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태양전지 및 이의 제조방법(SOLAR CELL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2018001865
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 제공된다. 구체적으로, 태양전지는, 기판 상에 배치된 투명 산화물 전극층, 투명 산화물 전극층 상에 배치되고 산소를 포함하는 n형 황화카드뮴(CdS:O) 반도체층, 산소를 포함하는 n형 황화카드뮴 반도체층 상에 배치되는 p형 텔루르화카드뮴(CdTe) 반도체층, 및 p형 텔루르화카드뮴 반도체층 상에 배치되는 금속 전극층을 포함한다. 산소를 포함한 n형 황화카드뮴 반도체층은 Cd:S:O의 함량비(원자%)가 47~49 : 31~32 : 19~21 이다.
Int. CL H01L 31/0392 (2016.09.07) H01L 31/18 (2016.09.07) H01L 31/0224 (2016.09.07) H01L 31/0296 (2016.09.07) H01L 31/0272 (2016.09.07) H01L 21/02 (2016.09.07)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020160098851 (2016.08.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0015388 (2018.02.13) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.08.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 이경수 대한민국 서울특별시 강남구
3 오규진 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0754933-57
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0004266-64
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0485851-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0880609-81
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.09.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0880610-27
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0005235-55
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2018.02.02 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0119548-89
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.02.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-0119547-33
10 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2018.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0123486-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 투명 산화물 전극층;상기 투명 산화물 전극층 상에 배치되고, 산소를 포함하는 n형 황화카드뮴(CdS:O) 반도체층;상기 산소를 포함하는 n형 황화카드뮴 반도체층 상에 배치되는 p형 텔루르화카드뮴(CdTe) 반도체층; 및상기 p형 텔루르화카드뮴 반도체층 상에 배치되는 금속 전극층을 포함하고,상기 산소를 포함한 n형 황화카드뮴 반도체층은 Cd:S:O의 함량비(원자%)가 47~49 : 31~32 : 19~21 이고,X선 회절분석법에 따른 피크에서 (100)면의 피크가 (002)면의 피크보다 강하고, (110)면의 피크가 (103)면의 피크보다 강한 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 산소를 포함한 n형 황화카드뮴 반도체층은 Cd:S:O의 함량비(원자%)가 48:32:20인 태양전지
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 산소를 포함한 n형 황화카드뮴 반도체층은 2
5 5
산소 분압 하에서 기판 상에 황화카드뮴(CdS)을 펄스 레이저 증착하여 광투과층을 형성하는 단계; 및상기 광투과층 상에 텔루르화카드뮴(CdTe)을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광투과층을 형성하는 단계는,상기 펄스 레이저 증착의 산소 분압은 1
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구(개인-성과확산) 다중 에너지밴드형 반도체를 이용한 광전에너지변환 소자 기술