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박막 트랜지스터 및 그 제조 방법

기술번호 : KST2015136695
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 채널층이 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역과 상대적으로 거리가 먼 제 2영역을 포함할 수 있으며, 채널층을 구성하는 물질 중 적어도 하나는 제 1영역보다 제 2영역에서의 농도가 더 클 수 있다. 채널층은 아연(Zn) 및 불소(F)를 포함할 수 있으며, 제 2영역에서의 불소의 농도가 제 1영역에서의 불소의 농도보다 클 수 있다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/36 (2006.01.01) H01L 21/336 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/78696(2013.01) H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자	1020130169391 (2013.12.31)
출원인	삼성전자주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2015-0079274 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2018.11.30)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김현석	대한민국	경기 화성
2	한승우	대한민국	서울 송파구
3	류명관	대한민국	경기 용인시 수지구
4	박준석	대한민국	경기 용인시 수지구
5	손경석	대한민국	서울 성동구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2013.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2013-1213571-53
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2018.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2018-1199714-49
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.09.27	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.11.08	수리 (Accepted)	9-1-2019-0051702-30
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0130006-64
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.04.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0391988-15
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.04.16	수리 (Accepted)	1-1-2020-0391987-70
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2020.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0741293-15
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.11.23	접수중 (On receiving)	1-1-2020-1258294-30
15	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.11.23	접수중 (On receiving)	1-1-2020-1258295-86

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 이격되어 아연(Zn), 질소(N), 산소(O) 및 불소(F)를 포함하하는 채널층;을 포함하며,상기 채널층은 상기 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역 및 상기 게이트 전극으로부터 상대적으로 먼 제 2영역을 포함하며, 상기 제 2영역에서의 불소(F)의 농도는 상기 제 1영역의 불소(F)의 농도보다 큰 박막 트랜지스터
2	2 제 1항에 있어서,상기 제 1영역은 상기 게이트 전극과 대향하는 면인 박막 트랜지스터
3	3 제 1항에 있어서, 상기 제 2영역은 소스 전극 및 드레인 전극에 의해 채널층이 노출된 영역인 박막 트랜지스터
4	4 제 1항에 있어서,상기 제 1영역은 프런트 채널이며, 상기 제 2영역은 백채널인 박막 트랜지스터
5	5 제 1항에 있어서,상기 게이트 전극은 기판 상에 형성되며,상기 채널은 소스 전극 및 드레인 전극과 각각 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터
6	6 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서,게이트 전극층을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극 상에 게이트 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연층 상에 채널층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 채널층은 상기 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역 및 상기 게이트 전극으로부터 상대적으로 먼 제 2영역을 포함하며, 상기 채널층을 구성하는 물질 중 적어도 하나의 물질은 상기 제 1영역보다 제 2영역에서의 큰 농도를 지니도록 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7	7 제 6항에 있어서, 상기 채널층은 아연(Zn) 및 불소(F)를 포함하도록 형성하며, 상기 제 2영역에서의 불소(F)의 농도는 상기 제 1영역의 불소(F)의 농도보다 크도록 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8	8 제 7항에 있어서,상기 채널층은 ZnF2 타겟을 포함하여 스퍼터링 공정에 의해 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9	9 제 7항에 있어서,상기 채널층은 산소 및 질소를 더 포함하도록 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10	10 제 6항에 있어서, 상기 게이트 전극은 기판의 일영역 상에 형성하며, 상기 채널층은 상기 게이트 전극에 대응되는 상기 게이트 절연층 상의 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11	11 제 6항에 있어서,상기 게이트 절연층 및 상기 채널층 상에 전도성 물질층을 형성하고 패터닝하여 상기 채널층과 각각 전기적으로 연결된 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 박막 트랜지스터의 제조 방법

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2013.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2013-1213571-53
2	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2018.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2018-1199714-49
5	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
6	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
7	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
8	선행기술조사의뢰서	2019.09.27	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2019.11.08	수리 (Accepted)	9-1-2019-0051702-30
10	의견제출통지서	2020.02.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0130006-64
11	[명세서등 보정]보정서	2020.04.16	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0391988-15
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.04.16	수리 (Accepted)	1-1-2020-0391987-70
13	거절결정서	2020.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0741293-15
14	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.11.23	접수중 (On receiving)	1-1-2020-1258294-30
15	[명세서등 보정]보정서	2020.11.23	접수중 (On receiving)	1-1-2020-1258295-86

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