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내부 저항을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015174422
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내부 저항을 포함하는 저항 변화 메모리 소자 및 이의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 의한 내부 저항을 포함하는 저항 변화 메모리 소자는 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성된 칼코게나이드계 저항 변화층, 상기 칼코게나이드계 저항 변화층 상에 형성된 내부 저항층, 상기 내부 저항층 상에 형성된 상부 전극을 포함함으로써 소자의 내부에서 전류의 흐름을 의도적으로 제어하여 스위칭의 균일성이 현저히 향상될 뿐 아니라 큰 온/오프 저항비, 신뢰할 수 있는 데이터 보유 능력 등 우수한 메모리 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 내부 저항을 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법은 기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 하부 전극 상에 칼코게나이드계 저항 변화층을 형성하는 단계, 상기 칼코게나이드계 저항 변화층 상에 내부 저항층을 형성하는 단계, 상기 내부 저항층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 내부 저항층은 칼코게나이드계 저항 변화층을 산화하여 상부 전극과의 계면에 산화층을 형성함으로써 비교적 저온에서 간단하고 용이하게 내부 저항층을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110127790 (2011.12.01)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0061467 (2013.06.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.01)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 우지용 대한민국 광주광역시 북구
3 정승재 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0957017-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.24 수리 (Accepted) 9-1-2012-0080573-53
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0196672-34
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0384490-31
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번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성된 칼코게나이드계 저항 변화층;상기 칼코게나이드계 저항 변화층 상에 형성된 내부 저항층;상기 내부 저항층 상에 형성된 상부 전극을 포함하는 저항 변화 메모리 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 칼코게나이드계 저항 변화층은 Ge2Sb2+xTe5(0＜x≤3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 내부 저항층은 상기 칼코게나이드계 저항 변화층의 산화층인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 내부 저항층은 GeOx(0＜x≤2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자
5 5
기판 상에 하부 전극을 형성하는 단계;상기 하부 전극 상에 칼코게나이드계 저항 변화층을 형성하는 단계;상기 칼코게나이드계 저항 변화층 상에 내부 저항층을 형성하는 단계;상기 내부 저항층 상에 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 칼코게나이드계 저항 변화층은 Ge2Sb2+xTe5(0＜x≤3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
7 7
제5항에 있어서,상기 칼코게나이드계 저항 변화층 상에 내부 저항층을 형성하는 단계는 상기 칼코게나이드계 저항 변화층을 산화하여 상부 전극과의 계면에 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 내부 저항층은 GeOx(0＜x≤2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서,상기 산화는 50℃ 내지 100℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 산화는 15분 내지 60분간 수행되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 ㈜하이닉스반도체, 광주과학기술원 기술혁신사업 테라비트급 3차원 ReRAM 원천기술 개발