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물질막 및 타겟 패턴의 선택적 제조 방법

  • 기술번호 : KST2021002748
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 물질막의 제조 방법이 제공된다. 상기 물질막의 제조 방법은, 베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계, 상기 베이스 패턴에 제1 전압이 인가된 상태에서, 상기 베이스 패턴이 형성된 기판 상에 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 베이스 패턴에 제2 전압이 인가된 상태에서, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 제2 전구체를 제공하여, 상기 베이스 패턴이 형성된 상기 기판 상에, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 물질막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200075675 (2020.06.22)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0145774 (2020.12.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020190074068   |   2019.06.21
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박태주 경기도 안산시 상록구
2 한지원 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)
2 최내윤 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 ** *동 ***호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0638715-40
2 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2020.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2020-1099336-29
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번호 청구항
1 1
베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 패턴에 제1 전압이 인가된 상태에서, 상기 베이스 패턴이 형성된 상기 기판 상에 제1 전구체를 제공하는 단계; 및상기 베이스 패턴에 제2 전압이 인가된 상태에서, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 제2 전구체를 제공하여, 상기 베이스 패턴이 형성된 상기 기판 상에, 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체가 반응된 물질막을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률과, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은 서로 다른 것을 포함하는 물질막의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서, 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압을 제어하여, 상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률, 및 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률을 제어하는 것을 포함하는 물질막의 제조 방법
3 3
제1 항에 있어서, 상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률 보다 낮고,상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 두께는, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 두께보다 얇은 것을 포함하는 물질막의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률은, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 증착률 보다 높고,상기 베이스 패턴 상에 증착되는 상기 물질막의 두께는, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착되는 상기 물질막의 두께보다 두꺼운 것을 포함하는 물질막의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서, 상기 물질막 형성 단계 이후, 상기 물질막이 형성된 상기 기판 상에 식각 소스를 제공하여, 상기 베이스 패턴 상에, 타겟 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하되, 상기 식각 소스는, 상기 베이스 패턴 상에 증착된 상기 물질막 및 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착된 상기 물질막을 식각하여, 상기 베이스 패턴 상에 증착된 상기 물질막은 잔존시키고, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착된 상기 물질막은 제거하며, 상기 타겟 패턴은, 상기 베이스 패턴 상에 잔존된 상기 물질막으로 정의되는 것을 포함하는, 타겟 패턴의 제조 방법
6 6
제5 항에 있어서, 상기 제1 전구체 제공 단계, 상기 제2 전구체 제공 단계, 및 상기 식각 소스 제공 단계는 유닛 공정(unit process)으로 정의되고, 상기 유닛 공정은 반복 수행되는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 수행 횟수가 증가함에 따라, 상기 베이스 패턴에 인가되는 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압의 크기가 증가하는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
8 8
제6 항에 있어서, 상기 유닛 공정의 반복 수행 횟수가 증가함에 따라, 상기 제1 전구체 제공 시간, 및 상기 제2 전구체 제공 시간이 증가하는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
9 9
제5 항에 있어서, 상기 베이스 패턴에 상기 제1 전압, 및 상기 제2 전압이 인가되는 경우, 상기 타겟 패턴의 밀도가 증가하는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
10 10
제5 항에 있어서, 상기 베이스 패턴에 상기 제1 전압, 및 상기 제2 전압이 인가되는 경우, 상기 타겟 패턴의 비저항이 감소되는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
11 11
베이스 패턴이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 베이스 패턴이 형성된 상기 기판 상에, 제1 및 제2 전구체를 반응시켜, 상기 베이스 패턴 및 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판을 덮는 물질막을 형성하되, 상기 베이스 패턴 상에 형성된 상기 물질막의 두께는, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 형성된 상기 물질막의 두께 보다 두껍게 형성되는 단계; 및상기 베이스 패턴 상에 형성된 상기 물질막 및 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 형성된 상기 물질막을 식각하여, 상기 베이스 패턴 상에 증착된 상기 물질막은 잔존시키고, 상기 베이스 패턴 사이의 노출된 상기 기판 상에 증착된 상기 물질막은 제거하여, 상기 베이스 패턴 상에 타겟 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 물질막 형성 단계는, 상기 베이스 패턴에 제1 전압이 인가된 상태에서, 상기 베이스 패턴이 형성된 상기 기판 상에 상기 제1 전구체를 제공하는 단계; 및상기 베이스 패턴에 제2 전압이 인가된 상태에서, 상기 제1 전구체가 제공된 상기 기판 상에 상기 제2 전구체가 제공되는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
13 13
제11 항에 있어서, 상기 타겟 패턴 형성 단계는, 상기 베이스 패턴에 제3 전압이 인가된 상태에서, 상기 물질막이 형성된 상기 기판 상에 식각 소스가 제공되는 것을 포함하는 타겟 패턴의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 과학기술정보통신부 서울대학교 산학협력단 삼성미래기술육성사업 / [지정테마] 차세대 반도체 재료 및 소자 차세대 DRAM Capacitor module을 위한 일관 소재/공정