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반도체 기판의 액티브 영역 내에 채널 영역만큼 이격되도록 형성된 제1 도전형의 고농도 소스/드레인 영역; 상기 채널 영역 위에 형성된 게이트 절연막; 및 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 상기 액티브영역 이외의 영역까지 연장되고, 상기 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 불순물 영역과, 제1 도전형의 불순물 영역을 갖는 게이트 도전막을 구비하는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 도전형의 불순물 영역은 채널 영역 위의 게이트 절연막 표면과 물리적 혹은 전기적으로 집적화되어 접촉되도록 배치된 것을 특징으로 광전자 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형의 불순물 영역 및 제2 도전형의 불순물 영역은 핑거 형상으로 이루어진 상호 경계면을 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자
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제3항에 있어서, 상기 제1 도전형의 불순물 영역과 제2 도전형의 불순물 영역을 광감응 소자로 시신경의 자극에 사용하는 광전자 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형의 불순물 영역과 상기 제2 도전형의 불순물 영역 사이에 형성된 진성 영역을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고, 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자
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반도체 기판 내에 액티브 영역을 한정하는 단계; 상기 액티브 영역 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 위에 게이트 도전막을 형성하는 단계: 상기 게이트 도전막의 일부 표면을 덮는 제1 마스크막 패턴을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 액티브 영역 내의 제1 도전형의 고농도 소스/드레인 영역과 상기 게이트 도전막 내의 제1 도전형의 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계: 및 상기 게이트 도전막의 일부 표면 및 상기 액티브 영역을 덮는 제2 마스크막 패턴을 이온 주입 마스크로 이용하여 상기 게이트 도전막 내의 제2 도전형의 고농도 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 마스크막 패턴은 상기 액티브 영역은 노출시키고 상기 액티브 영역 위의 게이트 도전막은 덮는 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제2 마스크막 패턴은 상기 액티브 영역 위의 게이트 도전막은 노출시키고 상기 액티브 영역은 덮는 개구부를 갖는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 마스크막 패턴 및 상기 제2 마스크막 패턴은 상기 제1 도전형의 불순물 영역과 상기 제2 도전형의 불순물 영역 사이의 일정 부분을 모두 덮는 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 도전형은 n형이고 상기 제2 도전형은 p형인 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고 상기 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 도전형은 p형이고 상기 제2 도전형은 n형인 것을 특징으로 하는 광전자 반도체 소자의 제조 방법
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