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문턱 스위칭 동작을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014062010
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스위칭 소자인 문턱 스위칭층을 가지는 저항 변화 메모리 및 이의 제조방법이 개시된다. 저항 변화 메모리는 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭과 상부 전극의 산화에 의해 형성된 저항 변화층을 가진다. 양 전극 사이에 형성된 비화학양론적인 상변화층의 개질을 통해 문턱 스위칭층이 형성되고, 상변화층의 개질은 산소 이온의 이탈에 이해 발생된다. 따라서, 상변화층의 개질에 의해 화학양론적인 구성을 가지는 문턱 스위칭층이 형성되며, 산소 이온의 이동에 의해 상부 전극에는 산화 반응이 발생되며, 산화 반응에 의해 상부 전극의 표면 상에는 저항 변화층이 형성된다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01) H01L 45/04(2013.01)
출원번호/일자 1020110072869 (2011.07.22)
출원인 광주과학기술원, 에스케이하이닉스 주식회사
등록번호/일자 10-1257365-0000 (2013.04.17)
공개번호/일자 10-2013-0011600 (2013.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20130423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.22)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 에스케이하이닉스 주식회사 대한민국 경기도 이천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 광주광역시 북구
2 리우 중국 광주광역시 북구
3 손명우 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)
2 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
2 에스케이하이닉스 주식회사 경기도 이천시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0566664-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.05.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0038604-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-5021959-31
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0551335-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0927210-20
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0928836-69
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.11.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0928834-78
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.11.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0927211-76
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0139258-87
12 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2012.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0965020-32
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0140934-68
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2012-5270171-92
15 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0174494-09
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2015-5055330-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부 전극;상기 하부 전극 상에 형성되고, 인가 전압에 따른 스위칭 동작을 수행하기 위한 문턱 스위칭층;상기 문턱 스위칭층 상에 형성되는 저항 변화층; 및상기 저항 변화층 상에 형성되는 상부 전극을 포함하고,상기 문턱 스위칭층은 화학양론적인 전이금속 산화물이며, 상기 저항 변화층은 상기 상부 전극을 구성하는 금속의 산화물이고,상기 저항 변화층 내에서의 전도성 필라멘트의 형성과 소멸에 의해 저항이 변화하는 저항 변화 메모리
2 2
제1항에 있어서, 상기 문턱 스위칭층은 NbO2 또는 VO2인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
3 3
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 텅스텐 산화물인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
4 4
제1항에 있어서, 상기 저항 변화층은 상기 상부 전극의 산화 반응에 의해 형성되고, 상기 산화 반응은 상기 문턱 스위칭층에서 공급된 산소 이온에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리
5 5
하부 전극 상에 비화학양론적인 상변화층을 형성하는 단계;상기 상변화층 상에 상부 전극을 형성하는 단계; 및상기 상부 전극과 하부 전극에 전압을 인가하여, 상기 상변화층을 스위칭 동작을 위한 문턱 스위칭층으로 개질시키고, 상기 상부 전극의 일부를 산화시켜 저항 변화층을 형성하는 단계를 포함하는 저항 변화 메모리의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 상변화층은 Nb2O5-x(0003c#x003c#1) 또는 V2O5-x(0003c#x003c#1)인 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 문턱 스위칭층은 NbO2 또는 VO2를 포함하는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
8 8
제5항에 있어서, 상기 상변화층은 비화학양론적인 구성을 가지고, 상기 전압의 인가에 의해 상기 상변화층의 산소 이온은 상기 상부 전극으로 이동하여, 상기 상변화층은 화학양론적인 상기 문턱 스위칭층으로 개질되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 저항 변화층은 상기 산소 이온의 이동에 의해 상기 상부 전극의 산화 반응을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 저항 변화 메모리의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09117513 US 미국 FAMILY
2 US09208869 US 미국 FAMILY
3 US09214631 US 미국 FAMILY
4 US20130021835 US 미국 FAMILY
5 US20150318041 US 미국 FAMILY
6 US20150318474 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013021835 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2015318041 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2015318474 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9117513 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US9208869 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US9214631 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.