요약 | 자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터가 개시된다. 일 실시예에 따르면, 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 나노선 채널로의 전압 인가, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가 또는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가를 통해 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 23/00 (2006.01.01) G06F 21/71 (2013.01.01) |
CPC | H01L 29/78648(2013.01) H01L 29/0673(2013.01) H01L 23/576(2013.01) G06F 21/71(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020200177214 (2020.12.17) |
출원인 | 한국과학기술원 |
등록번호/일자 | |
공개번호/일자 | 10-2022-0086953 (2022.06.24) 문서열기 |
공고번호/일자 | |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 공개 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 국내출원/신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2020.12.17) |
심사청구항수 | 15 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국과학기술원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 최양규 | 대전광역시 유성구 | |
2 | 유지만 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 양성보 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
최종권리자 정보가 없습니다 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2020.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1373050-27 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2021.08.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2021.10.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2021-0200065-25 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2021.12.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2021-1013717-10 |
5 | [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서 |
2022.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2022-0222960-09 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 |
2022.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2022-0330598-28 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2022.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2022-0330599-74 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 분리된 이중 게이트 트랜지스터에 있어서, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 나노선 채널로의 전압 인가, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가 또는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가를 통해 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 나노선 채널로의 전압 인가로 발생하는 줄 열(Joule heat)에 기반하는 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가로 발생하는 게이트 절연막 파괴(Gate dielectric breakdown)에 기반하는 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가로 발생하는 접합부 파괴(Junction breakdown)에 기반하는 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역에 동시에 전압이 인가될 때 나타나는 전기적 특성의 크기에 따라 구분되는 첫 번째 자리 비트와, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각에 따로 전압이 인가될 때 나타나는 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 사이에서의 전기적 특성의 차이에 따라 구분되는 두 번째 자리 비트가 조합되어 멀티 레벨 셀 특성이 확보된, 물리적 복제 방지 기능(PUF; Physically Unclonable Function)을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역에 동시에 인가되는 전압 또는 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각에 따로 인가되는 전압 중 적어도 하나의 전압이 조절됨에 따라, 2비트 이상의 멀티 레벨 셀 특성을 확보하는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
7 |
7 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 외부 보안 공격을 감지하는 감지 회로와 연결되어, 상기 감지 회로의 제어에 따라 상기 자가파괴 기능을 활성화 또는 비활성화 하는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 감지 회로는, 부채널 공격(Side channel attack), 전자기 복사 분석(Electromagnetic radiation analysis) 또는 물리적 복제 공격(Physical cloning attack) 중 적어도 하나를 포함하는 상기 외부 보안 공격을 감지되는 경우, 상기 자가파괴 기능을 활성화하는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
9 |
9 제1항에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 매립된 산화물(Buried oxide), 매립된 n-웰(Buried n-well), 매립된 p-웰(Buried p-well), 매립된 SiC(Buried SiC) 또는 매립된 SiGe(Buried SiGe) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 매립 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
10 |
10 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은, 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 실리콘 게르마늄 또는 실리콘 카바이드 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
11 |
11 제1항에 있어서, 상기 반도체 기판은, 백 게이트(Back gate)로 동작 가능한 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
12 |
12 제1항에 있어서, 상기 나노선 채널은, 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘, 인장 실리콘 게르마늄, 절연층 매몰 실리콘, 실리콘 카바이드 또는 3-5족 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
13 |
13 제1항에 있어서, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은, 상기 나노선 채널을 형성하는 반도체 물질에 불순물 이온이 주입된 형태로 형성되거나, Al, W, Ti, Co, Ni, Er 또는 Pt 중 적어도 어느 하나를 포함하는 실리사이드 합금으로 형성되거나, Au, Al, Ag, Mg, Ca, Yb, Cs-ITO, Ti, Cr 또는 Ni 중 적어도 어느 하나를 포함하는 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
14 |
14 제13항에 있어서, p형 실리콘 또는 n형 실리콘으로 형성되는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역은, 확산(Diffusion), 고상 확산(Solid-phase diffusion), 에피택셜 성장(Epitaxial growth), 선택적 에피택셜 성장(Epitaxial growth), 이온 주입(Ion implantation) 또는 후속 열처리 중 적어도 어느 하나 이상의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
15 |
15 제1항에 있어서, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역은, n형 폴리 실리콘, p형 폴리 실리콘, 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 은(Ag), 질화티타늄(TiN) 또는 질화탄탈륨(TaN) 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
16 |
16 제1항에 있어서, 상기 게이트 절연막은, 산화막(Silicon oxide), 질화막(Silicon nitride), 산화질화막(Silicon oxynitride), 산화 알루미늄(Aluminum oxide), 산화 하프늄(Hafnium oxide), 산화질화 하프늄(Hafnium Oxynitride), 산화 아연(Zinc oxide), 산화 지르코늄(Zirconium oxide), 고분자 절연막(Polymer dielectric) 또는 산화하프늄지르코늄(HZO) 중 적어도 어느 하나로 형성되거나, 공기로 차 있는 상태(Air ambient)로 형성되는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
17 |
17 분리된 이중 게이트 트랜지스터에 있어서, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역에 동시에 전압이 인가될 때 나타나는 전기적 특성의 크기에 따라 구분되는 첫 번째 자리 비트와, 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각에 따로 전압이 인가될 때 나타나는 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 사이에서의 전기적 특성의 차이에 따라 구분되는 두 번째 자리 비트가 조합되어 멀티 레벨 셀 특성이 확보된, 물리적 복제 방지 기능(PUF; Physically Unclonable Function)을 갖는 것을 특징으로 하는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 |
18 |
18 자가파괴 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 기반의 시스템에 있어서, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터; 및 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터와 연결된 채 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터에 대한 외부 보안 공격을 감지하고, 상기 감지 결과에 따라 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터를 제어하는 감지 회로를 포함하고, 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터는, 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되는 나노선 채널; 상기 나노선 채널의 양단에 형성되는 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 나노선 채널의 양측에 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 접촉하지 않도록 형성되는 제1 게이트 영역 및 제2 게이트 영역; 및 상기 제1 게이트 영역 및 상기 제2 게이트 영역 각각과 상기 나노선 채널 사이에 형성되는 게이트 절연막을 포함하며, 상기 나노선 채널로의 전압 인가, 상기 게이트 절연막으로의 전압 인가 또는 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역과 상기 반도체 기판 사이에서의 전압 인가를 통해 자가파괴 기능을 갖는 것을 특징으로 하고, 상기 감지 회로는, 상기 감지 결과에 따라 상기 분리된 이중 게이트 트랜지스터의 상기 자가파괴 기능을 활성화 또는 비활성화 하는 것을 특징으로 하는 시스템 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 과학기술정보통신부 | 한국과학기술원 | 중견연구자지원사업 | CMOS 기술을 이용한 융 복합 하드웨어 기반 나노 보안기술 |
등록사항 정보가 없습니다 |
---|
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2020.12.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2020-1373050-27 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2021.08.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2021.10.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-6-2021-0200065-25 |
4 | 의견제출통지서 | 2021.12.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2021-1013717-10 |
5 | [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서 | 2022.02.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2022-0222960-09 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서 | 2022.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2022-0330598-28 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2022.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2022-0330599-74 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1345330076 |
---|---|
세부과제번호 | 4120200113769 |
연구과제명 | 산업·사회 혁신을 위한 초연결지능 교육연구단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2020 |
연구기간 | 202009~202708 |
기여율 | 0 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 위의 미래유망신기술(6T) 103개 세분류에 속하지 않는 기타 연구 |
과제고유번호 | 1711110156 |
---|---|
세부과제번호 | 2018R1A2A3075302 |
연구과제명 | CMOS 기술을 이용한 융 복합 하드웨어 기반 나노 보안기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 과학기술정보통신부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학기술원 |
연구주관기관명 | 한국연구재단 |
성과제출연도 | 2020 |
연구기간 | 201809~202308 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
[1020200189511] | 기계학습 알고리즘을 처리하는 MAC 연산 장치 및 방법 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020200186914] | 주행 데이터 실시간 분석을 통한 운전자 시선 및 집중도 예측을 위한 컴퓨터 시스템 및 그의 방법 | 새창보기 |
[1020200179692] | 정량적 클라우드 기반의 엣지 컴퓨팅 환경에서 지연 시간을 고려한 IoT 단말의 태스크 오프로딩을 위한 컴퓨터 시스템 및 그의 방법 | 새창보기 |
[1020200179691] | 전기 트래킹 현상의 전조 증상을 탐지하여 트래킹 화재를 방지하는 지능형 화재 방재를 위한 컴퓨터 시스템 및 그의 방법 | 새창보기 |
[1020200178922] | 자유 공간 광통신 시스템에서 빔의 조준을 정렬하기 위한 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020200177214] | 자가파괴 기능 및 물리적 복제 방지 기능을 갖는 분리된 이중 게이트 트랜지스터 | 새창보기 |
[1020200174470] | 세 수동소자 기반 임베딩 네트워크를 통한 고이득 파워 증폭기 및 저잡음 증폭기 | 새창보기 |
[1020200173358] | 주파수 도약 확산 스펙트럼 주파수 합성기 | 새창보기 |
[1020200172969] | 모놀리식 집적에 따른 이종 접합 구조의 이미지 센서 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020200172342] | 크라우드소싱 환경에서 객체 정보 분석 방법 및 장치 | 새창보기 |
[1020200169702] | LTE 무선 구간 유니캐스트 메시지 인젝션을 통한 가짜 기지국 연결 공격 방법 및 시스템 | 새창보기 |
[1020200167722] | 멤리스터 소자, 멤리스터 소자 제작 방법 및 이를 이용한 적층형 신경망 모사 소자 | 새창보기 |
[1020200163878] | 오목 렌즈를 포함하는 배열 안테나 장치 | 새창보기 |
[1020200163352] | 공간 다중모드 검출을 수행하는 방법 및 장치 | 새창보기 |
[1020200160828] | LoRa 환경에서 릴레이 제어 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020200151173] | 분산 무선 네트워크 시스템에서 향상된 선택적 전송 방법 | 새창보기 |
[1020200151149] | 향상된 성능을 갖는 박막화된 초격자 광검출기 및 그의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020200150822] | 택배 파손 주의를 위한 안전 배송 유도 및 모니터링 방법 및 시스템 | 새창보기 |
[1020200150086] | 다중 암호화된 트래픽을 처리하는 방법 및 미들박스 시스템 | 새창보기 |
[1020200150032] | 소프트웨어 정의 네트워크의 네트워크 정책 불일치 탐지 시스템 및 그 방법 | 새창보기 |
[1020200149706] | 스트레인 센서 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서 | 새창보기 |
[1020200149378] | 건식 전극을 사용한 웨어러블 전기적 임피던스 단층촬영 장치 | 새창보기 |
[1020200148873] | 바이리스터 소자, 그 제조 방법, 및 바이리스터 소자를 포함하는 휘발성 메모리 장치 | 새창보기 |
[1020200148467] | 에지 컴퓨팅 서버의 최적 자원할당 운영 방법 | 새창보기 |
[1020200146948] | 반도체 소자의 시뮬레이션 방법 | 새창보기 |
[1020200145945] | 비선형 전력 증폭기의 왜곡을 보상하는 다중 사용자 하향링크 시스템의 송신 및 전력 할당 방법 및 장치 | 새창보기 |
[1020200144813] | 무선 통신 시스템에서 빔포머를 제어하기 위한 장치 및 방법 | 새창보기 |
[1020200143799] | 압박대 없이 장시간 동안 연속적으로 혈압을 측정하는 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
[1020200142625] | 패싱 주파수 대역의 조절이 가능한 밴드 패스 모듈레이터 | 새창보기 |
[1020200142477] | 강유전체를 이용한 광센서 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020200140840] | 바이리스터 소자 기반 난수 발생기 | 새창보기 |
[1020200140073] | 하향 링크 보안 비직교 다중 접속 네트워크 환경에서 보안성능 향상을 위한 최적의 불규칙적인 가우시안 신호 설계 방법 및 그 시스템 | 새창보기 |
[1020200137283] | 볼로미터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[1020200134627] | 임피던스 측정 장치 | 새창보기 |
[1020200134601] | 듀티 사이클 저항을 포함하는 증폭 장치, 적분 장치 및 변조 장치 | 새창보기 |
[1020200133124] | 센싱 정확도를 향상시키는 캐패시턴스 센싱 디바이스 | 새창보기 |
[1020200132547] | 2채널 모드 그룹 다중화된 신호를 2개의 광검출기로 검출하는 광전송 시스템 | 새창보기 |
[1020200128952] | 태스크 수행 방법 및 이를 이용하는 전자 장치 | 새창보기 |
[1020200128951] | 태스크 수행 방법 및 이를 이용하는 전자 장치 | 새창보기 |
[1020200127550] | 최적 파라미터를 이용하는 재구성 가능 논리 회로 및 이의 동작 방법 | 새창보기 |
[1020200119646] | 문장에 대한 띄어읽기 처리를 수행하는 음성 합성 장치 및 그 동작 방법 | 새창보기 |
[1020200119119] | 광섬유와 웨이브가이드의 결합 구조물 및 상기 결합 구조물의 형성 방법 | 새창보기 |
[1020200111756] | 망막전위도 검사용 광원 일체형 콘택트렌즈 및 그의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015115900][한국과학기술원] | 전자 패키징용 비전도 폴리머 접합물질 및 이를 이용한 전자 패키징용 필름 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2017011341][한국과학기술원] | 복수의 나노와이어를 가진 터널링 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조 방법(TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A PLURALITY OF NANO-WIRES AND FABRICATION METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015111355][한국과학기술원] | 저온공정에의한비정질실리콘박막의결정화방법 | 새창보기 |
[KST2015118196][한국과학기술원] | 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 그 구조 | 새창보기 |
[KST2014046725][한국과학기술원] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2020007685][한국과학기술원] | 이차원 반도체 소재를 이용한 전자소자 | 새창보기 |
[KST2014046650][한국과학기술원] | 폴리실리콘 결정화 기술 | 새창보기 |
[KST2015114266][한국과학기술원] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2019024102][한국과학기술원] | 수직 집적 다층 전면-게이트 나노선 채널 기반의 디램 및 플래쉬 메모리의 선택적 동작이 가능한 융합 메모리 및 그 제작 방법 | 새창보기 |
[KST2015118484][한국과학기술원] | 자기 정렬형 다층 박막을 포함하는 박막 전자소자 | 새창보기 |
[KST2015119116][한국과학기술원] | 마이크로파를이용한다결정박막의제조방법 | 새창보기 |
[KST2016019243][한국과학기술원] | 수직 적층형 나노와이어 형성 방법 및 수직 적층형 나노와이어를 포함하는 트랜지스터 제조 방법(FORMING METHOD OF VERTICALLY STACKED NANO-WIRE AND FABRICATION METHOD OF TRANSISTOR HAVING VERTICALLY STACKED NANO-WIRE) | 새창보기 |
[KST2015111955][한국과학기술원] | 다결정 실리콘 박막 제조방법 | 새창보기 |
[KST2020007688][한국과학기술원] | 이차원 반도체 소재를 이용한 유연 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015118890][한국과학기술원] | 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2017010669][한국과학기술원] | 밴드 오프셋을 이용한 다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법(MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM USING BAND OFFSET TECHNOLOGY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015113041][한국과학기술원] | 잉크젯 프린터를 이용한 유기 반도체의 형성 방법 | 새창보기 |
[KST2022005339][한국과학기술원] | 반도체 장치를 테스트하는 장치 및 그 방법 | 새창보기 |
[KST2015117369][한국과학기술원] | 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2020016877][한국과학기술원] | 다중 파장 광 검출기 및 그의 신호 취득 회로와 결합에 따른 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015114929][한국과학기술원] | 광전 다중 칩 모듈 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2021009447][한국과학기술원] | 감광성 이방성 전도층을 이용하여 형성된 전기접속부재를 포함하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015112830][한국과학기술원] | 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 그 구조 | 새창보기 |
[KST2015113807][한국과학기술원] | 용액 조성물, 이를 이용한 금속 산화물 반도체 제조 방법, 상기 제조 방법에 의해 형성된 금속 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2021002921][한국과학기술원] | 산화물 반도체 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015115362][한국과학기술원] | 비공유 기능화된 탄소나노튜브 및 그의 제조 방법, 상기 비공유 기능화된 탄소나노튜브를 이용한 복합체 및 상기 복합체를 이용한 유기박막트랜지스터 | 새창보기 |
[KST2015115358][한국과학기술원] | 패턴 형성방법 및 이를 적용한 투명전극, 터치스크린, 태양전지, 마이크로 히터, 투명 박막 트랜지스터, 플렉서블 디스플레이 패널, 플렉서블 태양전지, 전자책, 박막 트랜지스터, 전자파 차폐시트, 플렉서블 인쇄회로기판 | 새창보기 |
[KST2022017545][한국과학기술원] | 3차원 게이트 올 어라운드 구조의 수평형 및 수직형 나노시트 채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2017009906][한국과학기술원] | 다중 비트 커패시터리스 디램 및 그 제조 방법(MULTI BIT CAPACITORLESS DRAM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) | 새창보기 |
[KST2015118200][한국과학기술원] | 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조방법 및 이에 의해 제조된 박막 트랜지스터 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|