 처리 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기류 변경부는 상기 기판보다 작은 면적을 갖는 판을 포함하는 기판 처리 장치
3 3
제 1 항에 있어서,상기 하강 기류의 온도보다 높거나 낮은 온도로 상기 기류 변경부의 온도를 조절하는 온도 조절부를 더 포함하는 기판 처리 장치
4 4
제 1 항에 있어서,상기 기류 변경부에 전기장을 형성하는 전기장 인가부를 더 포함하는 기판 처리 장치
5 5
삭제
6 6
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7 7
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8 8
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 글로벌프론티어연구개발사업 / 멀티스케일 에너지 시스템 연구 나노에어로졸 소재 기술