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플라즈마를 이용한 챔버 클리닝 방법

  • 기술번호 : KST2020014439
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용한 챔버 클리닝 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 챔버 클리닝 방법은 클리닝 변곡 시점을 포함하는 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계와, 제1 에칭률(etch-rate)로 제1 클리닝 공정을 수행하는 단계 및 상기 클리닝 변곡 시점에서 상기 제1 에칭률 보다 느린 제2 에칭률로 제2 클리닝 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/67 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200012582 (2020.02.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0115082 (2020.10.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190035915   |   2019.03.28
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.02.03)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인성 서울특별시 강남구
2 심태헌 경기도 수원시 영통구
3 박진성 서울특별시 노원구
4 이태훈 대전광역시 동구
5 김선용 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0110723-77
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번호 청구항
1 1
클리닝 변곡 시점을 포함하는 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계; 제1 에칭률(etch-rate)로 제1 클리닝 공정을 수행하는 단계 및 상기 클리닝 변곡 시점에서 상기 제1 에칭률 보다 느린 제2 에칭률로 제2 클리닝 공정을 수행하는 단계를 포함하는 챔버 클리닝 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 클리닝 공정 변수는, 상기 제1 클리닝 공정 및 상기 제2 클리닝 공정 중 적어도 하나의 공정을 수행하기 위한 챔버의 압력, 상기 챔버의 온도, 에칭 가스의 유량 및 플라즈마 파워 중 적어도 하나의 공정 변수를 더 포함하는 챔버 클리닝 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계는, 잔류가스분석장치(residual gas analyzer; RGA) 및 발광분석장치(optical emission spectroscopy; OES) 중 적어도 하나의 가스 분석 수단을 이용하여 모니터링되는 검출 성분에 기초하여 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 챔버 클리닝 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계는, 백색광 주사 간섭법(White light scanning interferometry; WSI) 및 원자간력 현미경(atomic force microscopy; AFM) 중 적어도 하나의 표면 검출 수단을 이용하여 모니터링되는 챔버의 표면 단차 및 거칠기에 기초하여 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 챔버 클리닝 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계는, 사전 클리닝 공정을 수행하는 단계;클리닝 샘플을 상기 챔버 내로 로딩(loading)하는 단계; 상기 클리닝 샘플이 로딩된 챔버 내에서 제1 샘플 클리닝 공정을 수행하는 단계; 상기 제1 샘플 클리닝 공정이 수행된 챔버 내에서 제2 샘플 클리닝 공정을 수행하는 단계 및 상기 사전 클리닝 공정, 상기 제1 샘플 클리닝 공정 및 상기 제2 샘플 클리닝 공정 각각이 수행된 이후에 상기 적어도 하나의 표면 검출 수단을 이용하여 상기 챔버의 표면 단차 및 거칠기를 모니터링 하는 단계를 더 포함하는 챔버 클리닝 방법
6 6
제4항에 있어서, 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계는, 상기 사전 클리닝 공정, 상기 제1 샘플 클리닝 공정 및 상기 제2 샘플 클리닝 공정 각각에 대응하여 모니터링된 상기 챔버의 표면 단차 및 거칠기의 변화에 기초하여 상기 클리닝 공정 변수를 결정하는 단계를 더 포함하는 챔버 클리닝 방법
7 7
제2항에 있어서, 상기 에칭 가스는, 트라이플루오로요오도메탄(CF3I) 성분을 포함하는 챔버 클리닝 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국에너지기술평가원 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 /에너지수요관리핵심기술개발사업(RCMS) 반도체/디스플레이 챔버 클리닝 가스 대체용 CF3I 가스 개발