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저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리
- 기술번호 : KST2015174281
- 담당센터 : 광주기술혁신센터
- 전화번호 : 062-360-4654
| 요약 | 본 발명은 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리에 관한 것으로서, 기판형성단계; 상기 기판상에 메탈을 증착시켜 하부전극을 형성시키는 하부전극형성단계; 상기 하부전극의 상부에 페로브스카이트 구조의 산화물을 증착시켜 산화물층을 형성시키는 산화물층 형성단계; 상기 산화물층을 1메가파스칼(MPa) 내지 50기가파스칼(GPa)의 압력 및 200℃ 내지 500℃의 온도하에서 30분 내지 24시간동안 열처리하여 결정화시키는 결정화단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 상기 기판형성단계는, 실리콘(Si) 기판상에 이산화규소(SiO2)를 증착시켜 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계; 상기 이산화규소층 상부에 티타늄(Ti)을 증착시키는 티타늄층 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, Pt/PCMO 등을 순서대로 증착시킨 후에, PCMO 등을 저온고압의 조건에서 열처리하여, 결정화시킴으로써, 종래에 고온열처리함으로써 생기는 CMOS 호환성문제를 해결하면서도, 저온에서 결정화를 달성하여 저항스위칭특성을 향상시킬 수 있는 장점이 있다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01) |
| CPC | H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020100084229 (2010.08.30) |
| 출원인 | 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-1195946-0000 (2012.10.24) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0020557 (2012.03.08) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20121030) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2010.08.30) |
| 심사청구항수 | 15 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이우태 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 황현상 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 나승택 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소) |
| 2 | 조영현 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 광주광역시 북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0560880-68 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0066635-22 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.08.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0476037-83 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0831377-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.11.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0933442-67 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.11.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0933465-17 |
| 9 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2012.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0251377-60 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2012.05.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0434374-79 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0434363-77 |
| 12 | 수수료 반환 안내서 Notification of Return of Official Fee |
2012.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0089004-91 |
| 13 | 등록결정서 Decision to Grant Registration |
2012.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0462736-41 |
| 14 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2016.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0759553-72 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판형성단계;상기 기판상에 메탈을 증착시켜 하부전극을 형성시키는 하부전극형성단계;상기 하부전극의 상부에 페로브스카이트 구조의 산화물을 증착시켜 산화물층을 형성시키는 산화물층 형성단계;상기 산화물층을 100메가파스칼(MPa) 내지 5기가파스칼(GPa)의 압력 및 300℃ 내지 450℃의 온도하에서 3시간 내지 6시간동안 열처리하여 결정화시키는 결정화단계;를 포함하여 이루어지며,상기 산화물층 형성단계는, 350℃ 내지 450℃의 온도하에서 30분 내지 50분간 증착시키며, 상기 결정화단계에서, 상기 압력을 가하는 기체는 산소인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서,상기 기판형성단계는,실리콘(Si) 기판상에 이산화규소(SiO2)를 증착시켜 이산화규소층을 형성하는 이산화규소층 형성단계;상기 이산화규소층 상부에 티타늄(Ti)을 증착시키는 티타늄층 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 결정화 단계 이후에, 상기 산화물층 상부에 반응성메탈을 증착시키는 반응성메탈층 형성단계;상기 반응성메탈층 상부에 비반응성메탈을 증착하여 상부전극을 형성하는 상부전극 형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 4 |
4 제 2항에 있어서,상기 이산화규소층 형성단계는, 상기 이산화규소를 저압화학기상증착 (LPCVD) 방식으로 증착하는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 5 |
5 제 2항에 있어서,상기 이산화규소층 형성단계에서, 상기 이산화규소층은 10nm 내지 100nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 6 |
6 제 2항에 있어서,상기 티타늄층 형상단계에서, 상기 티타늄층은 1nm 내지 20nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 하부전극형성단계에서, 상기 메탈은 백금(Pt), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 금(Au), 질화티타늄(TiN), 질화탄탈륨(TaN) 또는 질화텅스텐(WN) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 하부전극형성단계에서, 상기 하부전극은 50nm 내지 150nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 산화물층 형성단계에서, 상기 페로브스카이트 구조의 산화물은 PCMO(Pr1-XCaXMnO3), LCMO(La1-XCaXMnO3), LSMO(La1-xSrxMnO3) 또는 SrTiO3 중 적어도 하나이며, 상기 x는 0보다 크고, 1보다 작은 값인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 10 |
10 삭제 |
| 11 |
11 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 산화물층 형성단계에서, 상기 산화물층은 5nm 내지 60nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 12 |
12 삭제 |
| 13 |
13 제 3항에 있어서, 상기 반응성메탈층 형성단계에서, 상기 반응성메탈은 알루미늄(Al), 사마륨(Sm), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 가돌리늄(Gd), 트리튬(T), 스칸듐(Sc), 지르코늄(Zr), 란타넘(La) 또는 이트륨(Y) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 14 |
14 제 3항에 있어서, 상기 반응성메탈층 형성단계에서, 상기 반응성메탈층은 1nm 내지 10nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 15 |
15 제 3항에 있어서, 상기 반응성메탈층 형성단계에서, 상기 반응성메탈층의 증착시간은 1분 내지 5분인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 16 |
16 제 3항에 있어서, 상기 상부전극 형성단계에서, 상기 비반응성 메탈은 백금(Pt), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 니켈(Ni), 이리듐(Ir), 루테늄(Ru), 금(Au), 질화티타늄(TiN), 질화탄탈륨(TaN) 또는 질화텅스텐(WN) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 17 |
17 제 3항에 있어서, 상기 반응성메탈층 형성단계 및 상기 상부전극 형성단계는, 10-6 Torr 이하의 압력을 유지하며 증착되는 것을 특징으로 하는 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 |
| 18 |
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| 19 |
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| 20 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 광주과학기술원 | 산업기술개발사업 | 고집적 ReRAM 소자개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1195946-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20100830 출원 번호 : 1020100084229 공고 연월일 : 20121030 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120809 청구범위의 항수 : 15 유별 : H01L 21/8247 발명의 명칭 : 저온 고압 열처리를 이용한 저항변화메모리의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 저항변화메모리 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 315,000 원 | 2012년 10월 24일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2015년 10월 02일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 259,000 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2018년 10월 04일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2019년 10월 02일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 335,000 원 | 2020년 09월 25일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2010.08.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0560880-68 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.07.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.08.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0066635-22 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.08.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0476037-83 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.10.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0831377-27 |
| 7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.11.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0933442-67 |
| 8 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.11.24 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0933465-17 |
| 9 | 거절결정서 | 2012.04.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0251377-60 |
| 10 | [명세서등 보정]보정서(재심사) | 2012.05.30 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0434374-79 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.05.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0434363-77 |
| 12 | 수수료 반환 안내서 | 2012.07.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0089004-91 |
| 13 | 등록결정서 | 2012.08.09 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0462736-41 |
| 14 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2016.08.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2016-0759553-72 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1415106941 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200708~201107 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345114511 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-0060067 |
| 연구과제명 | 차세대 비휘발성 저항 변화 메모리 (ReRAM) 원천 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200806~201305 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1345136265 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-03-02 |
| 연구과제명 | 대규모 분산센서 네트워크 연구개발사업 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200401~201212 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415106941 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10029943 |
| 연구과제명 | 고집적 ReRAM 소자 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200708~201107 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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