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그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법

  • 기술번호 : KST2015174351
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자 및 이의 동작방법이 개시된다. 본 발명에 의한 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자는 그래핀층과 산화물층 사이의 산화/환원 반응을 이용함으로써 소자의 면적에 관계없이 균일한 전기적 특성을 가지며, 고온에서도 리텐션(retention)특성이 우수하다. 또한, 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자의 동작방법은 상기 반응에 의한 소자의 저항 변화를 이용하여 별도의 포밍 과정 없이도 간단하고 용이하게 소자의 스위칭이 가능하다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110023408 (2011.03.16)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1211011-0000 (2012.12.05)
공개번호/일자 10-2012-0105771 (2012.09.26) 문서열기
공고번호/일자 (20121211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.03.16)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 이우태 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0191813-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0094803-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0354418-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0660137-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0660161-41
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0729963-38
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 위치하는 산화물층; 및상기 산화물층 상에 위치하는 상부 전극을 포함하되,상기 상부 전극은 그래핀층이며,상기 산화물층으로부터 이동된 산소 이온과 상기 그래핀층과의 결합에 의해 상기 그래핀층과 상기 산화물층의 계면에는 그래핀 산화물층이 형성되어, 상기 산화물층의 저항이 변화하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 하부 전극은 Pt, Ru, Al, Ir, W, Cu를 포함하는 금속 계열 또는 그래핀 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 산화물층의 두께는 20nm 내지 60nm인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
6 6
제 1 항에 있어서,상기 산화물층은 2원계 금속산화물 계열 또는 페로브스카이트막 중에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
7 7
제 6 항에 있어서,상기 2원계 금속산화물 계열은 TiO2, NiO, HfO2, SiO2, ZrO2, Al2O3, Y2O3, Ta2O5, Nb2O5를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
8 8
제 6 항에 있어서,상기 페로브스카이트막은 SrTiO3, Nb가 도핑된 SrTiO3, Cr이 도핑된 SrTiO3, BaTiO3, LaMnO3, SrMnO3, PrTiO3를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
9 9
제 6 항에 있어서,상기 페로브스카이트막은 Pr1-xCaxMnO3(0≤x≤1), La1-xCaxMnO3(0≤x≤1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
10 10
제 1 항에 있어서,상기 상부 전극은 수겹의 그래핀층인 것을 특징으로 하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자
11 11
하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 산화물층, 상기 산화물층 상에 형성된 그래핀층을 구비하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자를 제공하는 단계;상기 그래핀층에 양의 전압을 인가하여 상기 그래핀층의 하부와 상기 산화물층의 계면에 그래핀 산화물을 생성시켜 상기 메모리 소자를 고저항 상태로 프로그래밍하는 단계; 및상기 그래핀층에 음의 전압을 인가하여 상기 그래핀 산화물을 환원시켜 상기 메모리 소자를 저저항 상태로 프로그래밍하는 단계를 포함하는 그래핀을 이용한 저항 변화 메모리 소자의 동작 방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 광주과학기술원 산업기술개발사업 고집적 ReRAM 소자개발(1/2)