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산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리소자, 및 이의 동작방법

  • 기술번호 : KST2015174136
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 산화물막과 고체 전해질막을 구비하는 저항 변화 메모리 소자, 및 이의 동작방법을 제공한다. 상기 소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 산화물막, 상기 산화물막 상에 배치된 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 배치된 제2 전극을 구비한다. 상기 방법은 상기 소자의 전극들 중 어느 하나에 기준전압을 인가하고, 나머지 하나에 포밍 전압을 인가하여 상기 산화물막을 전기적 파괴시켜 상기 산화물막 내에 전도성 팁을 형성하는 단계를 구비한다. 상기 제1 전극에 인가되는 전압을 기준으로 상기 제2 전극에 양의 전압을 인가하여 상기 고체 전해질막 내에 전도성 필라멘트를 형성한다. 상기 제1 전극에 인가되는 전압을 기준으로 상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하여 상기 고체 전해질막 내에 형성된 전도성 필라멘트를 제거한다. 저항 변화 메모리 소자, 산화물막, 전기적 파괴, 고체 전해질막
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01) H01L 45/085(2013.01)
출원번호/일자 1020080064487 (2008.07.03)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0983175-0000 (2010.09.13)
공개번호/일자 10-2010-0004363 (2010.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20100920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 윤재식 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0482174-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0013984-86
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0123069-19
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0322458-98
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0322455-51
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0322062-11
8 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0402310-41
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고 전기적 파괴(electrical breakdown)에 의해 형성된 전도성 팁(conductive tip)을 구비하는 산화물막; 상기 산화물막 상에 배치된 고체 전해질막(solid electrolyte layer): 및 상기 고체 전해질막 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제2항에 있어서, 상기 산화물막은 전이금속 산화물막인 저항 변화 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서, 상기 전이금속 산화물막은 란타노이드 산화물막(lanthanoids oxide layer)인 저항 변화 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 란타노이드 산화물막은 가돌리늄(gadolinium) 산화물막인 저항 변화 메모리 소자
6 6
제2항에 있어서, 상기 고체 전해질막은 MoO3-x, W2O3-x, Ta2O5-x, Al2O3-x, HfO2-x, ZrO2-x, Co2O3-x, ZnO1-y, Cu2S, Ag2S 또는 GeSe(x는 0 내지 1
7 7
제2항에 있어서, 상기 고체 전해질막은 금속이 도핑된 막인 저항 변화 메모리 소자
8 8
제7항에 있어서, 상기 고체 전해질막 내에 도핑된 금속은 Cu 또는 Ag인 저항 변화 메모리 소자
9 9
제7항에 있어서, 상기 금속이 도핑된 고체 전해질막은 MoO3-x:Cu, W2O3-x:Cu, Ta2O5-x:Cu, Al2O3-x:Cu, HfO2-x:Cu, ZrO2-x:Cu, Co2O3-x:Cu, ZnO1-x:Cu, MoO3-x:Ag, W2O3-x:Ag, Ta2O5-x:Ag, Al2O3-x:Ag, HfO2-x:Ag, ZrO2-x:Ag, Co2O3-x:Ag, ZnO1-y:Ag, Cu2S:Cu, Ag2S:Ag 또는 GeSe:Ag(x는 0 내지 1
10 10
제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 전기적 파괴에 의해 형성된 전도성 팁을 구비하는 산화물막, 상기 산화물막 상에 배치된 고체 전해질막, 및 상기 고체 전해질막 상에 배치된 제2 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자를 제공하는 단계; 상기 제1 전극에 인가되는 전압을 기준으로 상기 제2 전극에 양의 전압을 인가하여 상기 고체 전해질막 내에 전도성 필라멘트를 형성하는 단계; 및 상기 제1 전극에 인가되는 전압을 기준으로 상기 제2 전극에 음의 전압을 인가하여 상기 고체 전해질막 내에 형성된 전도성 필라멘트를 제거하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
11 11
기판 상에 제1 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 상에 산화물막을 형성하는 단계; 상기 산화물막 상에 고체 전해질막을 형성하는 단계; 상기 고체 전해질막 상에 제2 전극을 형성하는 단계; 및 상기 전극들 중 어느 하나에 기준전압을 인가하고, 나머지 하나에 포밍 전압을 인가하여 상기 산화물막을 전기적 파괴시켜 상기 산화물막 내에 전도성 팁을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02141753 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02141753 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP22016381 JP 일본 FAMILY
4 US08116116 US 미국 FAMILY
5 US20100002491 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP2141753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2141753 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 JP2010016381 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2010002491 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8116116 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.