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비휘발성 유기 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174893
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 유기 메모리 소자 및 이의 제조방법을 제공한다. 상기 비휘발성 유기 메모리 소자는 반도체층, 상기 반도체층의 일측 면과 오믹 접합된 제1 도전층, 상기 반도체층의 다른측 면과 쇼트키 접합된 제2 도전층, 상기 제2 도전층 상에 배치된 저항 변화층, 및 상기 저항 변화층 상에 배치되는 제3 도전층을 포함한다. 유기 메모리 소자, 쇼트키 다이오드
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090132467 (2009.12.29)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0075897 (2011.07.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.22)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조병진 대한민국 광주광역시 북구
2 이탁희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0810409-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1241120-11
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0068822-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0459814-82
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0753587-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층; 상기 반도체층의 일측 면과 오믹 접합된 제1 도전층; 상기 반도체층의 다른측 면과 쇼트키 접합된 제2 도전층; 상기 제2 도전층 상에 배치된 저항 변화층; 및 상기 저항 변화층 상에 배치되는 제3 도전층을 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 폴리이미드 및 PCBM, AIDCN 또는 Alq3를 포함하는 유기 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체층은 Si을 포함하고, 상기 제1 도전층은 Al을 포함하되, 상기 제2 도전층은 Al을 포함하는 유기 메모리 소자
4 4
반도체층이 제공되는 단계; 상기 반도체층의 일측 면 상에 상기 반도체층과 오믹 접합을 이루는 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 반도체층의 다른측 면 상에 상기 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 제2 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전층 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항 변화층 상에 제3 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자 제조방법
5 5
기판 상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층 상에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 제1 도전층과 상기 반도체층 사이에 오믹접합을 형성시키는 단계; 상기 반도체층 상에 상기 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 제2 도전층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전층 상에 저항 변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항 변화층 상에 제3 도전층을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 유기 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 광주과학기술원 기초연구사업/중견연구자지원사업/도약연구지원사업 단분자기반메모리소자기술개발