| 1 |
1
기판 상에, 금속 전구체 및 제1 반응 전구체를 제공하여, 상기 금속 전구체와 상기 제1 반응 전구체가 반응되어 형성된 제1 도전형 물질을 포함하는 제1 도전층을 형성하는 단계; 및상기 제1 도전층 상에, 상기 금속 전구체 및 제2 반응 전구체를 제공하여, 상기 금속 전구체와 상기 제2 반응 전구체가 반응되어 형성된 제2 도전형 물질을 포함하는 제2 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 제2 도전층을 형성하는 단계는, 상기 금속 전구체의 금속이 상기 제2 반응 전구체의 -OH기와 결합된 제1 중간체 형성단계; 상기 제1 중간체의 금속이 새로운 상기 제2 반응 전구체의 -OH기와 다시 결합된 제2 중간체 형성단계; 및 상기 제2 중간체가 새로운 상기 금속 전구체의 금속과 결합된 상기 제2 도전형 물질을 형성하는 단계를 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 제2 중간체는, 상기 제1 중간체의 금속이, 새로운 상기 제2 반응 전구체의 -OH기와 결합하여, 상기 제1 중간체로부터 분리된 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제2 항에 있어서, 상기 제2 도전형 물질은, 새로운 상기 금속 전구체의 금속이, 상기 제2 중간체와 결합하여, 새로운 상기 금속 전구체로부터 분리된 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제2 항에 있어서, 상기 제1 중간체 형성 단계, 상기 제2 중간체 형성 단계, 및 상기 제2 도전형 물질 형성단계는 순차적으로 수행되는 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 금속 전구체에 포함된 금속은, 2개의 질소(N)와 결합되고, 하나의 비공유 전자쌍을 갖는 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서, 상기 금속과 결합된 질소의 산화수(oxidation number)는 -1이고, 상기 금속의 산화수는 +2 이며, 상기 금속의 배위수(coordination number)는 2인 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서, 상기 금속 전구체는, 주석(Sn)을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형 물질은, 상기 금속 전구체 및 상기 제1 반응 전구체의 한 번의 반응(one step)으로 형성되는 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서, 상기 제1 반응 전구체는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제2 반응 전구체는 물(H2O)을 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제1 항에 있어서, 상기 제1 도전형 물질은 SnO2를 포함하고, 상기 제2 도전형 물질은 SnO를 포함하는 하이브리드 반도체 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
기판; 상기 기판 상에 배치되고, 금속 전구체 및 제1 반응 전구체가 반응되어 형성된 제1 도전형 물질을 포함하는 제1 도전층; 및 상기 제1 도전층 상에 배치되고, 상기 금속 전구체 및 제2 반응 전구체가 반응되어 형성된 제2 도전형 물질을 포함하는 제2 도전층을 포함하되, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전형 물질을 포함하지 않고, 상기 제2 도전형 물질만으로 구성되는 것을 포함하는 하이브리드 반도체 소자
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서, 상기 금속 전구체는, 주석(Sn)을 포함하고 상기 제1 반응 전구체는 오존(O3)을 포함하고, 상기 제2 반응 전구체는 물(H2O)을 포함하며,상기 제1 도전형 물질을 SnO2를 포함하고, 상기 제2 도전형 물질은 SnO를 포함하는 하이브리드 반도체 소자
|
